Samsung Ungkap Peta Jalan Memori AI zHBM, zNAND-O, dan V10 BV-NAND di FMS 2026

Samsung Electronics memperkenalkan portofolio memori AI generasi berikutnya di konferensi Future of Memory and Storage (FMS) 2026 di Santa Clara, California, dengan memaparkan peta jalan teknologi komprehensif yang dirancang untuk memenuhi tuntutan komputasi berperforma tinggi dan infrastruktur kecerdasan buatan yang terus meningkat. Perusahaan tersebut memamerkan sekitar 30 teknologi memori dan penyimpanan di stan yang terinspirasi oleh server cloud AI. Para eksekutif Jin-Yub Lee, Executive Vice President dan Head of Flash Product & Technology, serta Kyungryun Kim, Vice President of the DRAM Design Team, menyampaikan keynote pembuka berjudul “Driving the Wave of AI Revolution: 3D Innovations in Memory & Storage Architecture.” Pengumuman ini menjawab kebutuhan akselerator AI dan infrastruktur pusat data yang berkembang pesat melalui arsitektur memori vertikal serta kemampuan manufaktur canggih.

Samsung Memperkenalkan Arsitektur Memori Vertikal zHBM dan zNAND-O

Samsung memperkenalkan zHBM, yang menumpuk memori bandwidth tinggi secara vertikal tepat di atas akselerator AI, alih-alih menempatkannya di samping chip. Samsung menyatakan bahwa desain ini meminimalkan jarak yang harus ditempuh data, menghasilkan performa sekitar delapan kali lipat dibandingkan HBM5, densitas memori lebih dari sepuluh kali lipat, dan efisiensi energi tiga kali lipat, sekaligus mengurangi resistansi termal hingga lebih dari setengahnya. Arsitektur ini mendukung integrasi kekayaan intelektual khusus di antara lapisan, sehingga memungkinkan solusi yang disesuaikan untuk akselerator tertentu. Samsung juga memperkenalkan zNAND-O, solusi berbasis V-NAND yang dikembangkan dalam varian empat dan delapan lapis, yang menggabungkan efisiensi penggunaan ruang yang tinggi dengan latensi rendah untuk beban kerja AI edge secara real-time.

Samsung Mengumumkan V10 BV-NAND dengan Lebih dari 400 Lapis dan Peta Jalan Produksi

Samsung mengumumkan V10 BV-NAND, arsitektur Bonding V-NAND pertama di industri yang dimungkinkan oleh teknologi bonding wafer baru. Dengan lebih dari 400 lapis, perangkat ini meningkatkan densitas memori sekitar 58 persen dibandingkan generasi V9 sebelumnya, sekaligus meningkatkan performa baca, tulis, dan I/O. Pencapaian ini hadir 13 tahun setelah Samsung memperkenalkan V-NAND pertama di industri. Setelah memulai produksi massal HBM4 pada Februari, perusahaan mulai mengirimkan sampel HBM4E pada Mei dan memamerkan model HBM5 di FMS 2026. Samsung juga memamerkan LPDDR5X-PIM, memori DDR berdaya rendah pertama di industri yang dilengkapi teknologi processing-in-memory, yang menjalankan komputasi di dalam susunan memori untuk membatasi perpindahan data dan konsumsi daya. Untuk infrastruktur pusat data, solusi penyimpanan enterprise PM1763 dan BM1773 turut ditampilkan. Samsung menyoroti strategi turnkey end-to-end yang menawarkan layanan desain dan manufaktur terintegrasi untuk mempersingkat siklus pengembangan serta mengoptimalkan performa bagi pelanggan semikonduktor AI.

FAQ

Apa yang diperkenalkan Samsung di FMS 2026?
Samsung memperkenalkan portofolio memori AI generasi berikutnya di konferensi Future of Memory and Storage (FMS) 2026 di Santa Clara, California, dengan memamerkan sekitar 30 teknologi memori dan penyimpanan, termasuk zHBM, zNAND-O, dan V10 BV-NAND.

Bagaimana spesifikasi performa teknologi zHBM Samsung?
Samsung menyatakan bahwa zHBM menghasilkan performa sekitar delapan kali lipat dibandingkan HBM5, densitas memori lebih dari sepuluh kali lipat, dan efisiensi energi tiga kali lipat, sekaligus mengurangi resistansi termal hingga lebih dari setengahnya.

Berapa banyak lapis yang dimiliki V10 BV-NAND Samsung?
V10 BV-NAND Samsung memiliki lebih dari 400 lapis dan meningkatkan densitas memori sekitar 58 persen dibandingkan generasi V9 sebelumnya, sekaligus meningkatkan performa baca, tulis, dan I/O.