中金:Perangkat semikonduktor generasi ketiga inti diperkirakan akan terus diuntungkan dari peningkatan sistem terkait daya pusat data.

robot
Pembuatan abstrak sedang berlangsung
中金指出,在AI算力走向高密度、连续满载、强瞬态冲击之后,高压架构是数据中心供电系统发展的确定方向。在硬件技术进步推动下,2026年数据中心高压架构迎来落地元年。中金认为,SiC/GaN等核心第三代化合物半导体器件有望持续受益于数据中心电力相关系统升级,SiC有望统领机房侧(灰区)应用,而GaN有望在机柜内(白区)大规模渗透,从灰、白区分界线形成“SiC左,GaN向右”的市场格局,共同受益于数据中心电源方案迭代。
Lihat Asli
Halaman ini mungkin berisi konten pihak ketiga, yang disediakan untuk tujuan informasi saja (bukan pernyataan/jaminan) dan tidak boleh dianggap sebagai dukungan terhadap pandangannya oleh Gate, atau sebagai nasihat keuangan atau profesional. Lihat Penafian untuk detailnya.
  • Hadiah
  • Komentar
  • Posting ulang
  • Bagikan
Komentar
Tambahkan komentar
Tambahkan komentar
Tidak ada komentar
  • Disematkan