#BernsteinSaysMemoryBullMarketToLastUntil2027

我們正遠離由供應短缺引發恐慌而導致的混亂、突然的價格尖峰；相反地，我們正進入一段由 AI 推動、結構穩健的擴張期，預計將持續到 2027 年。
推動這個循環的動態，解釋了為何儘管消費者需求放緩，市場仍保持韌性。
2026 年第 2 季價格上漲與第 3 季放緩：2026 年第二季度對記憶體製造商而言非常亮眼；然而，第三季度的放緩顯示，消費者已觸及其購買力上限。
傳統 DRAM：平均上漲 74%；成長預期將放緩至 13%–18% 的區間。
伺服器 DRAM：+60% 到 +67%；受惠於高效能 DDR5 模組；現貨價格相較合約價格呈現顯著溢價。
行動裝置 DRAM：約 80%；出現急遽的高峰，但手機製造商（OEM）如今正因成本而調整採購時程並縮減配置。
NAND Flash：約 60%（整體合約）；可見顯著分歧。6 月晶圓現貨價格下跌 3%–4%，但企業 SSD 與行動儲存板塊（+70% 到 +80%）仍維持市場。
由 AI 驅動的結構性轉變：為什麼這次不一樣？
歷史上，記憶體循環的特徵是「繁榮與崩潰」模式：供應商累積過剩產能，消費端對 PC 與智慧型手機的需求下降，價格跌至谷底。
這一循環正被兩股關鍵力量從根本上改寫：
長期協議（LTAs）：超大型資料中心營運商與美國一級雲端服務供應商（CSP）不再只依賴公開現貨市場的採購。他們簽訂包含嚴格價格下限的 3 到 5 年合約，以防範景氣下行。例如，儘管像 SK Hynix 與 Micron 這樣的供應商在年初就簽署了大型 LTAs 以確保產品分配，Samsung 則採取較為激進的立場，目標是達成更高的價格天花板。
產能轉移（產能自我蠶食）：對高頻寬記憶體（HBM）與先進伺服器 DDR5 的需求驅動，使製造商將實體晶圓產能從傳統的 PC 與行動裝置 DRAM 生產，轉向這些領域。即便消費性電子的需求走弱，由於生產設施（晶圓廠）聚焦於製造高毛利的 AI 晶片，整體供應仍受到制約。
供應商展望
Bernstein 的觀點指出，這種高度多元化、以 AI 為中心的生產策略的勝出者包括：
Samsung、SK Hynix 與 Micron（表現優於大盤）：這三家公司是 HBM 與 DDR5 供需熱潮的主要受益者；他們擁有大量且已鎖定的長期協議（LTA）訂單，透過 2027 年將營收軌跡平滑化。
SanDisk（表現優於大盤）：由於其在企業 SSD 合約中的結構性地位極具優勢，提供較高的價格下限（約 $0.29/GB），使其免受 NAND 晶圓價格的小幅波動影響。
Kioxia（審慎／表現落後）：暴露於更具波動、且非 LTA 的商品型快閃市場，並且對消費端晶圓板塊轉弱的隔離程度較低。
每月價格飆升的「火箭船」階段正在結束，但請不要誤以為這代表多頭市場的終結。記憶體定價的結構性基準仍維持在高位。由於新建產能終於投入運作，預期要到 2027 年底或 2028 年，才會有更全面的正常化。