تجاوز محصول سامسونج HBM4E 70%، وتسعى عملية DRAM من الجيل التالي D1d للحصول على موافقة الاستعداد للإنتاج في نوفمبر.

في 1 يوليو، أعلنت شركة سامسونج للإلكترونيات عن تقدم في تطوير HBM4E (الجيل السابع) وذاكرة DRAM من الجيل التالي بعد أن أصبحت أول شركة في العالم تنتج HBM4 (الجيل السادس) بكميات كبيرة. صرح سونغ جاي-هيوك، رئيس التكنولوجيا في قسم DS في سامسونج ورئيس معهد أبحاث أشباه الموصلات، خلال اجتماع تحديث الأعمال الداخلي في 30 يونيو أن نسبة نجاح اختبار الموثوقية لـ HBM4E تجاوزت 70%. يعتبر القطاع بشكل عام أن النسبة فوق 80% تشير إلى مرحلة 'نضج مستقر'؛ وبالتالي، فإن النسبة فوق 70% تُرى كعلامة على أن التطوير يدخل نطاقًا مستقرًا. بدأت سامسونج الإنتاج الضخم لـ HBM4 في فبراير من هذا العام وأصدرت علنًا المواصفات الفنية التفصيلية لمنتجات HBM4E ذات 12 طبقة في 29 مايو، وشحنت عينات للعملاء الرئيسيين. سيتم استخدام HBM4 في مسرع الذكاء الاصطناعي Vera Rubin من NVIDIA، الذي من المقرر إطلاقه في النصف الثاني من هذا العام، بينما يُتوقع استخدام HBM4E في مسرع الذكاء الاصطناعي من الجيل التالي Vera Rubin Ultra من NVIDIA، والمقرر إطلاقه العام المقبل. كما يتقدم تطوير عملية DRAM من الجيل التالي لسامسونج بسلاسة. يعتقد سونغ جاي-هيوك أن تقنية عملية D1d تتمتع بمزايا تنافسية على المنافسين ويهدف إلى الحصول على موافقة الجاهزية للإنتاج بحلول نوفمبر. D1d هي عملية DRAM الأساسية التي تخطط سامسونج لتطبيقها بدءًا من الجيل التالي HBM5 (الجيل الثامن)، وإذا سار التطوير كما هو مخطط، فسيؤثر إيجابيًا على تنافسية DRAM من الجيل التالي ومنتجات HBM5 اللاحقة. (Fnnews)
شاهد النسخة الأصلية
قد تحتوي هذه الصفحة على محتوى من جهات خارجية، يتم تقديمه لأغراض إعلامية فقط (وليس كإقرارات/ضمانات)، ولا ينبغي اعتباره موافقة على آرائه من قبل Gate، ولا بمثابة نصيحة مالية أو مهنية. انظر إلى إخلاء المسؤولية للحصول على التفاصيل.
  • أعجبني
  • تعليق
  • إعادة النشر
  • مشاركة
تعليق
إضافة تعليق
إضافة تعليق
لا توجد تعليقات
  • مُثبت