Intel sedang mempertimbangkan untuk mengadopsi arsitektur suplai daya dua sisi pada proses 1.4 nanometer untuk mengejar TSMC dan Samsung.

Berita BlockBeats, 5 Juli, Intel sedang mempertimbangkan untuk menggunakan arsitektur yang memanfaatkan pasokan daya dari sisi depan dan belakang secara simultan dalam proses ultra-mikro 1,4 nanometer untuk mengejar pesaing. Sumber industri mengatakan bahwa Intel awalnya berencana menggunakan teknologi khusus pasokan daya belakang PowerDirect dalam proses dasar 1,4 nanometer 14A, tetapi dalam proses selanjutnya 14A2, sedang mempertimbangkan untuk memperkenalkan arsitektur Dual side yang menggunakan sisi depan dan belakang secara bersamaan.

Intel sebelumnya mengumumkan rencana bahwa akan meningkatkan kepadatan chip 1,3 kali lipat pada proses 14A dibandingkan 18A; target jarak M0 proses 14A sekitar 28 nanometer, sedangkan proses 14A2 mungkin melalui peningkatan setengah node, memajukan jarak M0 menjadi 21 nanometer. Intel akan mempertahankan jaringan pasokan daya belakang sebagai utama, sementara mengalokasikan ulang sebagian kabel logam depan untuk keperluan catu daya tambahan dan sinyal Clock, untuk mengimbangi kekurangan margin daya yang disebabkan oleh penyusutan dan keterbatasan eksposur.

Proses 14A Intel direncanakan memasuki produksi risiko pada tahun 2028, dan produksi massal pada tahun 2029. Intel perlu merilis kit desain proses versi 0.9 untuk proses 14A kepada pelanggan eksternal pada bulan Oktober tahun ini, dan mendapatkan pesanan pasti dari pelanggan fabless besar dalam 18 bulan setelahnya. Sebagai perbandingan, TSMC telah merencanakan untuk mengirimkan produk jadi A14 1,4 nanometer yang sesungguhnya pada tahun 2028, dan Samsung Electronics juga berencana untuk mengkomersialkan proses perbaikan 2 nanometer SF2Z yang menggunakan teknologi catu daya belakang pada tahun 2027.