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2026-07-12 13:41:48
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#BernsteinSaysMemoryBullMarketToLastUntil2027
Bernstein Research,這家領先的投資研究機構,已發布對記憶體半導體產業的高度樂觀展望,預測目前DRAM和NAND快閃記憶體晶片的多頭市場將延續至2027年。此一預測對主要記憶體晶片製造商,包括Samsung Electronics、SK Hynix、Micron Technology以及SanDisk,具有重大影響。
目前的市場動態與價格走勢
根據Bernstein分析師Mark Li的說法,記憶體市場正出現前所未有的價格動能。DRAM與NAND的合約價格預計在2026年第二季度再度大幅上漲;其中,NAND合約價格預測將在季對季(quarter-over-quarter)基礎上上升65%到70%。這波漲勢主要由SSD與行動端NAND封裝需求推動。DRAM合約價格也同樣顯示將面臨大幅上漲,且時間上會早於Bernstein先前的預期。
價格上揚反映出根本性的供需失衡。伺服器DRAM與企業級SSD需求依然強勁,持續讓整體產業供給偏緊。然而,Bernstein指出,現貨價格傳遞出混雜訊號:伺服器DDR5模組現貨價格按月(month-over-month)下跌約6.7%,而NAND晶圓現貨價格則大約下跌7%,隨著價格上升開始對消費端需求造成權重影響。
支撐延長多頭市場的關鍵驅動因素
多項結構性因素支撐Bernstein對2027年的樂觀看法:
AI資料中心擴張:人工智慧應用的普及,帶來了對高效能記憶體解決方案的龐大需求。AI訓練與推論工作負載需要大量DRAM容量;AI伺服器通常使用的DRAM內容量是傳統伺服器的6到8倍。資料中心營運商正積極擴大記憶體容量以支援AI工作負載。
雲端運算成長:主要雲端服務供應商持續擴張其基礎設施,推動對DRAM與NAND快閃儲存的持續需求。企業級儲存需求正以約每年25%到30%的速度成長,形成穩定的需求順風。
高效能運算需求:包含機器學習、大數據分析與科學運算在內的先進運算應用,正需要更為複雜的記憶體架構。HBM(High Bandwidth Memory,高頻寬記憶體)與先進DDR5技術具備溢價定價能力,並帶來更高的毛利。
供給面限制:記憶體晶片製造需要大量資本投入與長交期。新的製造廠房需要2到3年才能建置並逐步提升至滿產。受限於潔淨室產能有限、專用設備可得性以及熟練工程人才短缺,供給成長仍受到約束。
公司層面的影響
Samsung Electronics:作為全球最大的記憶體晶片製造商,Samsung有望從延長的價格強勢中獲得顯著收益。該公司涵蓋DRAM、NAND以及新興記憶體技術的多元產品組合,使其能夠在多個市場區段中捕捉價值。Samsung的垂直整合與製造規模,提供了在成本結構與供應安全方面的競爭優勢。
SK Hynix:這家韓國記憶體專家已成為HBM技術的領先者,這對AI應用至關重要。SK Hynix在HBM領域擁有約50%的市占率,為DRAM中最高毛利的細分市場。公司在先進封裝與高速記憶體介面方面的技術領導力,有助於強化溢價定價能力。
Micron Technology:作為唯一的美國大型記憶體製造商,Micron受地緣政治因素與供應鏈多元化趨勢影響而獲益。該公司約有80%的營收來自DRAM,使其特別容易受到DRAM價格循環的影響。Micron股價截至目前已大幅上漲約240%到270%,反映投資人對延長上行循環的樂觀情緒。
SanDisk(Western Digital):作為純粹的NAND快閃供應商,SanDisk能直接受益於NAND價格上漲。公司聚焦於企業級SSD與行動端儲存解決方案,與高成長市場區段相匹配。
價格預測的走勢軌跡
Bernstein預期以下價格走勢:
2026年第二季度:DRAM與NAND各類別的價格大幅上漲
2026年第三季度:買方轉向長期合約後出現溫和的價格上漲
2026年第四季度:價格持續上揚,但上漲速率將放緩
2027年:價格維持強勢,且自2027年底起逐步正常化並延續至2028年
此一走勢意味著記憶體晶片製造商將享有延長期間的較高獲利能力;對領先業者而言,毛利率可能達到50%到60%。
市場規模預測
產業研究機構TrendForce已上調其全球記憶體市場預測,預測2026年總可服務市場(total addressable market)將達到889.3億美元,其中DRAM貢獻618.7億美元、NAND貢獻270.6億美元。這相較目前水準代表可觀成長,也支撐Bernstein的看漲論點。
投資考量
尋求接觸記憶體多頭市場的投資人,有以下幾種選擇:
個股:直接投資Samsung、SK Hynix、Micron或Western Digital/SanDisk,可更聚焦於特定公司的執行能力與市場定位。
DRAM ETF:Roundhill Memory ETF提供對國際記憶體製造商的多元曝險,包括Samsung、SK Hynix、Micron以及其他半導體公司。
設備供應商:像Lam Research、Applied Materials以及Tokyo Electron等公司,將受益於記憶體製造商的資本支出需求。
風險因素
雖然Bernstein的展望偏向正面,但投資人仍應考量潛在風險:
若價格上漲過快,消費需求疲弱可能加速發生
供給端的回應可能最終比預期更快把市場拉回平衡
宏觀經濟放緩可能降低企業IT支出
地緣政治緊張可能擾亂供應鏈或貿易流向
技術轉型可能讓現有世代產品逐步過時
結論
Bernstein對2027年前延長記憶體晶片多頭市場的預測,反映出結構性需求驅動因素,包括AI普及、雲端運算擴張與資料中心成長;同時搭配供給面限制,讓產能無法快速增加。包括Samsung、SK Hynix、Micron以及SanDisk在內的主要記憶體製造商,正定位於受益於持續的價格強勢與不斷擴張的毛利率。投資人應在留意半導體產業固有的週期性風險同時,考量參與這股長期成長趨勢的各種途徑。
記憶體產業在AI與先進運算需求推動下,正從商品化業務轉型為技術驅動的成長型產業,這也支撐Bernstein的信念:這一輪週期的時間與獲利性,將比歷史模式所暗示的更長、更有利潤。
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MU
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#BernsteinSaysMemoryBullMarketToLastUntil2027
Bernstein Research,這家領先的投資研究機構,已發布對記憶體半導體產業的高度樂觀展望,預測目前DRAM和NAND快閃記憶體晶片的多頭市場將延續至2027年。此一預測對主要記憶體晶片製造商,包括Samsung Electronics、SK Hynix、Micron Technology以及SanDisk,具有重大影響。
目前的市場動態與價格走勢
根據Bernstein分析師Mark Li的說法,記憶體市場正出現前所未有的價格動能。DRAM與NAND的合約價格預計在2026年第二季度再度大幅上漲;其中,NAND合約價格預測將在季對季(quarter-over-quarter)基礎上上升65%到70%。這波漲勢主要由SSD與行動端NAND封裝需求推動。DRAM合約價格也同樣顯示將面臨大幅上漲,且時間上會早於Bernstein先前的預期。
價格上揚反映出根本性的供需失衡。伺服器DRAM與企業級SSD需求依然強勁,持續讓整體產業供給偏緊。然而,Bernstein指出,現貨價格傳遞出混雜訊號:伺服器DDR5模組現貨價格按月(month-over-month)下跌約6.7%,而NAND晶圓現貨價格則大約下跌7%,隨著價格上升開始對消費端需求造成權重影響。
支撐延長多頭市場的關鍵驅動因素
多項結構性因素支撐Bernstein對2027年的樂觀看法:
AI資料中心擴張:人工智慧應用的普及,帶來了對高效能記憶體解決方案的龐大需求。AI訓練與推論工作負載需要大量DRAM容量;AI伺服器通常使用的DRAM內容量是傳統伺服器的6到8倍。資料中心營運商正積極擴大記憶體容量以支援AI工作負載。
雲端運算成長:主要雲端服務供應商持續擴張其基礎設施,推動對DRAM與NAND快閃儲存的持續需求。企業級儲存需求正以約每年25%到30%的速度成長,形成穩定的需求順風。
高效能運算需求:包含機器學習、大數據分析與科學運算在內的先進運算應用,正需要更為複雜的記憶體架構。HBM(High Bandwidth Memory,高頻寬記憶體)與先進DDR5技術具備溢價定價能力,並帶來更高的毛利。
供給面限制:記憶體晶片製造需要大量資本投入與長交期。新的製造廠房需要2到3年才能建置並逐步提升至滿產。受限於潔淨室產能有限、專用設備可得性以及熟練工程人才短缺,供給成長仍受到約束。
公司層面的影響
Samsung Electronics:作為全球最大的記憶體晶片製造商,Samsung有望從延長的價格強勢中獲得顯著收益。該公司涵蓋DRAM、NAND以及新興記憶體技術的多元產品組合,使其能夠在多個市場區段中捕捉價值。Samsung的垂直整合與製造規模,提供了在成本結構與供應安全方面的競爭優勢。
SK Hynix:這家韓國記憶體專家已成為HBM技術的領先者,這對AI應用至關重要。SK Hynix在HBM領域擁有約50%的市占率,為DRAM中最高毛利的細分市場。公司在先進封裝與高速記憶體介面方面的技術領導力,有助於強化溢價定價能力。
Micron Technology:作為唯一的美國大型記憶體製造商,Micron受地緣政治因素與供應鏈多元化趨勢影響而獲益。該公司約有80%的營收來自DRAM,使其特別容易受到DRAM價格循環的影響。Micron股價截至目前已大幅上漲約240%到270%,反映投資人對延長上行循環的樂觀情緒。
SanDisk(Western Digital):作為純粹的NAND快閃供應商,SanDisk能直接受益於NAND價格上漲。公司聚焦於企業級SSD與行動端儲存解決方案,與高成長市場區段相匹配。
價格預測的走勢軌跡
Bernstein預期以下價格走勢:
2026年第二季度:DRAM與NAND各類別的價格大幅上漲
2026年第三季度:買方轉向長期合約後出現溫和的價格上漲
2026年第四季度:價格持續上揚,但上漲速率將放緩
2027年:價格維持強勢,且自2027年底起逐步正常化並延續至2028年
此一走勢意味著記憶體晶片製造商將享有延長期間的較高獲利能力;對領先業者而言,毛利率可能達到50%到60%。
市場規模預測
產業研究機構TrendForce已上調其全球記憶體市場預測,預測2026年總可服務市場(total addressable market)將達到889.3億美元,其中DRAM貢獻618.7億美元、NAND貢獻270.6億美元。這相較目前水準代表可觀成長,也支撐Bernstein的看漲論點。
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DRAM ETF:Roundhill Memory ETF提供對國際記憶體製造商的多元曝險,包括Samsung、SK Hynix、Micron以及其他半導體公司。
設備供應商:像Lam Research、Applied Materials以及Tokyo Electron等公司,將受益於記憶體製造商的資本支出需求。
風險因素
雖然Bernstein的展望偏向正面,但投資人仍應考量潛在風險:
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結論
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記憶體產業在AI與先進運算需求推動下,正從商品化業務轉型為技術驅動的成長型產業,這也支撐Bernstein的信念:這一輪週期的時間與獲利性,將比歷史模式所暗示的更長、更有利潤。
@Gate_Square