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还有一个其实也相关的新闻“SK 海力士将于今年底实现 375 层 NAND 的量产，并导入钼材料”。
用钼（Mo）代替钨，讨论一直有，SK的量产也代表一种趋势。
这次的产品原本是400 层级，后来修正为 375 层。NAND 闪存通过垂直堆叠数百层存储单元及其控制字线来提升容量；在 375 层产品中，SK 海力士决定在金属栅电极（即字线）中，将部分钨替换为钼。
在高层堆叠 NAND 结构中，钼被视为可以克服钨限制的材料。随着层数上升，线宽变窄，钨在超细结构中的电阻随尺寸缩小而上升，导致信号传输变慢。钼在细线字线结构中的电阻低于钨，有利于加快信号传输，从而提升写入和擦除速度。
此外，钨在沉积前需要先形成阻挡衬里层，每增加一层都会带来有效厚度的损失；而钼可以在无需该辅助层的情况下直接沉积，有助于实现更高密度结构。
不过，引入钼的工艺本身技术难度不低。钼前驱体在室温下为固体，需要通过加热并稳定供给的技术，才能以稳定的流量和用量进行供应。
三星电子则已在其第九代 286 层 3D NAND（于 2024 年 4 月进入量产）中导入钼金属布线。其下一代第十代 3D NAND（层数超过 400 层）计划在今年下半年实现商品化，且三星正在扩大采用钼的工艺步骤数。
用于 3D NAND 的钼材料需求预计将快速增长。业界估计，三星在去年采购或将采购约 4 吨钼，今年约 10 吨；到 2027 年预计增至 25 吨，2028 年 40 吨，2029 年 60 吨，2030 年 80 吨。预计从明年起正式导入钼的 SK 海力士，初期年用量约为 4 吨。