#BernsteinSaysMemoryBullMarketToLastUntil2027

我們正在遠離由供應短缺引發恐慌所觸發的混亂、突發性價格飆升；相反地，我們正進入一段結構上穩健、由 AI 驅動的擴張期，預期將持續至 2027 年。
推動這一輪循環的動能，解釋了為何即使消費需求放緩，市場仍保持韌性。
2026 年第 2 季的價格上漲與第 3 季的放緩：2026 年第二季度對記憶體製造商而言非常強勁；然而，第三季度的放緩訊號顯示，消費者正觸及其購買力的上限。
傳統 DRAM：平均上漲 74%；預期成長將放緩至 13%–18% 的區間。
伺服器 DRAM：+60% 到 +67%；受惠於高效能 DDR5 模組；現貨價格相較合約價格正在以顯著溢價交易。
行動 DRAM：約 80%；出現急遽高峰，但手機製造商（OEM）如今正調整採購時程，並因成本而縮減配置。
NAND Flash：約 60%（整體合約）；明顯可見顯著分歧。6 月晶圓現貨價格下跌 3%–4%，但企業 SSD 與行動儲存分部（+70% 到 +80%）仍支撐市場。
由 AI 驅動的結構性轉變：為什麼這次不同？
歷史上，記憶體循環常呈現「繁榮與崩落」模式：供應商累積過剩產能，消費端對 PC 與智慧型手機的需求下滑，價格跌至谷底。
這一輪正被兩股關鍵力量從根本上改寫：
長期合約（LTAs）：超大型資料中心營運商與美國一線雲端服務提供商（CSP）不再只依賴開放現貨市場的採購。他們正在簽署 3 到 5 年期合約，合約包含嚴格的價格底線，以防範景氣下行。舉例而言，雖然 SK Hynix 與 Micron 等供應商在今年年初簽下了大型 LTAs 以鎖定產品分配，但 Samsung 採取了更積極的立場，目標是達成更高的價格上限。
產能轉移（鯨吞式替代）：對高頻寬記憶體（HBM）與先進伺服器 DDR5 的旺盛需求，意味著製造商正在將實體晶圓產能從傳統的 PC 與行動 DRAM 生產，轉移至這些領域。即使消費性電子的需求走弱，整體供給仍維持受限，因為生產設施（晶圓廠）聚焦在製造高毛利的 AI 晶片。

供應商展望
Bernstein 的觀點指出，這種高度多元化、以 AI 為核心的生產策略帶來的贏家：
Samsung、SK Hynix 與 Micron（表現優於）：這三家公司是 HBM 與 DDR5 需求熱潮的主要受惠者；他們擁有龐大且已確保的長期合約（LTA）訂單存量，透過 2027 年之前的期間平滑收入走勢。
SanDisk（表現優於）：由於其在企業 SSD 合約中的結構性布局極具優勢，能提供高價格底線（約 0.29 美元/GB），使其免受 NAND 晶圓價格的小幅波動影響。
Kioxia（審慎/表現落後）：暴露在更具波動的、非 LTA 的商品型快閃市場，且對於消費端晶圓需求放緩的防禦較少。
月度價格飆升的「火箭船」階段正在結束，但別把這誤認為多頭市場的終結。記憶體定價的結構性基準仍維持在高位。預期直到 2027 年底或 2028 年，才會讓正常化全面落地，因為新建產能直到現在才終於開始投產。