#BernsteinSaysMemoryBullMarketToLastUntil2027

我們正逐步遠離由供應短缺引發恐慌而導致的混亂、突發性價格飆升；相反地，我們正進入一個結構穩健、由 AI 驅動的擴張期，預期將持續到 2027 年。
驅動這一輪循環的動能，也解釋了為何即便消費者需求放緩，市場仍能保持韌性。
2026 年第 2 季的價格上漲與第 3 季放緩：2026 年第二季度對記憶體製造商而言表現非常強勁；然而，第三季度的放緩顯示消費者已接近其購買力的上限。
傳統 DRAM：平均上漲 74%；預期成長將放緩至 13%–18% 的區間。
伺服器 DRAM：+60% 到 +67%；受惠於高效能 DDR5 模組；現貨價格相較合約價格呈現顯著溢價。
行動 DRAM：~80%；經歷急劇高點，但手機製造商（OEM）如今正因成本而調整採購時程並削減配置規模。
NAND Flash：~60%（整體合約）；明顯出現顯著分歧。2026 年 6 月晶圓現貨價格下跌 3%–4%，但企業級 SSD 與行動儲存板塊（+70% 到 +80%）仍支撐市場。
由 AI 驅動的結構性轉變：為什麼這一次不一樣？歷史上，記憶體循環通常呈現「繁榮—崩跌」模式：供應商累積過剩產能，消費者對 PC 與智慧型手機的需求下降，價格一路打到谷底。
而這一輪正被兩股關鍵力量從根本上改寫：
長期協議（LTAs）：超大規模數據中心營運商與美國一級雲端服務供應商（CSP）不再僅依賴公開現貨市場的採購。他們簽下 3 到 5 年的合約，合約中包含嚴格的價格下限，以抵禦景氣下行。例如，SK Hynix 與 Micron 等供應商雖在年初就簽下大型 LTAs 以確保產品配額，但 Samsung 則採取更激進的策略，目標是達成更高的價格上限。
產能轉移（產業瓜分）：對高頻寬記憶體（HBM）與先進伺服器 DDR5 的需求強勁到近乎無法滿足，意味著製造商正將實體晶圓產能，從傳統的 PC 與行動 DRAM 生產轉向這些領域。即便消費性電子需求走弱，整體供給仍維持受限，因為生產設施（晶圓廠）專注於製造高毛利的 AI 晶片。
供應商展望
Bernstein 的觀點指出，這個高度多元、以 AI 為中心的生產策略下的贏家：
Samsung、SK Hynix 與 Micron（表現優於）：這三家公司是 HBM 與 DDR5 浪潮的主要受益者；它們持有大量、已確保的長期協議（LTA）訂單，透過 2027 年將其營收軌跡平滑化。
SanDisk（表現優於）：由於其在企業級 SSD 合約中的結構性優勢極強而大幅受惠，提供較高的價格下限（約 0.29/GB 美元），使其免受 NAND 晶圓價格的小幅波動影響。
Kioxia（審慎／表現不如預期）：暴露於更具波動性的、非 LTA 的商品型快閃市場，且較不受保護於消費型晶圓板塊需求轉弱。
月度價格急升的「火箭船」階段正接近尾聲，但不要把這誤認為多頭市場的終結。記憶體定價的結構性底盤仍處於高位。由於新建產能終於開始投產，預期直到 2027 年底或 2028 年初，價格正常化才可能全面站穩。