Roundhill e T-REX emitiram conjuntamente o ETF de chips de armazenamento com alavancagem de 2x $RAM listado na Cboe BZX em 24 de junho, subjacente ao DRAM ETF. No after-hours do mesmo dia, a Micron $MU divulgou o melhor trimestre da história com receita de US$ 41,46 bilhões e margem bruta de 84,9%.

O DRAM ETF foi listado em 2 de abril, atingindo US$ 1 bilhão em ativos sob gestão em 10 pregões. Em 24 de junho, o AUM ultrapassou US$ 20 bilhões, com retorno total de 179,84%, sendo o produto de crescimento mais rápido da história da indústria de ETFs.
As posições são altamente concentradas: SK Hynix cerca de 29%, Micron cerca de 27%, Samsung cerca de 21%, totalizando cerca de 77% – os três únicos fornecedores globais de HBM.
O RAM é rebalanceado a cada pregão para atingir 200% do retorno diário do DRAM. Taxa líquida de 1,25%, custodiante Citibank, atualmente sem suporte para negociação de opções. A Roundhill alerta claramente no prospecto que o fundo "não é adequado para todos os investidores".
77% do portfólio está concentrado em três ações, com alavancagem de 2x. Cerca de 49% dos ativos subjacentes do DRAM ETF são negociados em Seul, e a volatilidade noturna das ações coreanas é liberada na abertura do mercado dos EUA, amplificando esses gaps em 2x no RAM.
Em 23 de junho, o KOSPI caiu 10%, e o DRAM ETF caiu cerca de 14% no mesmo dia. Se o RAM já estivesse listado, a queda teórica diária seria de quase 28%. O mecanismo de rebalanceamento diário de ETFs alavancados também significa que, em um mercado volátil, mesmo que o DRAM termine estável, o RAM terá perdas.
O DRAM ETF recuou cerca de 16% em relação à máxima de 52 semanas. Alavancar com o RAM significa usar 2x de alavancagem em um ativo com beta já extremamente alto. Se a direção estiver correta, o retorno é significativo; se errada, a janela de saída pode ser muito mais estreita do que o esperado.