記憶體超級週期正全面展開，華爾街頂級投資銀行 Bernstein 在其 7 月 8 日的月度全球儲存追蹤報告中描繪了極度看好的前景。資深半導體分析師 Mark Li 表示，DRAM 合約價格在 6 月持續月增，使得 2026 年第二季傳統 DRAM 均價較第一季上漲約 74%。伺服器與行動需求仍是主要驅動力，伺服器 DRAM 價格預計在第二季上漲約 60% 至 67%，行動 DRAM 則接近 80%。NAND 快閃記憶體合約價格預計季增 65%-70%，主要受 SSD 與行動 NAND 封裝推動。

這些數字背後是 AI 基礎設施投資的巨浪，它從根本上改變了記憶體晶片的供需動態。全球三大 DRAM 製造商——Samsung、SK Hynix 與 Micron——正積極將產能重新配置給高頻寬記憶體（HBM），以滿足 AI 資料中心的爆炸性需求，導致傳統記憶體晶片嚴重短缺。Bernstein 估計，SK Hynix 的 DRAM 毛利率在 2026 年第二季可能高達 90.9%，並在第四季升至 92.7%，反映前所未有的盈利能力。根據 Bernstein 的數據，廣泛用於 PC 與伺服器的 DRAM 記憶體晶片價格截至 6 月年度漲幅約達 660%。

然而，超級週期並非沒有壓力跡象。現貨價格發出更複雜的信號，伺服器 DDR5 模組現貨價格月減 6.7%，NAND 晶圓現貨價格下跌約 7%，因為價格上漲開始壓抑消費終端需求，並迫使 OEM 與模組廠減少採購。Bernstein 警告，第三季價格漲幅將顯著放緩，TrendForce 預測傳統 DRAM 的價格漲幅將降至 13% 至 18% 之間。與此同時，瑞銀將其 DRAM 價格預測調高一倍，預測第三季 DDR 合約價格將較其先前估計的 17% 季增 32%，顯示價格仍在攀升但增速放緩。Apple 公開表示記憶體飆漲是近期宣布漲價的主要驅動力，據傳正與中國記憶體晶片製造商洽談購買更便宜的晶片，儘管其中部分已被五角大廈列入黑名單。

對投資人而言，Bernstein 的論述提供了關鍵的時間線清晰度：記憶體價格預計將維持強勢至 2027 年，從 2027 年底至 2028 年才開始逐步正常化，因為新供給（包括中國業者可能增加的產能）上線，且需求成長趨於穩定。SK 集團與 Samsung 共同宣布一項為期十年、總額 2000 兆韓元（約 1.3 兆美元）的投資計畫，專注於半導體與 AI 基礎設施，顯示供給擴張終將到來，但無法迅速緩解短期短缺。Jefferies 預測 2026 年第三季記憶體價格將季增 40% 至 50%，第四季再增 30% 至 40%，確認了定價能力持續的論述。

市場影響是多方面的。Micron 的股價受益於有利的供需動態，華爾街維持強力買入共識評級，公佈的最高目標價為 2000 美元。SK Hynix 剛完成其具里程碑意義的 280 億美元那斯達克 ADR 上市，超額認購逾七倍，而 Samsung 則持續主導更廣泛的記憶體市場。對加密貨幣領域而言，影響間接但真實：AI 驅動的記憶體需求推高了資料中心成本，可能影響區塊鏈基礎設施在驗證與節點運作上的經濟效益，而專注於 AI 的代幣則可能從流入半導體供應鏈的廣泛投資浪潮中受益。

Bernstein 的核心論述毫不含糊：這不是一個短暫的週期，而是一個由 AI 驅動、具有持久需求驅動力的結構性超級週期。關鍵風險在於，消費需求疲軟是否會迫使價格更快正常化，以及中國產能加入是否會比預期更早打破寡頭定價能力。目前，數據支持一個延長的牛市，但投資人應監控第三季合約價格趨勢與現貨市場走軟，作為週期轉折的早期指標。記憶體牛市持續至 2027 年並非預測——而是基於半導體產業所見過最強大的技術需求週期的數據支持推測。

#BernsteinSaysMemoryBullMarketToLastUntil2027
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