Media Korea melaporkan bahwa ChangXin Memory Technologies (CXMT) dari China saat ini sedang menguji lini produksi percobaan DRAM terikat (bonded DRAM) di Hefei, dengan target memproduksi DRAM berkinerja tinggi tanpa menggunakan litografi EUV.

Yang dimaksud dengan DRAM terikat adalah teknologi di mana sel-sel memori array dan sirkuit periferal diproduksi pada wafer yang berbeda, kemudian kedua wafer tersebut digabungkan (bonded) bersama. Dengan cara ini, DRAM dengan kepadatan sangat tinggi dapat diproduksi hanya menggunakan litografi DUV (deep ultraviolet) yang dikombinasikan dengan proses multi-patterning, sehingga tidak memerlukan peralatan EUV.

Samsung Electronics sedang mengembangkan DRAM terikatnya sendiri melalui proyek "B1b", dan SK Hynix juga memajukan teknologi serupa. Namun, media Korea memperingatkan bahwa saat ini terdapat penilaian yang menyatakan bahwa CXMT mungkin telah unggul dari pesaing Korea dalam hal teknologi itu sendiri serta kecepatan pengembangannya.