Samsung dan SK Hynix investasi 2.000 triliun Won untuk membangun pabrik wafer! Taruhan besar pada semikonduktor selama 10 tahun ke depan, Gwangju menjadi pemenang terbesar.

三星與SK集團準備在未來十年投入2,000兆韓元（約1.3兆美元），打造韓國西部半導體超級叢聚。
（前情提要：DRAM 準備暴漲！三星罷工投票結束，現在買黃金不如買記憶體？）
（背景補充：GraniteShares 將推美股首檔「SK 海力士 2 倍槓桿 ETF」，程式碼 $SKUU 曝光）

本文目錄

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• 投資分布：光州、忠清南道、忠清北道三大據點
• 韓國股市的「先跌後漲」邏輯
• 臺灣角度：同樣的半導體豪賭，不同的出廠牌
• 時間軸與產業影響

三星集團與SK集團準備在近期公布一項龐大投資計畫——未來十年內，兩家企業合計將在韓國本土投入高達2,000兆韓元（約1.3兆美元），大規模擴建半導體製造能力。

這項投資規模創下韓國企業史上的最高紀錄，也是韓國總統李在明旗艦產業戰略的核心支柱。《韓國經濟日報》2026年6月29日率先報導，兩家巨頭將各自在光州地區建設4至5座半導體工廠，打造韓半島西部的「半導體超級叢聚」。

投資分布：光州、忠清南道、忠清北道三大據點

根據報導，兩家巨頭的投資部署如下：

• 三星電子：光州4至5座晶圓廠、忠清南道封裝廠
• SK海力士：光州4至5座晶圓廠、忠清北道NAND擴廠

光州同時成為兩家巨頭的兵家必爭之地，意味著未來十年該地區將迎來前所未有的半導體產能擴張。分析師指出，光州得天獨厚的地理位置與政府補貼政策，使其成為韓國西部半導體走廊的核心樞紐。

韓國股市的「先跌後漲」邏輯

投資訊息公布前夕，KOSPI 綜合指數一度下跌逾3%，三星電子與SK海力士分別下跌約5%與4.5%。市場解讀為「大型投資計畫預示產能擴張，短期資本支出增加將拖累獲利」。但首爾 NH 投資證券指出，本次投資的受益板塊不僅限於半導體本身——特種電力裝置、電網基建、建築工程三大產業鏈將直接受惠。

尤金證券分析師 Huh Jae-Hwan 表示：「韓國本土股市的核心問題是除半導體外缺乏具競爭力的替代賽道。這次大型產業專案正好填補了這一缺口。」截至目前，KOSPI 今年已上漲約 93%。

臺灣角度：同樣的半導體豪賭，不同的出廠牌

臺灣半導體產業同樣處於產能擴張週期。臺積電 2026 年資本支出達 1.6 兆新臺幣（約 510 億美元），三星與 SK 海力士各自十年 1,000 兆韓元（約 650 億美元）的投資規模，已逼近臺積電五年投資總額。若將兩家合併計算，2,000 兆韓元的總額甚至超過臺積電十年投資計畫。

這反映出全球記憶體市場的競爭邏輯——三星與 SK 海力士合計佔全球 DRAM 市佔率逾 70%、NAND 市佔率逾 50%。要維持領先優勢，持續的資本支出是唯一選項。而這次「千億級」投資計畫，也意味著兩家公司將把資源更集中投向先進製程與 HBM（高頻寬記憶體）領域。

時間軸與產業影響

本次投資計畫的公布時間點值得關注——6月29日正值四大央行（聯準會、歐洲央行、英國央行、加拿大央行）聚首辛特拉論壇的前夕，全球市場焦點高度集中。三星與 SK 集團選擇此時宣布，有意識地將韓國半導體擴張與全球貨幣政策敘事連結在一起。

對臺灣投資人而言，這也提供了觀察韓國半導體供應鏈的切入點。光州與忠清道的新廠建設，意味著未來兩三年的建築工程、裝置安裝、電力基礎設施需求將大幅攀升。若臺灣裝置供應商能切入供應鏈，這波投資潮同樣是實質利多。