نجحت تقنية «الذاكرة الكمية السريعة» التي اخترعتها الصين في بناء بنية «التوحيد» المتشاركة في المصرف-القناة-المصدر لأول مرة، حيث تم رصد سلوك تخزين غير متطاير بوضوح لِإلكترون واحد في ظروف درجة حرارة الغرفة.

robot
إنشاء الملخص قيد التقدم
خبر من Mars Finance: نشرت مجموعة البحث التي يقودها تشو بنغ–ليو تشون سين من فريق كلية الابتكار في الدوائر المتكاملة والإلكترونيات الدقيقة في المختبر الوطني للبحوث الرئيسية للدوائر المتكاملة والإلكترونيات الدقيقة بجامعة فودان، في وقت فجر 17 يوليو/تموز بتوقيت بكين، إنجازاً رائداً في مجلة «ساينس» (Science). نجحت تقنية «الفلاش الكمي» (Quantum Flash) التي اخترعوها في بناء بنية «归壹» (ذِيوي) المتوافقة ظاهرياً لهيكل المصرف–القناة–المصدر، إذ رصدوا لأول مرة وبوضوح سلوك التخزين غير المتطاير لِـ«إلكترون واحد» في بيئة درجة حرارة الغرفة (27℃). وهذا لا يكتفي بكسر الاعتقاد التقليدي القائل إن «تخزين الإلكترون الواحد» لا يمكن تحقيقه، بل يفتح منظومة نظرية جديدة تماماً لتخزين الإلكترونات الكمية. كما يضع أساساً نظرياً حاسماً لثورة قدرات الحوسبة في عصر الذكاء الاصطناعي. وعزّزت هذه الدراسة كثافة المعلومات القابلة للتخزين للشحنات إلى الحد النظري الأقصى، محققةً «إلكترون واحد يساوي بتاً واحداً»، كما توفر أساساً تقنياً جديداً لتطوير ذاكرات عالية الكثافة تلبيةً لمتطلبات الذكاء الاصطناعي العام (AGI). حالياً، قام الفريق بربط سلسلة العمل كاملة بشكل منهجي من المواد الأساسية، وابتكار الأجهزة، وصولاً إلى تكامل الشرائح عالية المستوى والتطبيقات: «破晓» تحقق اختراقاً في سرعة الوصول والقراءة/الكتابة، و«归壹» تحل حدّ الكثافة، و«长缨» تكمّل التحقق الأولي لرقاقة أولية متوافقة مع عملية السيليكون الحالية لِـCMOS. (منصة جيايشبو/澎湃新闻)
شاهد النسخة الأصلية
قد تحتوي هذه الصفحة على محتوى من جهات خارجية، يتم تقديمه لأغراض إعلامية فقط (وليس كإقرارات/ضمانات)، ولا ينبغي اعتباره موافقة على آرائه من قبل Gate، ولا بمثابة نصيحة مالية أو مهنية. انظر إلى إخلاء المسؤولية للحصول على التفاصيل.
  • أعجبني
  • تعليق
  • إعادة النشر
  • مشاركة
تعليق
إضافة تعليق
إضافة تعليق
لا توجد تعليقات
  • مُثبت