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Samsung, SK Hynix e Micron enfrentam ação coletiva federal nos EUA, acusadas de conspirar para criar crise no fornecimento de memória
A ação alega que as três empresas, sob o pretexto de produzir HBM, reduziram artificialmente a produção de DRAM genéricas como DDR3 e DDR4. Atualmente, os autores estão citando um precedente do Departamento de Justiça dos EUA na década de 2000, quando multou empresas relacionadas, para apoiar essa alegação.