🚨Media Korea melaporkan bahwa CXMT China saat ini sedang menguji lini produksi percontohan untuk DRAM terikat di Hefei, bertujuan untuk mencapai DRAM berkinerja tinggi tanpa menggunakan litografi EUV.

DRAM terikat adalah teknologi di mana susunan sel memori dan sirkuit periferal dibuat pada wafer terpisah dan kemudian diikat bersama. Pendekatan ini memungkinkan produksi DRAM dengan kepadatan sangat tinggi hanya menggunakan litografi ultraviolet dalam (DUV) dengan multi-pola, menghilangkan kebutuhan akan alat EUV.
Samsung Electronics mengembangkan DRAM terikatnya sendiri di bawah proyek “B1b”, sementara SK hynix sedang mengejar teknologi serupa. Namun, media Korea memperingatkan bahwa ada penilaian yang menunjukkan CXMT mungkin saat ini memiliki keunggulan atas pesaingnya di Korea baik dalam teknologi itu sendiri maupun kecepatan pengembangan.