Desenvolvimento triplo de armazenamento de informações, sensores e IA, esse material é interessante

Georgia Institute of Technology nos Estados Unidos desenvolveu uma nova memória flash de ferroelétrico NAND, usando material de hafnio oxido compatível com processos de silício, com propriedades ferroeletropticas autoespontâneas e reversíveis. Essa memória flash tem alta capacidade de processamento de tarefas de IA, resistência a radiação 30 vezes maior que a memória flash tradicional, podendo suportar até 1 milhão de rad, equivalente a 100 milhões de exposições a raios X. O artigo foi publicado na Nano Letters, demonstrando potencial de aplicação em armazenamento de informações, sensores, IA e chips de baixo consumo de energia.