€43,01
-€1,33(-3,00 %)
*Données dernièrement actualisées : 2026-05-18 15:16 (UTC+8)
Au 2026-05-18 15:16, Roundhill Memory ETF (DRAM) est coté à €43,01, avec une capitalisation boursière totale de €0,00, un ratio cours/bénéfices (P/E) de 0,00 et un rendement du dividende de 0,00 %. Aujourd'hui, le cours de l'action a fluctué entre €42,53 et €46,17. Le prix actuel est de 1,13 % au-dessus du plus bas de la journée et de 6,84 % en dessous du plus haut de la journée, avec un volume de trading de --. Au cours des 52 dernières semaines, DRAM a évolué entre €42,53 et €46,17, et le prix actuel est à -6,84 % de son plus haut sur 52 semaines.
Statistiques clés de DRAM
Clôture d’hier€0,00
Capitalisation du marché€0,00
Ratio P/E0,00
Rendement des dividendes (TTM)0,00 %
Actions en circulation0,00
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Micron Technology (NASDAQ : MU) Dernières actualités et analyse de la tendance du cours de l’actionAnalyse approfondie de Micron Technology (NASDAQ : MU), qui examine les activités récentes de l’entreprise, l’influence de la demande de mémoire alimentée par l’IA sur la performance boursière, les perspectives du marché et les opportunités d’investissement futures potentielles, apportant des repères essentiels aux investisseurs à long terme.2026-01-16
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FAQ de Roundhill Memory ETF (DRAM)
Quel est le cours de l'action Roundhill Memory ETF (DRAM) aujourd'hui ?
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Roundhill Memory ETF (DRAM) s’échange actuellement à €43,01, avec une variation sur 24 h de -3,00 %. La fourchette de cotation sur 52 semaines est de €42,53 à €46,17.
Quels sont les prix le plus haut et le plus bas sur 52 semaines pour Roundhill Memory ETF (DRAM) ?
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Quel est le ratio cours/bénéfice (P/E) de Roundhill Memory ETF (DRAM) ? Que signifie-t-il ?
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Quelle est la capitalisation boursière de Roundhill Memory ETF (DRAM) ?
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Quel est le bénéfice par action (EPS) trimestriel le plus récent pour Roundhill Memory ETF (DRAM) ?
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Faut-il acheter ou vendre Roundhill Memory ETF (DRAM) maintenant ?
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Quels sont les facteurs pouvant influencer le cours de l’action Roundhill Memory ETF (DRAM) ?
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Comment acheter l'action Roundhill Memory ETF (DRAM) ?
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Roundhill Memory ETF (DRAM) Dernières Actualités
2026-05-18 06:25La section « actions de contrats de porte » lancera le 18 mai les contrats perpétuels DRAM, HIMS, SHLD, IWM et FLNC, avec un levier allant de 1 à 20x, pour des transactions sur marge.Gate News 消消息, selon l’annonce officielle de Gate du 18 mai 2026
La section actions de contrats de Gate lancera le 18 mai 2026 à 14:30 (UTC+8) le trading au comptant (perp) des contrats réels de DRAM (ETF sur la puce de stockage de type Lenchir), HIMS (Santé Hims), SHLD (ETF mondial X sur la technologie de la défense), IWM (ETF du Rassell 2000 de BlackRock), FLNC (énergie de France) en mode contrats perp, avec prise en charge du règlement en USDT, offrant des opérations Long et Short avec un levier de 1 à 20 fois.
DRAM est le premier ETF au monde exclusivement axé sur les puces de mémoire. Il détient des positions importantes dans des géants du stockage tels que Micron, SK hynix et Samsung Electronics, et se concentre sur la mémoire DRAM, la NAND et la mémoire à bande passante élevée HBM. HIMS est une plateforme américaine de télémédecine en ligne à distance. SHLD suit passivement l’indice mondial de l’industrie de la défense, avec des positions importantes dans les entreprises américaines de l’armement. IWM suit l’indice Russell 2000 et couvre 2 000 entreprises américaines de croissance à moyenne et petite capitalisation. FLNC est un leader mondial des systèmes de stockage d’énergie, dont l’activité principale concerne des équipements de stockage d’énergie à grandes batteries lithium.2026-05-18 06:11Nvidia devrait dépasser Apple en tant que plus grand utilisateur de LPDDR d’ici 2027, la capacité pouvant atteindre 6,041 milliard de GoD’après Hana Securities et Citrini Research, Nvidia devrait devenir le plus grand utilisateur de DRAM à faible consommation (LPDDR) en 2027, porté par la forte hausse de la demande de serveurs d’IA. La capacité de LPDDR de Nvidia est estimée à passer de 3,144 milliards de GB en 2026 à 6,041 milliards de GB en 2027, dépassant Apple et Samsung Electronics, et représentant 36% de l’offre mondiale totale. Les analystes ont attribué ce changement à des systèmes d’IA plus récents comme la Vera Rubin de Nvidia, qui consomment nettement plus de mémoire que les appareils traditionnels.2026-05-16 15:21Un investisseur particulier achète 55 parts du nouvel ETF sur la mémoire d’IA le 11 mai, en y allouant 7% de son portefeuille à la DRAMLe 11 mai, Brian Emes, un responsable de magasin de détail âgé de 43 ans à Lethbridge, en Alberta, a acheté 55 actions du Roundhill Memory ETF (DRAM), qui n’avait été lancé qu’au début du mois d’avril. La position représente désormais environ 7 % de son portefeuille, ce qui en fait un pari concentré sur l’intelligence artificielle et les valeurs des puces mémoire.
Emes a effectué cet achat à partir de discussions sur des fils Reddit et de vidéos YouTube mettant en avant la demande dopée par l’IA pour les puces mémoire, qu’il voyait comme une opportunité de trading qu’il ne pouvait pas se permettre de manquer.2026-05-15 12:58L’évolution des agents IA provoque une pénurie de DRAM à 30-50%, un prochain pic de prix se profile en 2027 : Guotai HaitongD’après Guru Club, le 15 mai, une étude de Guotai Haitong Securities a révélé que l’inflation des chaînes d’approvisionnement alimentée par l’IA remodèle l’allocation des semi-conducteurs. Les pénuries traditionnelles d’approvisionnement en DRAM ont atteint 30-50%, les prix grimpant à mesure que les accélérateurs d’IA se disputent les ressources HBM. Pendant ce temps, Amazon AWS et Google Cloud ont mis fin à leur baisse de tarification sur deux décennies pour augmenter leurs frais, signalant que la pression sur les coûts se répercute en aval jusqu’aux consommateurs.
L’évolution de l’IA Agent, du chat vers l’action, devrait déclencher le prochain cycle d’inflation. La consommation de tokens a bondi de 300 fois entre 2024 et 2025, chaque tâche d’Agent nécessitant des dizaines de fois plus de calculs en back-end que le chat classique. Cela stimulera une croissance exponentielle de la demande en HBM, mais l’expansion de l’offre se heurte à des goulets d’étranglement liés à la consommation de plaquettes et à des contraintes de rendement, sans soulagement significatif des capacités attendu avant 2027-2028.2026-05-13 06:31Samsung prévoit une production de masse au T4 d’unités mémoire pour serveurs d’IA CXL 3.1D’après The Korea Herald, Samsung Electronics prévoit de lancer la production en masse de ses modules mémoire CXL 3.1 pour des serveurs d’IA au quatrième trimestre, après des expéditions d’échantillons au troisième trimestre. Le module CMM-D 3.1 combine de la DRAM et un contrôleur CXL sur une seule carte, avec un support jusqu’à 1 téraoctet et une bande passante de 72 gigaoctets par seconde sur PCIe 6.0. Samsung avait auparavant expédié des échantillons CXL 2.0 à plus de 40 entreprises, dont Microsoft et Amazon.
