DanielRomero

Elon MuskはTerafabに$120B 以上を投資したいと考えている
その一環として、メモリを製造するためだ
彼が現在の水準からメモリ価格が急落すると見ているからなのは間違いない
メモリの最大消費者の一つが自社でメモリを製造することを決めたなら、今後の方向性が分かる

メモリトレードは終わったと言う人の多さときたら……
こういう見方は1か月前にはどこにあったんだ？
> 高値では強気、-50%では弱気
センチメントを追ってもアルファはない
ほとんどの見方は数字にすら踏み込んでいない
ただ「コモディティ」だとか「P/Eが低いから天井だ」と言うだけ
6月もコモディティだったんじゃないのか？

エロン・マスクは、前回の$SPCX 決算説明会でメモリーの強気相場の論拠を簡潔に説明した：
「メモリーの生産量は年間約20％増加しています。
需要は年間20％増加していますか？ いいえ。需要は年間200％増加しており、もっと高い可能性もあります。
需要が供給をはるかに上回るペースで増加しているなら、経済学の基礎から考えて、価格は上昇するはずです。下落はしません。」

$NBIS Vineland拡張計画への反対が拡大
反対運動は激化しており、2,900人分の署名が集まり、8月5日の公聴会には数百人が出席した
DataOneの改訂案でも、年間21.9億ポンドのCO₂を排出し、約800万ガロンの水を消費し、150万ガロンのLNGタンクを備えることになる
8月5日の6時間に及ぶ公聴会は、採決も公の意見陳述もないまま終了した。公聴会は8月17日に再開され、計画委員会は改訂された拡張計画と電力インフラを承認するかどうかを決定する可能性がある

米国、ポリシリコンに15%の関税を課す
シリコンセル、シリコンウエハー、完成品の太陽光発電モジュールに影響
Semiconductor Industry Associationは、特に先進的な300mmウエハーについて、現在の米国内のウエハー生産能力では需要を満たせないと警告した

Citiはメモリーの下落局面を買いの好機と見ている
$SKHYの「買い」評価を再確認し、2026年および2027年の営業利益予想をそれぞれ4%および3%引き上げ、目標株価₩3.1Mを維持
Citiは、長期契約（LTAs）により、このサイクルがより長く続くと予想している

ついに！
テキサスには一度も行ったことがない
何事にも初めてがあるんだろうね

MWのマネタイズに関するBernsteinの非常に有用なチャート

ABF基板はすでに2028年まで完売している
$NVDA、$AMD、ハイパースケーラーは、Ajinomoto Build-up Film基板の供給を確保するため、2028年までの生産能力を予約している
顧客はまた、2029～2030年に向けた拡張計画をサプライヤーに開始するよう促しており、共同投資の取り決めの再開も含まれている

Reutersによると、$MSFT、$META、$ORCL、$AMZN、および$GOOG には、まだ開始されていないリースに関して、合計1.1兆ドルの確定済みリース支払いがある
Microsoftは3291億ドル、Metaは2790億ドルに加えて7月に締結されたさらに680億ドル、Oracleは2600億ドル、Amazonは1372億ドル、Alphabetは852億ドルを開示した
Oracleの契約期間は通常15～19年に及ぶ

Ayar LabsのCEO、Mark Wade氏は、コ・パッケージド・オプティクスの大規模展開は2028～2029年にかけての立ち上げに向けて順調に進んでいると述べた
同氏は、商業化に向けて台湾のファウンドリー、パッケージング、システムのサプライチェーンが重要だと指摘した

6月29日のMorgan Stanleyによるこの予言的な見解に戻ると
Leopoldはこれを読んで、できるだけ早く保有資産を売るべきだった

Situational Unawarenessの13F更新と、それをめぐってXが大騒ぎする様子が恋しくなるのは認めざるを得ない。

業界筋によると、$SKHY、$MU、Samsungは、2027年のDRAMおよび高帯域幅メモリ（High Bandwidth Memory）の生産能力全体を完売し、すでに完全に割り当てたと報じられている
またしても過去最高益を記録する年が、すでに確定したようだ

$SPCX はプレマーケットで10％下落
おそらくElonが想定していた展開ではないだろう

サムスン、最大8倍のHBM5性能を実現するzHBMを発表
サムスンは、従来の2.5Dレイアウトのようにプロセッサの横に配置するのではなく、複数のHBMユニットをAIアクセラレーターの真上に垂直積層する次世代3Dメモリアーキテクチャ、zHBMを発表した
サムスンによると、zHBMは以下を実現できる可能性がある：
- HBM5より4～8倍高い性能
- ワット当たり性能が最大3倍向上
- 熱抵抗を50%以上低減
主な利点は、メモリとプロセッサ間のデータ移動距離が短くなることだ。より高密度のTSV接続によって、この垂直構造が可能になる。サムスンは、顧客がメモリ性能におよそ10倍の向上を求める中、従来のHBM4およびHBM5アーキテクチャでは不十分になる可能性があると主張している
サムスンはHBM5についても詳細を明らかにした。HBM5はHBM4Eの2倍の性能を実現し、熱抵抗を20%低減すると見込まれている。2nmベースダイと、放熱性の向上を目的に設計された新しいHeat Path Block構造を採用する
HBMに加えて、サムスンは以下を発表した：
- zNAND-O：PCやスマートフォン上でのオンデバイスAI向けに、V-NANDユニットを4層または8層垂直積層したもので、高コストなデータセンター推論への依存を低減
- V10 BV-NAND：400層を超える垂直積層を実現したサ