第十代NAND+SiC+ガラス基板 主業の好調なサムスン電子が「未来の成長エンジン」の再起動を図る

過去数年、DRAMおよびHBM市場の激しい競争に身を置く中、サムスン電子傘下の多くの新型半導体事業は一時停止されていた。しかし、主要なメモリ事業が安定に向かう中、同社は次世代半導体に向けた推進作業を再開する可能性がある。

報道によると、サムスン電子DS事業部は次世代半導体の研究開発と投資の再開について協議している。今回の協議の焦点は、研究開発の方向性と設備投資のスケジュールにあり、次世代NANDフラッシュ、化合物半導体、基板を含む。

関係者は、サムスン電子が協力企業と技術開発や設備投資に関する情報を共有していると明かした。同社はメモリ分野の基本的な競争力が一定レベルに回復したと考えており、未来の成長エンジンの革新を再始動し始めている。いくつかの新規事業の重要計画は間もなく決定される見込みだ。

人工知能産業が盛況を迎える中、サムスンが未来の成長エンジンとみなす方向性は何か？

第十代NAND「V10」

昨年、サムスン電子は今年上半期に第十代NAND（V10）生産ラインを構築し、下半期から量産を開始する計画を立てていた。しかし、現時点では調達注文は正式に開始されていない。

報道によると、サムスン電子はV10、すなわち400層NANDへの投資を再始動した。層数が大幅に増加したため、垂直積層ストレージセル間の信号交換用通路孔はより深くなる必要がある。これに伴い、サムスン電子は低温エッチング技術を採用し、現在は低温エッチング装置のサプライヤー選定の最終段階にある。

さらに、V10では「ウエハ間（W2W）」の接合技術を採用し、ウエハの正確な切断のためのレーザー加工技術も導入される予定だ。この技術は、異物発生を最小限に抑えつつ微細回路に影響を与えない切断方法を通じて、NANDフラッシュの性能と歩留まりを向上させることを目的としている。

窒化ガリウム（GaN）と炭化ケイ素（SiC）

サムスン電子が再始動させているもう一つの新規事業は化合物半導体であり、窒化ガリウム（GaN）と炭化ケイ素（SiC）が代表例だ。2023年には、サムスン電子は8インチ半導体の委託生産ラインの効率最大化を目的に、GaNとSiCの生産ラインへの転換を開始した。

関係者によると、サムスン電子は一部協力企業とSiC生産に必要な追加設備の規模について協議を進めている。業界の予測では、サムスン電子は今年中にサプライチェーンの構築を開始し、2027年に試験生産ラインの原型を完成させ、2028年からSiCの量産を開始する見込みだ。

業界関係者は、サムスン電子がGaNとSiC事業を積極的に推進し、重要な戦略方向と位置付けていると明かした。

ガラス基板

報道によると、サムスン電子は複数の基板製造サプライチェーン企業と協力し、ガラス基板の普及と応用を加速させようとしている。

ガラス基板は封止基板の一種であり、高密度接続や高周波信号伝送などの用途で独自の優位性を示す。関係者は、「サムスン電子は複数のサプライヤーと連絡を取り、ガラス基板の性能と品質を比較・分析している」と述べた。また、「彼らは供給チェーンの多角化戦略を慎重に調整し、ガラス基板の導入を推進している」と付け加えた。

一方、SoCAMMは急速に台頭している低消費電力メモリモジュールであり、サムスン電子の重点展開対象となる可能性もある。報道によると、サムスン電子はNVIDIAなどのAI応用向けに大規模なSoCAMM2の生産を進めており、将来の需要に対応するため供給量を増やす計画だ。

（出典：財聯社）