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科学者がチップの積層における新しい製造プロセスを開発 高帯域幅メモリの集積密度を2倍に高める
MarsBitNews
2026-07-14 00:11:08
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火星财经のニュースによると、韓国の産業技術研究所と浦項工科大学の科学者が、新しい製造プロセスを開発した。これにより、10枚余りの超薄型半導体チップを安定して積層でき、商用の高帯域幅メモリ（HBM）の約4倍の集積密度を実現した。このブレークスルーは、人工知能（AI）が直面するメモリのボトルネックの緩和が期待されている。関連論文は新たに発行された『Engineering Findings（エンジニアリング成果）』誌に掲載された。（財聯社）
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