中國 DRAM 破局者?A 股新「股王」長鑫科技上市首日成交破千億,DRAM 超級週期能走多遠?

7 月 27 日,長鑫科技(688825.SH)正式登陸上交所科創板。這只發行價 8.66 元的新股,以 49.50 元(+471.6%)開盤,市值瞬間突破 3.31 萬億,超越工商銀行成為 A 股市值第一。但這只是今天三幕大戲的開場。

  1. 第一幕(09:25-11:00):狂歡。開盤後資金蜂擁而至,9:49 成交額突破 745 億創 A 股新股紀錄,10:04 突破 900 億超越東方財富的 A 股單日紀錄,上市首小時內成交額突破 1,000 億——A 股歷史上首只單日成交破千億的個股誕生。上午 11:00 前後,股價觸及全天最高 55.03 元,漲幅達 +535.2%,市值約 3.68 萬億——在全球市值排行榜上躍居第 24 位,超過英特爾(4,640 億美元)和騰訊(3.39 萬億人民幣)。
  2. 第二幕(11:00-14:00):深蹲。衝高後拋壓洶湧而至。股價從 55.03 元一路下挫,盤中最低觸及 38.11 元——較日內高點回落 30.8%。午盤後半段,恐慌性拋售將成交繼續推高,換手率在 14:05 達到 61.5%,成交額突破 1,300 億。上午在 55 元追高的投資者,三個小時內帳面浮虧近 31%。
  3. 第三幕(14:00-15:00):收斂。尾盤資金回流,股價從 38 元區間反彈至 49 元附近。最終收報 49.00 元,漲幅 +465.8%,略低於開盤價 49.50 元——這是今天最重要的訊號之一:首日收盤低於開盤價,追高者已產生浮虧。

| 指標 | 數值 | | --- | --- | | 發行價 | 8.66 元 | | 開盤價 | 49.50 元(+471.6%) | | 最高價 | 55.03 元(+535.2%) | | 最低價 | 38.11 元(+340.0%) | | 收盤價 | 49.00 元(+465.8%) | | 日內振幅 | 44.40% | | 全日成交額 | 1,411.87 億元(A 股歷史紀錄) | | 換手率 | 約 61.5% | | 收盤市值 | 3.28 萬億(A 股第一) | | 中一籤盈利(按收盤) | 約 20,170 元 | | 發行後總股本 | 約 668.81 億股 |

長鑫科技上市首日數據

根據招股說明書,本次 IPO 發行 668.81 億股(超額配售選擇權行使前),發行總市值約 5,791.88 億元。超額配售選擇權行使前募集資金總額為 579.19 億元,全額行使後為 666.07 億元——這一規模超過 2020 年中芯國際創下的 532.30 億元紀錄,成為科創板史上最大 IPO。

公司画像:從零到全球第四的十年

跳代研發策略

長鑫科技成立於 2016 年,總部位於安徽合肥。公司採取跳代研發策略——不做低端、不做落後製程,直接在 2019 年推出自主設計生產的 8Gb DDR4 晶片,實現了中國大陸 DRAM 產業從零到一的突破。

根據招股說明書,公司已構建從 DDR4、LPDDR4X 到 DDR5、LPDDR5/5X 的全系列產品矩陣。2025 年推出的 LPDDR5X 最高速率達 10,667 Mbps,首款國產 DDR5 速率達到 8,000 Mbps,單顆容量達 24Gb。長鑫科技與全球 DRAM 儲存龍頭的技術節點差距正逐漸縮小。

長鑫科技自 2016 年成立以來,突破了 DRAM 關鍵核心技術並順利實現產品自主研發、設計和商業化量產,填補了中國大陸 DRAM 產品在全球市場上的空白。

產品矩陣與客戶生態

| 產品線 | 2025 年收入(億) | 收入占比 | 應用情境 | | --- | --- | --- | --- | | LPDDR 系列 | 407.04 | 65.86% | 手機/平板/行動設備 | | DDR 系列 | 195.31 | 31.60% | 伺服器/PC | | 其他(晶圓/模組/服務) | 15.65 | 2.54% | — | | HBM | 0(研發中) | — | AI 伺服器 GPU |

終端客戶覆蓋了阿里雲、字節跳動、騰訊、聯想、小米、傳音、榮耀、OPPO、vivo 等國內主流科技廠商。騰訊已簽訂 200 億元以上的長期 DRAM 供應協議。LPDDR 產品在國內安卓品牌手機中的採用率已突破 30%。此外,有業界消息稱蘋果正在測試長鑫科技的 DRAM 晶片——雖然尚未官方確認,但表明其產品品質已開始引起全球頂級客戶的關注。

產能規模

公司在合肥、北京兩地佈局了 3 座 12 英寸 DRAM 晶圓廠。截至 2025 年末,DRAM 合計月產能約 28 萬片(12 英寸等效)。本次 IPO 募集的資金中,75 億元用於晶圓製造技術升級改造,180 億元用於 DRAM 技術升級,90 億元用於前瞻技術研發。此外,公司超 6,000 名員工透過員工持股計畫獲得股份,創辦人朱一明承諾上市後 10 年內不減持。截至 2025 年 12 月 31 日,累計未彌補虧損為 366.5 億元,但隨著 2026 年盈利大幅改善,這一歷史包袱有望快速消化。

DRAM:全球半導體最暴烈的週期賽道

要理解長鑫科技的估值邏輯,必須先理解 DRAM 行業的本質——這是全球半導體產業中週期性最強烈的賽道。過去半個多世紀,DRAM 行業完整經歷了九輪週期,每一輪都以「這次不一樣」的敘事開始,以價格暴跌和玩家出清收場。

| 週期 | 時間 | 驅動力 | 價格行為 | 淘汰的玩家 | | --- | --- | --- | --- | --- | | 第一輪 | 1993-1998 | Windows PC 普及 | 跌 51%(1996)+65%(1997) | 日系廠商陸續退出 | | 第二輪 | 1999-2003 | 互聯網泡沫 | 跌 95% | 日系 DRAM 合併為爾必達 | | 第三輪 | 2004-2009 | 筆記本 + Vista | 跌 87% | 奇夢達破產(歐洲退出) | | 第四輪 | 2010-2015 | 智能手機 | 跌 67% | 爾必達破產(日本退出) | | 第五輪 | 2016-2019 | 雲端運算 | 跌 79% | 行業固化為三寡頭 | | 第六輪 | 2020-2023 | 居家辦公 | 三星/海力士/美光集體虧損 | 無(三寡頭格局穩固) | | 第七輪 | 2024 至今 | AI 超級週期 | DDR5 從 20 漲至 118 美元 | — |

2009 年之後,全球 DRAM 行業固化為三星(約 39%)、SK 海力士(約 29%)、美光(約 22%)三寡頭壟斷格局,合計佔據全球市場九成以上份額。三家巨頭可以透過產能調控維持供給紀律——這在過去「六家混戰」時代不可能做到。這是本輪 AI 超級週期與前幾輪最大的不同,也是多頭最核心的論據。

DRAM 歷史上每一輪超級週期都以暴跌收場。1995、2000、2008、2018——無一例外。半導體是所有科技行業裡週期性最野蠻的賽道。

AI 如何改變 DRAM 供給結構

三巨頭搶 HBM 的肉,讓出了 DDR 的湯

HBM(高頻寬記憶體)是 AI 伺服器的核心組件,其生產消耗的晶圓面積是普通 DDR5 的 3 至 4 倍。2026 年全球 DRAM 總資本開支同比增長 65%,合計接近 1,200 億美元,但新增先進晶圓產能的 60% 優先供給 HBM。三大原廠已將 70% 的新增產線傾斜至 HBM,然而產能缺口依然高達 50% 至 60%。

三家巨頭的 2026 年 HBM 產能已被英偉達等一級客戶透過 3 至 5 年長期協議提前鎖定。高盛預計,2026 至 2030 年間,三大原廠約 30% 的可用產能將被 HBM 占用。這為長鑫創造了難得的窗口:當龍頭注意力全在 HBM 上時,中端通用 DRAM 出現了結構性供給缺口。

HBM 市場規模

HBM 市場正以指數級速度擴張。根據高盛預測,HBM 市場規模將從 2026 年的 560 億美元成長至 2027 年的 1,160 億美元,2028 年突破 1,680 億美元。美銀預測更為激進——HBM 銷售額從 2025 年的 64.6 億美元成長至 2026 年的 269.4 億美元(同比 +317%),到 2028 年突破 627 億美元。Gartner 估計 HBM 收入年複合成長率達 60.5%。

長鑫能拿多少份額?

按 Omdia 數據,長鑫科技全球 DRAM 市場份額已從 2025 年第四季度的 7.67% 進一步提升至 2026 年第一季度的約 7.6%,位列全球第四。研究機構 SemiAnalysis 預測,長鑫科技 2026 年全年收入可能超過 500 億美元,市佔率將從 2025 年的 9% 提升到 2027 年的 12%。但韓國兩大巨頭已宣布大規模擴產計畫——長鑫的窗口期並非無限。

財務數據全景:從巨虧到爆發

三年三級跳

| 年份/期間 | 營業收入(億) | 同比成長率 | 歸母淨利潤(億) | 扣非歸母(億) | 毛利率 | | --- | --- | --- | --- | --- | --- | | 2023 | 90.87 | — | -163.4 | -167.52 | 極低 | | 2024 | 241.78 | 1.66 | -71.45 | -78.7 | 5.58% | | 2025 | 617.99 | 1.556 | 18.75 | 53.16 | 40.99% | | 2026Q1 | 508 | 7.191 | 247.62 | 263.41 | 未披露 | | 2026H1E | 1,100-1,200 | 605.23 | 500-570 | — | — |

2022 年至 2024 年,公司處於持續虧損階段。2025 年,公司實現營收 617.99 億元,歸母淨利潤 18.75 億元,實現年度扭虧為盈。

進入 2026 年,業績呈現爆發式成長。一季度,公司實現營業收入 508 億元,同比增長 719.13%;歸母淨利潤 247.62 億元,同比扭虧為盈。公司預計 2026 年上半年營業收入將達到 1,100 億元至 1,200 億元,同比增長 612.53% 至 677.31%;歸母淨利潤 500 億元至 570 億元,同比增長 2,244.03% 至 2,544.19%。以中位數測算,上半年業績有望徹底抹平公司成立以來的全部累計虧損,日均盈利接近 1.5 億元。

利潤從哪來?三層驅動力

從 2024 年巨虧到 2026 年上半年預告盈利 500-570 億元,利潤爆發由三個因素疊加驅動:

第一層:DRAM 價格暴漲。據東吳證券研報,DDR4(8Gb)現貨均價從 2024 年底的約 8.1 美元飆升至 2026 年 6 月底的約 140 美元,累計漲幅超過 16 倍;DDR5(16Gb)從 2025 年 11 月的 20 美元快速上漲至 2026 年 6 月底的 117.5 美元,漲幅約 4.9 倍。TrendForce 數據顯示,2026 年第一季度一般型 DRAM 合約價環比上漲 93% 至 98%,第二季度再漲 58% 至 63%。Gartner 預測 2026 年全球 DRAM 年度價格上漲 125%。

第二層:產能利用率從低谷到滿產。

第三層:產品結構升級,DDR5 與 LPDDR5X 占比提升帶動 ASP 結構性上行。

三個因素中,前兩個(價格+產能利用率)是週期性的,第三個(產品結構升級)才是結構性的——這是分析長鑫業績持續性的核心判斷。

收盤估值分析

以收盤價 49.00 元、總股本 668.81 億股計算,收盤總市值約 3.28 萬億。對應估值:

  • 2025 年歸母淨利潤 18.75 億元 → 靜態 PE 極高
  • 2026 年上半年預告歸母 500-570 億元,年化約 1,000-1,140 億元 → 約 29-33 倍 PE
  • 2028 年機構一致預期歸母約 2,906 億元 → 約 11.3 倍 PE

對比:美光科技 2026 年預期 PE 約 12 倍,SK 海力士約 8 倍。長鑫的市佔率不到美光的三分之一,PE 卻是其兩倍以上。市場溢價來源於三個敘事:中國唯一 DRAM IDM(稀缺性)、国产替代確定性(政策)、AI 超級週期(成長性)。這三個敘事是否值 1.5-2 倍的 PE 溢價,是目前市場最大分歧。

券商目標估值

多家券商給出長鑫目標估值區間:東北證券從市場份額相對估值、盈利能力拆分、單位產能市值三種視角給出 3.2-5.7 萬億的目標;野村證券首次覆蓋給出買入評級,目標價 116 元,對應市值約 7.76 萬億——是東北證券上限的 1.4 倍。首日收盤 3.28 萬億已進入東北證券區間下限,市場對估值的分歧極為顯著。

競爭格局:三寡頭與挑戰者

| 廠商 | 全球市佔率(2025Q4) | 2026E PE | 核心優勢 | | --- | --- | --- | --- | | 三星電子 | 33.96% | ~15x | 全品類+HBM+產能規模 | | SK 海力士 | 34.48% | ~8x | HBM 霸主(營業利潤率72%) | | 美光科技 | 23.41% | ~12x | HBM+美國本土製造 | | 長鑫科技 | 7.67% | ~30x(收盤估值) | 中國唯一 IDM+DDR5/LPDDR5X |

中國市場是全球最大的 DRAM 消費市場。2025 年中國大陸 DRAM 市場規模約 2,980 億人民幣,占全球儲存晶片總消費約 18%。目前國內 DRAM 自給率仍處於較低水平,高端 HBM 幾乎完全依賴海外採購。即使長鑫不搶占海外市場,只靠国产替代,增長空間仍然可觀。

但同時需要注意:三星和 SK 海力士的大規模擴產計畫正在路上,全球 DRAM 資本開支 2026 年同比增長 65%——供需關係可能在 2027-2028 年發生逆轉。

此外,長鑫科技 2025 年有超過 98% 的營收來自傳統 DRAM,在 HBM 領域目前收入為零。這意味著,在最具利潤彈性的高端市場,長鑫暫時無法與三巨頭競爭;而在傳統 DRAM 市場,它又要面對三巨頭擴產帶來的價格壓力。

HBM:決定估值天花板的最大變數

目前長鑫科技 HBM 收入為零。公司技術規劃是跳代研發,目前進度為 HBM3 完成樣品送測,規劃 2026 年底量產;預計 2027 年推出 HBM3E,2028 年佈局 HBM4。技術難點在於 3D 堆疊和 TSV 矽通孔垂直封裝工藝,是中長期的關鍵突破方向。

與三大巨頭的差距是數量級的:SK 海力士僅 HBM 月產能已超過 15 萬片。HBM 技術門檻極高——涉及 TSV 矽通孔、堆疊封裝、混合鍵合等多項尖端工藝,美光用了約 5 年才實現 HBM3E 批量供貨。長鑫能否在 3 至 5 年內突破,是高度不確定但價值巨大的期權。

近期訊號:6 月初英偉達 CEO 黃仁勳確認三星、海力士、美光均已通過 HBM4 認證。摩根士丹利指出,從 HBM3E 到 HBM4 再到 HBM4e,單櫃記憶體價值量增幅在四倍以上。賽道本身還在加速擴張——長鑫如果不能及時卡位,與第一梯隊的差距將進一步拉大。

技術路线上存在彎道超車可能:傳統 6F² 架構面臨物理極限,4F² 架構可將單元面積縮減約 30% 並降低 EUV 光刻成本。長鑫與三大原廠均在推進 4F² 方案。但產業分析師提醒,窗口期最多三年——如果国产廠商不能趁漲價週期把良率拉到 80% 以上,一旦海外巨頭擴產完畢,又將面臨被壓回低端市場的風險。

投資者需要關注的風險

  • DRAM 週期反轉風險(高) — 長鑫科技在招股書中明確提示:DRAM 行業具備強週期、高波動的特点,当前 DRAM 產品價格處於歷史高位,價格的持續大幅上漲不具備可持續性。一旦價格見頂回落,公司收入和利潤可能面臨大幅下滑風險。
  • 供給端產能釋放壓力(高) — 三星與 SK 海力士已宣布 800 萬億韓元擴產計畫,三大原廠同步上調資本開支,2026 年全球 DRAM 資本開支同比增長 65%。未來數年新增產能將陸續釋放,若需求端增長不及供給端產能投放速度,行業供需格局可能發生根本性逆轉。
  • HBM 研發與量產不及預期(中高) — 目前長鑫科技 HBM 收入為零,HBM3 尚處於樣品送測階段,而三巨頭已量產 HBM4,技術差距為數量級。如果未來 3 至 5 年內無法實現 HBM 規模化量產,長鑫可能被長期鎖定在通用型 DRAM 供應商的定位上,錯失 AI 儲存賽道最大的利潤增量。
  • 海外收入真實占比偏低(中) — 2025 年境外收入 350.54 億元,但剔除香港轉口貿易及關聯交易後,真正進入海外終端市場的收入僅約 2.79%。全球第四的排名目前高度依賴中國大陸單一市場支撐,全球化收入結構尚未真正建立。
  • 設備與材料供應受限(中) — ASML EUV 光刻機受美國出口管制持續限制,DUV 設備交付週期已拉長至 18 個月。在設備端制約下,国产 DDR5 良率目前約 65%,而三星已超過 85%,成本與效率差距仍然明顯。
  • 首日高換手與高波動風險(中) — 首日換手率達 61.5%,意味著超過一半的流通股已在首個交易日完成換手,短期博弈已充分展開,但也說明市場在 49 元附近的定價分歧極大。44.4% 的日內振幅(按開盤價與最低價計算為 30.8%)顯示該標的短期波動風險處於極高水平。

未來 12 個月的關鍵觀察窗口

  • 2026 年 7 月 28-31 日:上市首 5 日繼續交易 — 首日 44% 振幅後,後續 4 天波動可能更劇烈,市場需經歷首輪情緒沉澱。
  • 2026 年 8 月:2026 年半年報正式披露 — 上半年預告營收 1,100-1,200 億元、歸母淨利潤 500-570 億元的最終確認數據將出爐,這是全年業績預期的第一塊壓艙石。
  • 2026 年 10 月:2026 年三季報披露 — 第三季度單季營收與利潤增速,是判斷 DRAM 漲價持續性是否出現邊際放緩的最關鍵窗口。
  • 2026 年 11 月:TrendForce 發布 2027 年 DRAM 市場展望 — 供需預測模型的年度更新,將直接影響市場對 2027-2028 年週期拐點位置的判斷。
  • 2027 年 3 月:2026 年年報發布 — 全年完整財務數據落地,同時將披露上市後首份分紅方案,反映公司對股東回報的真實態度。
  • 2027 年 7 月 27 日:上市滿一年,部分限售股解禁 — 創始人朱一明承諾 10 年內不減持,但其他策略股東及早期投資人的鎖定期屆滿,解禁後的實際拋壓將接受市場檢驗。

總結

長鑫科技上市首日 3.28 萬億的收盤估值,不僅是一個價格,更是對三個核心命題的定價:

訊號一:A 股對硬科技的定價能力正在成熟。1,290 億元的單日成交額、60.99% 的換手率、195.38% 的振幅——這組數據說明 A 股有能力為超級 IPO 提供足夠的流動性和定價深度。以前的紀錄是東方財富 900 億(2024 年 10 月),長鑫一把推到了 1,290 億。這不是簡單的「炒新」,而是真金白銀的充分博弈。

訊號二:市場對週期的定價存在分歧。上午追到 535%、下午砸到 340% 的走勢,完美體現了市場對 DRAM 週期位置的激烈分歧。樂觀者看到的是 AI 驅動的結構性格局變化,悲觀者看到的是週期頂峰 IPO 的歷史重演。這兩種敘事將貫穿長鑫上市後的第一個完整週期。

訊號三:3.28 萬億的安全邊際很薄。按 2026 年上半年年化利潤約 1,070 億(中值)計算,對應 PE 約 30 倍。如果 DRAM 價格在 2027 年見頂回落,這一估值將快速承壓。券商目標區間的下沿(東北證券 3.2 萬億)已被觸及。後續空間取決於三個變量:DRAM 價格維持高位的時間、長鑫 HBM 的研發進度、三星/海力士擴產的實際落地節奏。

長鑫科技 FAQ

長鑫科技 3.28 萬億的估值貴嗎?

從靜態 PE 看極貴,但從 2026 年上半年年化利潤計算,對應 PE 約 29-33 倍;按野村證券 2028 年預期 EPS 5.8 元、20 倍目標 PE 計算,對應目標價 116 元。對於一個仍在高速增長、市佔率從 7.6% 向更高目標攀升的 DRAM 廠商來說,遠期估值有一定支撐。核心問題是:2028 年的利潤預測能否兌現?這完全取決於 DRAM 價格能否在未來三年持續維持高位。首日 195% 的振幅已經說明市場在這點上分歧極大。

長鑫科技和三巨頭的差距有多大?

在產品線上,DDR5 和 LPDDR5X 已進入國際第一梯隊(速率 10,667 Mbps),技術代差縮小至約 1-2 年。在 HBM 領域差距巨大——三巨頭已量產 HBM4,長鑫 HBM3 尚在樣品送測階段,HBM 收入為零。產能規模上,長鑫月產能約 28 萬片(12 英寸等效),三星 DRAM 月產能是其 5 至 7 倍。

DRAM 價格什麼時候會跌?

TrendForce 預計供需平衡點在 2027 年第四季度前後。歷史經驗表明價格拐點往往比供需平衡點來得更早,因為市場會提前交易預期。2026 年 8 月和 10 月財報是重要觀察窗口——如果第三季度單季增速放緩,可能意味著週期正在接近顶部。另外關注三星/海力士大規模擴產的實際開工進度:一旦設備開始搬入,供給端預期將發生根本性改變。

首日換手率 60.99% 說明什麼?

兩個層面。好的一面:充分換手意味著超過 60% 的流通股已完成換手,短期投機性拋壓被大量釋放,後續波動可能收斂。不好的一面:這意味著市場對 49 元附近的定價分歧極大——有人覺得這是價值洼地,有人覺得這是週期顶部。換手率超過 60% 的新股,後續走勢高度取決於基本面的兌現情況。

長鑫科技值得關注嗎?

長鑫科技是中國硬科技自主可控最具代表性的標的之一,是中國大陸唯一具備 DRAM IDM 完整能力的企業。在 AI 超級週期背景下,其戰略價值超越短期估值。但投資需要回答三個核心問題:你相信 DRAM 超級週期能持續到 2028 年嗎?你相信長鑫能在 2028 年前實現 HBM 量產嗎?你願意為上述兩個信念承受多大的中間波動?如果你回答不了上述三個問題中的任何一個,那麼追蹤而非持有可能是更審慎的選擇。

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