RoundhillとT-REXが共同で発行した2倍レバレッジ半導体メモリーETF $RAM は6月24日にCboe BZXに上場し、対象はDRAM ETFです。同日の取引時間終了後、Micron $MU は史上最高の四半期決算である414億6000万ドルの売上高、84.9%の粗利益率を発表しました。

DRAM ETFは4月2日に上場し、10取引日で運用規模が10億ドルを突破、6月24日時点のAUMは200億ドル超、トータルリターン179.84%と、ETF業界史上最も急成長した商品です。
保有銘柄は高度に集中しており、SKハイニックス約29%、Micron約27%、Samsung約21%、3社合計で約77%を占め、世界で唯一のHBMサプライヤー3社でもあります。
RAMは取引日ごとにリバランスし、DRAMの当日収益の200%を目標とします。純手数料率は1.25%、カストディアンはシティバンク、現在はオプション取引に対応していません。Roundhillは目論見書の中で、このファンドは「すべての投資家に適しているわけではない」と明確に警告しています。
77%のポジションが3銘柄に集中し、さらに2倍のレバレッジがかかっています。DRAM ETFの約49%の原資産はソウルで取引されており、韓国株の夜間の変動は米国市場の取引開始時に一気に顕在化するため、RAMはこのギャップを2倍に拡大します。
6月23日にはKOSPIが10%急落し、DRAM ETFは同日に約14%下落しました。もしRAMがその時点で上場していれば、理論上の1日あたりの下落率は約28%に達していたでしょう。レバレッジETFの日次リバランスの仕組みは、変動相場においてDRAMが最終的に横ばいだったとしても、RAMは損失を被ることを意味します。
DRAM ETFは現在、52週高値から約16%下落しています。RAMでレバレッジをかけることは、すでにベータが非常に高い資産に対して2倍のレバレッジをかけることです。方向が合えばリターンは大きいですが、方向を誤ると出口のウィンドウは想定よりもはるかに狭くなる可能性があります。