[Exclusive] Samsung Mencapai 70% Yield pada HBM4E… Dorongan Penuh untuk Supremasi HBM

Samsung Electronics, menyusul produksi massal pertama di dunia untuk memori bandwidth tinggi generasi keenam (HBM4), kini juga menghasilkan hasil yang terlihat dalam pengembangan HBM4E (generasi ketujuh) dan DRAM generasi berikutnya. Song Jai Hyuk, Chief Technology Officer Samsung Electronics dan kepala Pusat Penelitian Semikonduktor, baru-baru ini mengatakan dalam briefing manajemen internal bahwa yield uji keandalan (rasio produk bagus) untuk HBM4E telah naik ke level di atas 70 persen, dan bahwa proses DRAM generasi ketujuh (D1d) kelas 10 nanometer generasi berikutnya telah mengamankan keunggulan atas pesaing. Atas dasar ini, Samsung Electronics diperkirakan akan semakin mempercepat upaya untuk memperkuat daya saing memori AI generasi berikutnya.
Menurut industri semikonduktor pada tanggal 1, Song dilaporkan mengatakan dalam briefing manajemen internal divisi Device Solutions (DS) yang diadakan pada 30 Juni bahwa "yield uji keandalan untuk HBM4E telah naik ke level di atas 70 persen." Industri umumnya menganggap yield 80 persen atau lebih tinggi sebagai tahap "yield matang", di mana suatu proses dianggap stabil. Mengingat HBM4E masih dalam tahap uji keandalan, level di atas 70 persen dipandang sebagai indikator bahwa pengembangan memasuki rentang yang stabil.
Samsung Electronics adalah yang pertama di industri yang memulai pengiriman produksi massal HBM4 pada bulan Februari tahun ini, dan pada 29 Mei mengungkapkan spesifikasi teknis terperinci dari produk HBM4E 12 lapisnya dan mengirimkan sampel ke pelanggan utama. HBM4 akan dipasang pada akselerator AI Nvidia "Vera Rubin," yang akan diluncurkan pada paruh kedua tahun ini, dan HBM4E, penerus HBM4, dijadwalkan untuk dipasang di akselerator AI generasi berikutnya seperti "Vera Rubin Ultra," yang rencananya akan diluncurkan Nvidia tahun depan. Industri melihat pengembangan untuk produksi massal berjalan lancar seiring evaluasi sampel oleh pelanggan utama berjalan maju.
Pengembangan proses DRAM generasi berikutnya juga dikatakan berjalan dengan baik. Song menilai bahwa daya saing teknologi proses D1d lebih unggul dari pesaing, dan menjelaskan bahwa pengembangan sedang berlangsung dengan target Production Readiness Approval (PRA) pada bulan November. PRA adalah tahap evaluasi kualitas internal akhir yang dilakukan sebelum pengiriman produk. Ini adalah prosedur yang memverifikasi secara komprehensif yield, kinerja, dan produktivitas untuk menentukan apakah produksi massal layak, dan melewatinya memungkinkan transisi penuh ke sistem produksi massal.
Secara khusus, D1d adalah proses DRAM inti yang rencananya akan diterapkan Samsung Electronics mulai dari HBM5 (generasi kedelapan) generasi berikutnya. Industri memperkirakan bahwa jika pengembangan D1d berjalan sesuai rencana, ini akan memiliki efek positif tidak hanya pada DRAM generasi berikutnya tetapi juga pada daya saing HBM5 dan produk selanjutnya. Dengan hasil pengembangan HBM4E dan stabilisasi proses D1d yang bersatu dengan cara ini, pandangannya adalah bahwa daya saing teknologi Samsung Electronics dalam perlombaan memori AI generasi berikutnya akan semakin diperkuat.
Sementara itu, setelah briefing, keluhan tentang peran dan struktur kompensasi personel penelitian dan pengembangan juga muncul di dalam organisasi R&D. Anggota dikatakan telah menyuarakan pandangan bahwa kontribusi organisasi R&D perlu diakui lebih aktif. Sebelumnya, manajemen dan tenaga kerja Samsung Electronics setuju untuk membentuk "bonus kinerja manajemen khusus" untuk divisi DS, yang didanai oleh 10,5 persen dari kinerja bisnis (laba operasi). Namun, bahkan di dalam divisi DS yang sama, kesenjangan bonus antara bisnis memori dan divisi umum termasuk pusat penelitian, serta unit bisnis non-memori (System LSI dan Foundry), besar, dan seruan untuk perbaikan struktur kompensasi semakin keras.