🚨تذكر وسائل الإعلام الكورية أن شركة "CXMT" الصينية تختبر حالياً خط إنتاج تجريبي لذاكرة الوصول العشوائي المترابطة في خفي، بهدف إنتاج ذاكرة DRAM عالية الأداء دون استخدام تقنية الطباعة الحجرية بالأشعة فوق البنفسجية الشديدة (EUV).

ذاكرة DRAM المترابطة هي تقنية يتم فيها تصنيع مصفوفة خلايا الذاكرة والدوائر المحيطة على رقاقات منفصلة ثم يتم ربطها معًا. يتيح هذا النهج إنتاج ذاكرة DRAM فائقة الكثافة باستخدام تقنية الطباعة الحجرية بالأشعة فوق البنفسجية العميقة (DUV) فقط مع النمذجة المتعددة، مما يلغي الحاجة إلى أدوات EUV.

تعمل شركة سامسونج للإلكترونيات على تطوير ذاكرة DRAM المترابطة الخاصة بها ضمن مشروع "B1b"، بينما تسعى شركة SK هاينكس إلى تطوير تقنية مماثلة. ومع ذلك، تحذر وسائل الإعلام الكورية من وجود تقديرات تشير إلى أن "CXMT" قد تتفوق حاليًا على منافسيها الكوريين في كل من التقنية نفسها وسرعة التطوير.