AI 需求持續推動記憶體超級循環

根據 Bernstein 於 2026 年 7 月 8 日發布的《全球儲存月報》，全球記憶體半導體產業仍穩固地處於由長期需求驅動的成長擴張循環中。Bernstein 認為，目前的記憶體多頭市場未必只是短暫的週期性復甦，而可能延續至 2027 年；其支撐因素包括人工智慧基礎建設投資加速，以及持續存在的供應限制。

市場概覽

近期的定價趨勢持續強化產業的強勁動能。

在 2026 年第 2 季，傳統 DRAM 合約價格的平均估計較第 1 季上升約 74%。

需求在 AI 相關基礎建設領域特別強勁。

本季伺服器 DRAM 價格上漲約 60% 到 67%，而行動 DRAM 價格攀升接近 80%。

現貨市場活動也維持正面。

PC DRAM 現貨價格月增介於 5.6% 至 11.5% 之間；伺服器 DRAM 現貨價格則推進約 6.1% 到 26.4%，反映出供應仍偏緊。

NAND 市場

NAND 這一段同樣延續類似的動能。

預計在 2026 年第 2 季，NAND 合約價格將較上一季成長約 65% 到 70%；主要支撐來自企業 SSD 以及行動 NAND 儲存解決方案的需求。

Bernstein 分析師 Li 表示，伺服器 DRAM 與企業 SSD（eSSD）的需求仍維持足夠強度，使整體市場供應保持受限。

混合的價格訊號

即便合約價格強勁，Bernstein 也指出數個需要密切觀察的面向。

伺服器 DDR5 記憶體模組的現貨價格較上月下滑約 6.7%，而 NAND 晶圓現貨價格則下跌約 7%。

合約定價與現貨市場之間的落差顯示，OEM 製造商與模組生產商似乎已開始降低採購；因更高的合約價格壓縮利潤空間，並使終端用戶需求轉弱。

這是否僅是暫時的調整，還是更廣泛的需求正常化才剛開始，仍是產業的一個重要問題。

UBS 展望

並非所有研究機構都採取審慎的解讀。

在 7 月初的一份研究更新中，UBS 顯著上調了其對 DRAM 價格的預期。

該行目前預測，DRAM 價格在第 3 季的序列成長約為 32%，而先前估計為 17%；接著在第 4 季再增加 18%。

UBS 也預期 DRAM 供應狀況至少將持續受限至 2028 年第 2 季，並推估在 2027 年期間，需求將比可用供應多出約 17 個百分點。

產業供給

供應狀況持續支撐更廣泛的投資論點。

包括 Micron 與 SK Hynix 在內的主要製造商均已確認，其 2026 年的大部分產能已被提前承諾；預期的有意義產能擴張主要將在 2027 年發生。

SK Hynix 目前約掌控全球高頻寬記憶體（HBM）市場的 58%，近期於 7 月 11 日完成其美國 ADR 上市，進一步增強其國際市場影響力。

就估值面而言，SK Hynix 目前的本益比約為 17.01，而 Micron 為 36.37；同時，Micron 股價在過去三年累計上漲約 1,570%。

市場表現

半導體產業在 6 月下旬出現明顯的修正。

iShares 半導體 ETF 從歷史高點回落約 16%，同時整體半導體市值縮水近 2.7 兆美元。

儘管出現這波回撤，長期表現仍然非常強勁。

PHLX 半導體指數持續呈現約 99% 的年初至今漲幅，以及過去十二個月累計 157% 的成長。

Bernstein 認為，近期下跌主要是估值調整，而非產業需求走弱的證據。

AI 基礎建設展望

記憶體循環持續提供全球人工智慧投資最清晰的指標之一。

DRAM 與 NAND 價格的持續上升，證實超大型雲端服務商仍以積極的步伐擴張資料中心基礎建設。

對數位資產投資人而言，此趨勢也支撐更廣泛的投資主題，包括聚焦 AI 的區塊鏈專案、與 GPU 相關的生態系，以及 AI 代理（agent）開發。

若如 Bernstein 所預測，記憶體多頭市場能持續到 2027 年，則針對 AI 基礎建設的持續投資，可能會成為同時支撐半導體製造商與新興、由 AI 驅動之數位生態系的關鍵科技趨勢之一。

值得關注的關鍵指標

DRAM 合約定價。

NAND 合約定價。

伺服器 DRAM 需求。

HBM 生產產能。

AI 基礎建設資本支出。

2027 年的半導體庫存擴張。

市場展望

Bernstein 最新研究顯示，全球記憶體產業已進入一個由持續的人工智慧需求所驅動、結構性更強的階段，而非傳統的週期性復甦。

雖然短期的價格波動與估值修正仍可能發生，但持續的供應限制、擴大的超大型投資，以及強勁的企業需求，支持了「記憶體半導體超級循環可能遠超過 2026 年」的觀點。

#BernsteinSaysMemoryBullMarketToLastUntil2027
@Gate_Square