【IPO saham baru】SK海力士傳已 mencatat beberapa kali lipat oversubscribed　memperkenalkan 3 investor besar, total permintaan 7 miliar dolar AS　rencana pencatatan di AS senilai 28,2 miliar dolar AS diperkirakan menjadi IPO terbesar ke-3 global

Raksasa chip memori Korea Selatan SK Hynix (SK Hynix, Korea: 000660) resmi meluncurkan rencana pencatatan saham di AS senilai 28,2 miliar dolar AS (sekitar 220 miliar dolar HK) pada Senin (6), dengan target listing pada Jumat (10) di Nasdaq, berpotensi menjadi penawaran umum perdana (IPO) perusahaan asing terbesar dalam sejarah AS. Kode sahamnya adalah “SKHY”.

Ada laporan dari media luar bahwa SK Hynix sudah mencatat beberapa kali lipat permintaan lebih dari penawaran. Sementara itu, ada kabar bahwa IPO kali ini menghadirkan tiga investor jangkar, yakni Baillie Gifford, Coatue Management, dan Situational Awareness Partners, dengan total pemesanan saham senilai 7 miliar dolar AS.

Berdasarkan dokumen yang diajukan perusahaan ke Komisi Sekuritas dan Bursa AS, SK Hynix akan menerbitkan 17,79 juta unit American Depositary Receipts (ADR), dengan target dana yang dihimpun sebesar 28,21 miliar dolar AS. Langkah ini akan menempatkannya di jajaran saham teknologi dengan kapitalisasi pasar tertinggi global; setiap 10 ADR mewakili 1 saham biasa. Untuk pencatatan di AS kali ini, grup tersebut menjadi IPO terbesar ke-3 sepanjang masa, hanya di belakang SpaceX (AS: SPCX) yang mencatat rekor IPO senilai 87,5 miliar dolar AS bulan lalu, serta Saudi Aramco senilai 29,4 miliar dolar AS.

SK Hynix roadshow minggu ini, harga pada Kamis

Didorong oleh kuatnya permintaan pasar terhadap kecerdasan buatan (AI), SK Hynix sepanjang tahun ini naik sekitar 273%, mengungguli jauh para pesaing utamanya Samsung Electronics (Korea: 005930) dan Micron (AS: MU).

Dokumen pengaturan menyebutkan, SK Hynix akan melakukan roadshow pekan ini, menetapkan harga pada Kamis, dan mulai diperdagangkan pada Jumat. SK Hynix pekan lalu mengatakan akan berinvestasi 100.000 triliun won Korea untuk membangun pabrik chip baru, termasuk sebuah fasilitas NAND.