HBM سلسلة تشهد انفجارًا كبيرًا: يونانو آسيا كي، Winbond، شركة شين تشيوان، ADATA، بالإضافة إلى سين ماى جين كلها محللة بدفعة/زخم كامل

2026 年 4 月底，台股記憶體與 HBM 概念股集體爆發，南亞科（2408）打入輝達 Vera Rubin 供應鏈、股價亮燈漲停，帶動 Google Trends 台灣熱搜出現「2408」「高頻寬記憶體」「中美晶」「合晶」「華邦電」連環竄升。本文整理本波 HBM／DRAM 上漲的核心驅動力與台廠各家的具體受惠路徑，方便讀者一次看懂供應鏈位置。

المنطق المحوري: استهلاك AI سيرفرات للذاكرة DRAM العالمية بنسبة 66%

تعود هذه الموجة من المحفزات إلى الطلب المتفجر من مسرعات الذكاء الاصطناعي على HBM (الذاكرة عالية النطاق الترددي). تعتمد HBM على تغليف DRAM مكدّسًا فوق بعضه (stacked)؛ كما أن سعة كل شريحة وعرض النطاق الترددي أعلى بكثير من DDR5 التقليدية، وهي تجهيزات قياسية في مسرعات NVIDIA H100 / H200 / Blackwell / Vera Rubin وغيرها. بعد أن تلتهم سيرفرات الذكاء الاصطناعي نحو 66% من طاقة إنتاج DRAM العالمية، تدخل DDR5 وLPDDR وDRAM المتخصصة (niche) بالكامل في نقص هيكلي — وهذا هو السبب الجذري لارتفاع أسعار الذاكرة الاستهلاكية عكس اتجاه السوق.

南亞科（2408）：DRAM من الفئة القياسية، ودخولها للتو في سلسلة إمداد Vera Rubin

تركّز شركة 南亞科 على DRAM من الفئة القياسية، وفي أواخر أبريل 2026 تسرّبت أن الشركة دخلت في سلسلة إمداد منصة الجيل التالي Vera Rubin من NVIDIA، لتصبح أول شركة تايوانية ضمن القائمة. تتوقع شركات الأوراق المالية أن تضاعف EPS في 2026 بمقدار 9 مرات إلى نطاق 21 يوانًا، وفي 2027 إلى 17 يوانًا، ما يعكس مرونة الأرباح المرتبطة بسحب سلاسل AI. يُعد تقدم الإنتاج على عملية 10 نانومتر (1B) نقطة مراقبة: هل يمكنها اختراق سوق DDR5 السائد أم لا، فهذا يحدد قوة التسعير في المستقبل.

華邦電（2344）：DRAM من الفئة المتخصصة + LPDDR للذكاء الاصطناعي على الحافة

يميل هيكل منتجات 華邦電 إلى الذاكرة المتخصصة (Specialty DRAM) وNOR Flash، مع تركيز رئيسي على السيارات والاستخدامات الصناعية وIoT. تأتي الاستفادة في هذه الموجة من متطلبات الحواسيب والهواتف الذكية المدعومة بالذكاء الاصطناعي على أداء أعلى وكفاءة طاقة أقل لـ LPDDR، ما يرفع اختراق 華邦電 في أجهزة AI على الحافة. يرى السوق أن الشركة هي أصل ثانوي من “الاستفادة غير المباشرة من دون أن تستهلك HBM مباشرة، بل عبر تأثير الإزاحة”.

مصنّعو الوحدات (Modules): 威剛（3260）、十銓（4967）、創見、宇瞻

تحتل شركات تصنيع وحدات الذاكرة (memory modules) نسبة عالية جدًا في التطبيقات المتطورة للحوسبة للألعاب وسيرفرات وتخزين المؤسسات. عندما يحوّل المصنّعون الأصليون (南亞科、美光、SK 海力士、三星) أولويتهم إلى HBM لتحويل السعة، تزيد ضغوط التكلفة على مصنّعي الوحدات للحصول على رقائق DRAM العادية؛ لكن الانعكاس يظهر في أن الزيادة في جانب سعر البيع أسرع، وتوسع هامش الربح الإجمالي أكبر. تواصل 威剛 و十銓 في هذا الربع زيادة نسبة الإيرادات في وحدات الألعاب الراقية.

الطبقة العليا من رقائق السيليكون (wafers): 中美晶、合晶

يتطلب التوسع في HBM وDRAM على حد سواء رقائق سيليكون مقاس 12 بوصة. بعد دخول 南亞科 في سلسلة Vera Rubin من NVIDIA، تستفيد أيضًا 中美晶（5483） و合晶（6182） كموردين لسيلكون الرقائق. يتميز هذا المسار بـ “بدء Capex → ارتفاع طلب الرقائق → ضيق في القدرة الإنتاجية”، وقد سخّنت وتيرة تشغيل 合晶 في هذا الربع بشكل واضح.

نقاط المراقبة في SK 海力士 و三星

ومن بين الثلاثة الكبار الكوريين في DRAM، تتقدم SK 海力士 في HBM من خلال إصدار مكافأة لكل شخص تبلغ حوالي 30 مليون وون تايواني في 2026، ما يعكس قوة التدفقات النقدية من سلسلة AI. وبالمقارنة، فقد تردّد الشهر هذا مرة أخرى عن إضراب في أحد مصانع三星 (ظهور بحث Google Trends في 4/27 لعبارة「三星罷工」)، ما يعني أن ديناميكيات القوى العاملة الداخلية لدى الشركتين الكوريتين ستؤثر مباشرة على إيقاع توريد HBM وDDR5 عالميًا، وبالتالي سترفع بشكل غير مباشر مساحة التعويض للشركات التايوانية.

ليس فقاعة: تزامن دورة الازدهار مع طلب هيكلي للذكاء الاصطناعي

إن الذاكرة بطبيعتها ما تزال سهمًا شديد الدورية، لكن الفرق هذه المرة عن 2017 و2021 يتمثل في أن “الطلب الهيكلي للذكاء الاصطناعي” و"تأثير الإزاحة على DRAM" يعملان على محورين في الوقت نفسه. النقطة التالية للمراقبة هي التقارير المالية للربع الأول 26 لشركات SK 海力士、美光、三星 (ستُنشر تباعًا في أوائل مايو)، وما إذا كان الجدول الفعلي لرفع إنتاج Vera Rubin من NVIDIA سيستمر حتى النصف الأول من 2027. بالنسبة للشركات التايوانية، فإن سخونة هذه الموجة من المرجح أن تستمر على الأقل حتى تقارير الربع الثالث، حيث سيظهر تحقق واضح/إشارة تراجع.

هذه المقالة عن انفجار ضخم لسلسلة HBM: تحليل كامل للزخم لدى 南亞科、華邦電、十銓、威剛、中美晶 ظهرت لأول مرة في 鏈新聞 ABMedia。