رأي غولدمان ساكس: يُظهر سوق التخزين تغيّرًا هيكليًا، حيث يُعدّ استبدال جزء من NAND للـ DRAM بهدف خفض التكاليف اتجاهًا فعليًا.

BlockBeats، 16 يوليو، استشهد محلل Citirni، Jukan، بملاحظات لوحة داخلية لقطاع الذاكرة خلال مكالمة جولدمان الشهرية—حيث أبدى العملاء مقاومة قوية لارتفاع أسعار DRAM بنحو 30% قريباً، ما دفع إلى خفض طفيف لتوقعات نمو أسعار DRAM في الربع الثالث. وفي الوقت نفسه، أصبحت آفاق NAND أكثر تفاؤلاً—إذ ما تزال متطلبات تفريغ KV Cache المرتبطة بالذكاء الاصطناعي تتجاوز التوقعات، إلى جانب ظهور اتجاه ناشئ في السوق يستخدم NAND بديلاً عن DRAM المكلف، ما يعزز الطلب على NAND أكثر. ويتوقع المحللون نظرة إيجابية على نتائج SK Hynix للربع الثاني، مع تقدير للإيرادات بنحو 85 تريليون وون كوري، وهامش ربح إجمالي مرتفع يصل إلى 63%، وتشمل الشركات ذات الصلة SK Hynix وMicron وSanDisk.

وتكشف الملاحظات أيضاً عن تحولات هيكلية في سوق التخزين. ففي السابق، أدى الانفجار في الطلب على HBM من خوادم الذكاء الاصطناعي إلى قفز أسعار DRAM، لكن عندما وصل الارتفاع إلى 30% بدأت مقاومة العملاء للزيادات السعرية مرة أخرى، ما يجعل ميل تسارع رفع الأسعار يواجه تباطؤاً مرحلياً. وفي المقابل، تستحوذ NAND على دور جديد ضمن البنية التحتية للذكاء الاصطناعي—إذ إن KV Cache حاسم في سيناريوهات الاستدلال، ويصبح استبدال جزء من DRAM المكلف باستخدام NAND الأقل تكلفة لتخفيض التكاليف اتجاهاً عملياً. كما تعني هذه التفرقة أن دوران الأموال داخل سلسلة صناعة التخزين قد يستمر، وعلى المستثمرين أن يتعاملوا بحذر أكبر مع توقعات الأرباح قصيرة الأجل للشركات المرتبطة بـ DRAM، بينما قد لا تكون التحسينات الأساسية لدى NAND قد تم تسعيرها بالكامل بعد.