#BernsteinSaysMemoryBullMarketToLastUntil2027

私たちは、供給不足に端を発したパニックによって引き起こされる混乱した急な価格スパイクから距離を置き、その代わりに、2027年まで続くと見込まれる、構造的に健全なAI主導の拡大の局面に入ります。

このサイクルを駆動する力学が、消費者需要の減速にもかかわらず市場が底堅さを保ってきた理由を説明しています。

Q2 2026の価格上昇とQ3の減速：2026年の第2四半期はメモリメーカーにとって非常に大きな成果となりました。しかし第3四半期の減速は、消費者が購買力の限界に到達しつつあることを示唆しています。

従来型DRAM：平均+74%；成長は13%～18%の範囲へと緩やかに減速する見通しです。

サーバーDRAM：+60%～+67%；高性能DDR5モジュールにより下支えされており、スポット価格は契約価格に比べて大幅なプレミアムで取引されています。

モバイルDRAM：約80%；急激なピークを経験しましたが、スマートフォンメーカー（OEM）はコストのために調達スケジュールを見直し、構成を縮小しています。

NANDフラッシュ：約60%（全体の契約ベース）；顕著なばらつきが見られます。6月にはウエハーのスポット価格が3%～4%下落した一方で、エンタープライズSSDおよびモバイルストレージ分野（+70%～+80%）は市場を支えました。

AI主導の構造的シフト：なぜ今回は違うのか？歴史的に、メモリーのサイクルは「ブーム・アンド・バスト（好況と暴落）」のパターンで特徴づけられてきました。すなわち、サプライヤーが過剰な供給能力を積み上げ、PCやスマートフォン向けの消費者需要が落ち込み、価格が底値まで下がるというものです。

このサイクルは、次の2つの主要な力によって根本的に組み替えられています：

長期契約（LTA）：ハイパースケールのデータセンター運営者および米国のティア1クラウドサービスプロバイダー（CSP）は、もはやオープンスポット市場での購入だけに依存していません。景気後退局面に備えるための厳格な価格フロアを含む3～5年の契約を結んでいます。例えば、SK HynixやMicronのようなサプライヤーは年初に大規模なLTAを締結して製品配分を確保した一方で、Samsungはより高い価格上限の達成を狙った攻めの姿勢を採用しました。

キャパシティ・シフティング（共食い）：高帯域メモリ（HBM）および先進的なサーバーDDR5に対する需要は尽きることがなく、そのためメーカーは、従来のPCおよびモバイルDRAMの製造から、これらの領域へと物理的なウエハーの能力を振り向けています。民生向けエレクトロニクスの需要が弱まっているとしても、製造施設（ファブ）が高マージンのAIチップ製造に集中しているため、全体の供給は依然として制約されたままです。

サプライヤー見通し

Bernsteinの見解は、この高度に多様化されたAI中心の生産戦略における勝ち組を強調しています：

Samsung、SK Hynix、Micron（アウトパフォーム）：この3社はHBMおよびDDR5のブームにおける主要な受益者です。Long-Term Agreement（LTA）注文の大きく確保されたバックログを有しており、2027年までの収益見通しの波をならしています。

SanDisk（アウトパフォーム）：エンタープライズSSD契約における構造的ポジショニングが非常に強固であることから大きな優位性があります。NANDウエハー価格の小さな変動から守る高い価格フロア（約$0.29/GB）を提供します。

Kioxia（慎重/アンダーパフォーム）：より不安定な、LTAではないコモディティのフラッシュ市場への露出が大きく、消費者向けウエハー分野の軟化からの防波が相対的に弱いです。

月次の価格上昇が「ロケット船」のように加速する局面は終わりつつありますが、これを強気相場の終わりと取り違えないでください。メモリ価格の構造的な下支えの水準は依然として高いままです。新たに建設された生産能力がようやく稼働してくるのは2027年後半、あるいは2028年までであり、それまでは正常化が完全に定着することは見込まれていません。