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我國發明的「量子閃存」技術成功構建出共面的漏極-汲道-源極「歸壹」結構，首次在室溫環境下清晰觀測到單電子的非揮發性存儲行為
MarsBit News
2026-07-17 01:45:29
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火星財經消息，復旦大學整合晶片與系統全國重點實驗室集成電路與微納電子創新學院周鵬-劉春森研究團隊北京時間 7 月 17 日凌晨在《科學》（Science）發表重磅成果，他們發明的「量子閃存」（Quantum Flash）技術，成功構建出共面的漏極-溝道-源極「歸壹」結構，首次在室溫（27℃）環境下清晰觀測到了單電子的非易失性儲存行為，這不僅徹底打破了「單電子儲存」無法實現的傳統認知，開創了單電子量子儲存的嶄新理論體系，更為 AI 時代算力革命奠定關鍵理論基礎。該研究將電荷儲存的資訊密度提升至理論極限，實現了「一電子一比特」，也為面向人工通用智能（AGI）需求的高密度儲存器研發提供了新的技術基礎。目前，團隊已系統性地打通了從底層材料、器件創新到高端晶片整合與應用的全鏈條：「破曉」實現存取速度突破，「歸壹」解決密度極限，「長纓」完成了與現有 CMOS 矽製程兼容的原型晶片驗證。（澎湃新聞）
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