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Gagner près de 400 millions par jour, passer de 36,6 milliards de pertes à la quatrième place mondiale, la relance de l'IPO de Changxin Technology
Le 17 mai, ChangXin Technology a mis à jour le prospectus d’introduction en bourse sur le marché STAR, reprenant l’examen de la cotation.
La donnée la plus remarquable du prospectus est le bénéfice net du premier trimestre 2026 de 33,012 milliards de yuans, ce qui équivaut à environ 4 milliards de yuans par jour.
Le bénéfice net attribuable aux actionnaires sur un seul trimestre représente déjà environ 13 fois le bénéfice net attribuable aux actionnaires pour toute l’année 2025 de 1,875 milliard de yuans.
L’espace de marché général laissé par les trois géants
La DRAM est la catégorie la plus courante dans les puces de stockage, et c’est aussi le domaine où la hausse des prix a été la plus violente lors de cette dernière vague. Selon TrendForce, le prix contractuel de la DRAM au premier trimestre 2026 a été révisé à la hausse de 93% à 98% par rapport au trimestre précédent, la flambée des prix étant principalement alimentée par la mémoire à haute bande passante HBM.
L’expansion rapide des infrastructures d’IA stimule la demande d’une seule serveur d’IA standard pour la DRAM à atteindre 8 à 10 fois celle d’un serveur ordinaire, et pour la mémoire haute performance HBM destinée aux cartes d’accélération IA, la croissance de la demande dépasse largement celle de la DRAM générale.
Samsung, SK Hynix et Micron, les trois géants mondiaux de la DRAM, ont transféré une grande partie de leur capacité de production de nœuds avancés de la DRAM générale vers la HBM. La HBM est essentiellement une DRAM empilée, mais avec un procédé plus avancé et une marge brute plus élevée, SK Hynix affichant une marge opérationnelle de 72%.
Le coût direct de ce transfert de capacité est une grave pénurie de l’offre de DRAM généraliste comme DDR4, DDR5.
Le Centre de surveillance des prix de la Commission nationale de développement et de réforme a publié en février cette année une confirmation que, de septembre 2025 à février 2026, la pénurie mondiale de mémoire s’aggravait continuellement, et en janvier cette année, le prix de la DRAM a atteint le plus haut niveau depuis 2016.
L’essentiel est que la conversion des lignes de production HBM est longue, et que les trois géants ont déjà verrouillé leur capacité de production de nœuds avancés dans la HBM en 2025, avec une capacité HBM épuisée dès 2026, ce qui ne peut être inversé à court terme. Le marché prévoit que le prix contractuel de la DRAM au deuxième trimestre continuera d’augmenter de 58% à 60% par rapport au trimestre précédent.
La principale source de profit de ChangXin Technology est la DRAM générale, sans activité HBM. La croissance de la rentabilité lors de cette dernière vague provient du fait que les trois géants ont volontairement cédé une partie de leur espace de marché généraliste pour poursuivre la haute marge de la HBM.
Capacité de production mondiale classée quatrième
Dans cette flambée des prix, ChangXin Technology a réalisé une explosion de ses performances grâce aux conditions fondamentales suivantes : capacité presque pleinement utilisée, produits couvrant les principales spécifications, clients principalement des principaux fournisseurs cloud nationaux.
Actuellement, la société possède trois usines de wafers de DRAM de 12 pouces à Hefei et Beijing, ce qui la place au quatrième rang mondial en capacité, et première en Chine. Selon le prospectus, le taux d’utilisation de la capacité est passé de 87,06% en 2023 à 95,73% en 2025, approchant la pleine capacité.
En 2025, le chiffre d’affaires principal comprenait 31,87% de la série DDR, principalement avec DDR5 comme moteur de croissance, et 66,43% pour la série LPDDR, principalement LPDDR5/5X.
La marge brute de la série DDR en 2025 est de 41,89%, celle de la série LPDDR est de 37,25%, et la marge brute globale est de 41,02%. En comparaison, la marge brute de la série DDR en 2023 était négative à -108,76%, illustrant clairement l’impact de la hausse des prix.
De 2023 à 2025, le chiffre d’affaires de la société a été respectivement de 9,087 milliards de yuans, 24,178 milliards, et 61,799 milliards, avec un taux de croissance annuel composé de 160,78%. Les prévisions pour le premier semestre 2026 indiquent un chiffre d’affaires de 1100 à 1200 milliards de yuans, avec un bénéfice net attribuable aux actionnaires de 50 à 57 milliards.
Selon les données de vente de DRAM du quatrième trimestre 2025, la part de marché mondiale de ChangXin est de 7,67%, tandis que les trois géants détiennent ensemble plus de 90% du marché mondial, avec Samsung à 36,6%, SK Hynix à 32,9% et Micron à 22,9%.
Au premier trimestre 2026, le bénéfice net attribuable aux actionnaires s’élève à 24,762 milliards de yuans, ce qui le place derrière Samsung (environ 2150 milliards), SK Hynix (environ 1837 milliards) et Micron (environ 939 milliards) parmi les principaux fabricants mondiaux de mémoire.
Une élasticité des profits alimentée par les prix
La récente explosion des profits est principalement due aux prix du secteur, et non à une optimisation fondamentale de la structure des coûts.
La DRAM est un secteur cyclique à forte intensité d’actifs, avec des coûts fixes très élevés, principalement liés à l’amortissement des équipements. Selon le prospectus, l’amortissement en 2025 s’élève à 24,68 milliards de yuans, soit 2,3 fois celui de 2023.
Les dépenses d’investissement en capital de 2023 à 2025 ont été respectivement de 43,7 milliards, 71,2 milliards et 49,7 milliards de yuans. À la fin 2025, la perte cumulée atteignait 36,65 milliards de yuans, principalement en raison de l’amortissement élevé durant la phase de construction massive initiale.
Une caractéristique inhérente aux industries cycliques à forte intensité d’actifs est que, lorsque les prix sont élevés, après couverture des coûts fixes, la quasi-totalité des profits additionnels se transforme en bénéfices nets, avec un effet de levier très élevé ; lorsque les prix chutent, les profits disparaissent à la même vitesse, car les coûts fixes ne diminuent pas avec le prix.
Chaque cycle de surcapacité des trois géants a historiquement conduit à d’énormes pertes dans l’industrie, et la période de pertes de ChangXin de 2022 à 2024 est une manifestation directe du dernier cycle baissier.
Les analystes prévoient que cette phase de prospérité pourrait durer jusqu’à la mi-2027, en raison de la pression structurelle continue de la transition vers la HBM sur la DRAM générale, et de la retenue des trois géants dans l’expansion de la capacité de la DRAM générale.
Mais après 2027, si la demande pour les serveurs IA ralentit ou si les trois géants ajustent leur stratégie de capacité, l’équilibre entre l’offre et la demande pourrait à tout moment être à nouveau rompu.
Expansion et positionnement technologique durant le cycle
Le choix de relancer cette IPO s’appuie sur une logique claire : le cycle de prospérité est toujours en cours, la société dispose d’un flux de trésorerie abondant, et la fenêtre d’évaluation du marché des capitaux est ouverte.
Elle prévoit de lever 29,5 milliards de yuans, ce qui en ferait la deuxième plus grande opération de financement sur le marché STAR, avec des fonds destinés à la modernisation et à l’expansion de la production de lignes de fabrication de wafers de mémoire (75 milliards), à la mise à niveau technologique de la DRAM (130 milliards), et à la recherche en technologies de pointe (90 milliards). L’objectif principal est d’accroître la capacité, d’améliorer le procédé et de promouvoir la R&D sur la HBM.
Le procédé de production actuel est basé sur le nœud de 16 nm, et en l’absence de machines de lithographie EUV, la poursuite du processus reste une contrainte clé, avec encore un écart par rapport à Samsung et Hynix, qui utilisent des nœuds inférieurs à 12 nm.
L’adoption de DDR5 résulte de l’itération du procédé, et la part de marché mondiale de DDR5 de ChangXin a atteint 3,97% au deuxième trimestre 2026. La HBM est la ligne de produits où l’écart avec les géants internationaux est le plus grand, et aussi celle avec la marge bénéficiaire la plus élevée. Samsung et Hynix ont déjà lancé la production en série, Micron suit.
Actuellement, ChangXin concentre sa production sur les séries DDR4, DDR5 et LPDDR, tandis que des échantillons de HBM3 ont été livrés à des clients locaux comme Huawei. La production en série est prévue pour la fin 2026 dans une usine de packaging à Shanghai, ce qui reste 2 à 3 générations derrière les leaders du secteur.
TrendForce prévoit qu’en 2027, la HBM représentera plus de 35% du chiffre d’affaires mondial de la DRAM, contre environ 12% en 2024. Les fabricants incapables de produire de la HBM verront leur part de marché comprimée dans ce segment à forte croissance.
Cela explique aussi pourquoi une partie des fonds levés, 9 milliards de yuans, est spécifiquement consacrée à la recherche en technologies de pointe. Transformer le financement du marché en investissements technologiques durant le cycle est l’une des principales logiques de cette relance de l’IPO.
De bénéficiaire cyclique à concurrent mondial
Le secteur est toujours en phase de prospérité, avec ChangXin à pleine capacité et des prix élevés, ce qui maintient la rentabilité. Après la mise en œuvre des capacités financées, cette période reste la fenêtre la plus risquée pour un retournement du cycle.
Omdia prévoit qu’en 2030, la taille du marché mondial de la DRAM atteindra 571 milliards de dollars, avec un taux de croissance annuel composé de 30,56%, le marché continuant de s’étendre, tout comme la concurrence.
La DRAM générale est un marché mature, tandis que la HBM et le stockage haut de gamme pour centres de données IA représentent des segments à forte valeur ajoutée. La capacité de ChangXin à atteindre la production en série de HBM3/3E d’ici 2028 sera un facteur clé pour sa position compétitive à long terme.
Le marché mondial de la DRAM est dominé par trois entreprises étrangères depuis plus de trente ans. La stabilité de ce monopole ne repose pas sur des questions technologiques, mais sur les exigences très élevées en termes de capital, de processus et de profondeur de la chaîne d’approvisionnement.
Depuis l’implantation à Hefei en 2016, la participation indirecte de la société via Hefei Urban Construction et d’autres entités publiques en tant qu’actionnaires a été un des investissements industriels continus. Aujourd’hui, avec une quatrième place mondiale et un bénéfice net trimestriel parmi les quatre premiers, cette transformation n’a pas été facile.
Le profit élevé à court terme provient du cycle, mais la capacité de production et la technologie qui soutiennent cette rentabilité sont le fruit d’un investissement soutenu sur la dernière décennie.
Pour l’industrie chinoise du stockage, entrer dans la compétition mondiale n’est que la première étape. La poursuite de la percée dans le stockage de haute gamme déterminera la trajectoire future.
Cette IPO n’est pas seulement une opération de financement, mais aussi une étape cruciale pour ChangXin dans sa progression vers la prochaine phase de compétition.