$DRAM يواصل جذب اهتمام قوي في السوق، مع نشاط تداول مرتفع يسلّط الضوء على الاهتمام المتزايد بقطاع الذاكرة.

سأراقب حجم التداول وحركة السعر والزخم عن كثب بحثًا عن مؤشرات على التحرك الكبير التالي.

مورغان ستانلي: ستصل الطاقة الإنتاجية لرقائق DRAM وNAND في الصين إلى 50 مليون رقاقة بحلول 2028، مما سيعيد تشكيل الإمدادات العالمية

وفقًا لمورغان ستانلي، فإن مصنّعي الذاكرة في الصين، وتحديدًا تشانغشين ويانغتسي ميموري، على وشك تغيير ديناميكيات إمدادات أشباه الموصلات العالمية بشكل جوهري بحلول 2028. ويتوقع التقرير أن تتوسع الطاقة الإنتاجية الشهرية لرقائق DRAM لدى تشانغشين من 18 مليون وحدة في 2025 إلى 50 مليونًا بحلول 2028، ما قد يمنحها حصة قدرها 15% من شحنات بتات DRAM العالمية، متجاوزةً ميكرون لتصبح ثالث أكبر مورّد لرقائق DRAM.

ورغم أن الطلب على الذكاء الاصطناعي خلال 2026-2027 وقيود إنتاج HBM قد تستوعب الطاقة الإنتاجية الجديدة في الصين، فإن 2028 تمثل نقطة تحوّل حرجة. ومع توسّع تشانغشين في الإنتاج وبدء مصانع يانغتسي ميموري الجديدة عملياتها بالتزامن مع إضافات الطاقة الإنتاجية لدى المورّدين العالميين الحاليين، قد تواجه صناعة الذاكرة ضغوطًا كبيرة على جانبي العرض والطلب. ويتوقع مورغان ستانلي أن يتحول السوق من نقص يتراوح بين 15-17% في 2027 إلى فائض محتمل في المعروض إذا تباطأ نمو الطلب، ما سيعيد تشكيل هيكل أرباح الصناعة وانضباط التسعير بشكل جوهري.