تعتزم Micron مضاعفة طاقة HBM بحلول نهاية العام، والسهم يقفز 6.1%

أعلنت Micron Technology خططاً لتوسيع طاقتها الإنتاجية من الذاكرة ذات النطاق الترددي العالي بشكل كبير بحلول نهاية 2026، مستهدفةً مضاعفة الإنتاج إلى نحو 100,000 رقاقة شهرياً. وبلغ إنتاج الشركة من HBM العام الماضي نحو 40,000 إلى 50,000 رقاقة شهرياً. وتزيد Micron طلبات الشراء من عدة مورّدين لمعدات HBM، مع تمركز التصنيع بشكل رئيسي في مصانعها في تايوان وسنغافورة، فيما تواصل تسريع نشر المعدات. ويهيمن حالياً إنتاج HBM3E ذات 12 طبقة، بينما شكّلت HBM4 ذات 12 طبقة نحو 20% إلى 30% في بداية هذا العام، وقد ترتفع إلى 50% كحد أقصى بحلول نهاية العام. وستُستخدم HBM4 ذات 12 طبقة في مسرّع الذكاء الاصطناعي الأحدث من NVIDIA، Vera Rubin، الذي بدأت Micron إنتاجه بكميات كبيرة في الربع الثاني من هذا العام. وفي يونيو، قال الرئيس التنفيذي لـ Micron، Mehrotra، خلال مؤتمر إعلان نتائج الربع الثالث للسنة المالية 2026، إن سرعة زيادة إنتاج HBM4 ذات 12 طبقة تبلغ نحو ضعف سرعة HBM3E ذات 12 طبقة، وإن الإيرادات التراكمية من شحنات HBM تجاوزت 1 مليار دولار. ووفقاً لبيانات Counterpoint، بلغت الحصة العالمية من سوق HBM في الربع الثاني 50% لـ SK Hynix، و32% لـ Samsung، و18% لـ Micron. وتشير تقديرات القطاع إلى أن طاقة HBM لدى كل من Samsung وSK Hynix تبلغ نحو 150,000 إلى 200,000 رقاقة شهرياً. كما أعلنت Micron تفاصيل مكافآت الموظفين، ما عزز معنويات المستثمرين أكثر. وقد بيع كامل معروض الشركة من HBM3E لعام 2026 بالفعل بموجب عقود طويلة الأجل. وقفز سهم MU بنسبة 6.10% متصدراً مكاسب السوق الأمريكية، فيما ارتفع SK Hynix بنسبة 3.19% وSKHY بنسبة 8.12%.