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Rendimento do Samsung HBM4E ultrapassa 70%, processo DRAM de próxima geração D1d visa aprovação de prontidão para produção em novembro

AirdropBlackHole

2026-07-01 06:51:55

Em 1º de julho, a Samsung Electronics anunciou progressos no desenvolvimento do HBM4E (sétima geração) e da DRAM de próxima geração, após se tornar a primeira do mundo a produzir em massa o HBM4 (sexta geração). Song Jae-hyuk, CTO da divisão DS da Samsung e chefe do Instituto de Pesquisa de Semicondutores, declarou durante uma reunião interna de atualização de negócios em 30 de junho que o rendimento dos testes de confiabilidade do HBM4E ultrapassou 70%. A indústria geralmente considera um rendimento acima de 80% como indicador de uma fase de 'rendimento maduro' estável; portanto, um rendimento acima de 70% é visto como um sinal de que o desenvolvimento está entrando em uma faixa estável. A Samsung iniciou a produção em massa do HBM4 em fevereiro deste ano e divulgou publicamente as especificações técnicas detalhadas dos produtos de 12 camadas do HBM4E em 29 de maio, enviando amostras para clientes importantes. O HBM4 será usado no acelerador de IA Vera Rubin da NVIDIA, previsto para lançamento no segundo semestre deste ano, enquanto o HBM4E deve ser utilizado no acelerador de IA de próxima geração da NVIDIA, o Vera Rubin Ultra, programado para lançamento no próximo ano. O desenvolvimento do processo de DRAM de próxima geração da Samsung também está progredindo sem problemas. Song Jae-hyuk acredita que a tecnologia de processo D1d tem vantagens competitivas sobre os concorrentes e visa obter aprovação de prontidão para produção até novembro. O D1d é o processo de DRAM central que a Samsung planeja aplicar a partir do HBM5 de próxima geração (oitava geração), e se o desenvolvimento prosseguir conforme o planejado, impactará positivamente a competitividade da DRAM de próxima geração e dos subsequentes produtos HBM5. (Fnnews)

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