SatoshiNotNakamoto

在KIOXIA一年7倍，超越丰田，成为日本第一大股的背后，也有一个最好最坚持的金主。
2018年，贝恩资本牵头一个财团，以约180亿美元收购了存储芯片制造商铠侠（Kioxia，前身为东芝存储）。
2018–2020：从东芝记忆体到“铠侠”
收购完成后，2019 年正式更名为“铠侠（Kioxia）”，完成品牌和公司独立。
东芝保留了约 40% 左右股权，贝恩牵头的财团合计持股约 56%，形成“贝恩财团 + 东芝”的双大股东结构，并计划未来通过 IPO 实现退出。
2020–2023：IPO 反复搁置与并购受阻
铠侠原本计划在 2020 年在东京 IPO，但当时 NAND 周期下行叠加半导体景气回落，估值不理想，加上市场波动，IPO 计划被迫搁置。
之后贝恩也尝试推动与西部数据（WDC）的合并交易，但因 SK 海力士等股东及监管层面阻力，交易最终被否决，退出路径一度陷入僵局。
2024：压低估值也要先上岸的 IPO
贝恩再次启动铠侠的 IPO 进程，最初希望争取约 1.5 兆日元市值，却遭市场“砍价”。
最终铠侠在 2024 年 12 月 18 日于东证 Prime 市场上市，发行价指引区间约 1,390–1,520 日元，对应市值约 7,500–7,840 亿日元，显著低于 2018 年收购时的整体企业价值，也低于贝恩曾尝试推动的更高估值方案。
2024 之后：AI 周期带动 NAN

周末有一期非常值得关注的播客节目，来自陈立武参加No Priors。这也是他接手英特尔后首次播客。
其中有不少值得关注的重点
1️⃣材料学上的变革：
他提到正将投注重心转向先进封装技术EMIB、玻璃基板、以及氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、磷化铟（InP）和人工合成钻石等新材料领域。
2️⃣CPU需求强劲回升
数据中心服务器中CPU与GPU的配比已从过去的1:8向1:4乃至更低演变。
3️⃣Intel的潜力
他预计到2030至2032年，外界将开始真正认识到英特尔的潜力——不仅限于PC客户端的传统基本盘，更将延伸至边缘计算、物理AI与智能体AI等新兴市场。
4️⃣能力整合，提供定制芯片解决方案
英特尔的XPU、先进封装与代工能力若能有效整合，将为不同工作负载提供定制化芯片解决方案，这是他为公司锚定的长期战略方向。
5️⃣Terafab合作
在该合作框架下，马斯克决定自建晶圆厂，英特尔将提供技术和工艺支持，协助其加速推进生产。陈立武表示，他每周都与马斯克团队召开会议，合作进展顺利。

SK海力士 无需多言，内存最强的选择。
还记得第一次买入价格只有700,000，那时候的第一目标是达到1M，眨眼都快3M了。

还有一个其实也相关的新闻“SK 海力士将于今年底实现 375 层 NAND 的量产，并导入钼材料”。
用钼（Mo）代替钨，讨论一直有，SK的量产也代表一种趋势。
这次的产品原本是400 层级，后来修正为 375 层。NAND 闪存通过垂直堆叠数百层存储单元及其控制字线来提升容量；在 375 层产品中，SK 海力士决定在金属栅电极（即字线）中，将部分钨替换为钼。
在高层堆叠 NAND 结构中，钼被视为可以克服钨限制的材料。随着层数上升，线宽变窄，钨在超细结构中的电阻随尺寸缩小而上升，导致信号传输变慢。钼在细线字线结构中的电阻低于钨，有利于加快信号传输，从而提升写入和擦除速度。
此外，钨在沉积前需要先形成阻挡衬里层，每增加一层都会带来有效厚度的损失；而钼可以在无需该辅助层的情况下直接沉积，有助于实现更高密度结构。
不过，引入钼的工艺本身技术难度不低。钼前驱体在室温下为固体，需要通过加热并稳定供给的技术，才能以稳定的流量和用量进行供应。
三星电子则已在其第九代 286 层 3D NAND（于 2024 年 4 月进入量产）中导入钼金属布线。其下一代第十代 3D NAND（层数超过 400 层）计划在今年下半年实现商品化，且三星正在扩大采用钼的工艺步骤数。
用于 3D NAND 的钼材料需求预计将快速增长。业界估计，三星在去年采购或将采购约 4 吨钼，今年约 10 吨；到 2027 年预计

一场钨的出口限制将引发WF6的缺乏。
两家日本厂（关东电化＋中央硝子）合计 WF₆ 产能约 2000–2200 吨/年，占全球供应约 25%。而他们因为缺少原材料，从6月底开始停产WF6。
六氟化钨是 CVD/WCVD 工艺沉积金属钨的核心前驱体，用于接触孔填充（via fill）、金属互连、DRAM 电容和 3D NAND/HBM 结构中的钨层。

可以共情以前大家去日本代购纸尿裤了。
怎么中国产的纸尿裤都危险☢️

好的股票，别做那么多垃圾波段，拿住就好了。引以为戒。
忍不住想交易的时候就去多读点书看看研报做做重训。