英特爾專利曝光新型XBM記憶體架構,擬繞開HBM矽中介層降低AI記憶體成本

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火星財經消息 7月8日消息,英特爾一項近日公開的專利申請顯示,公司正研發名為XBM(Cross-Batch Memory)的新型高頻寬記憶體架構,旨在通過取消HBM所需的矽中介層、採用UCIe互連及內置冗餘修復機制,降低先進封裝成本並緩解AI晶片「記憶體牆」瓶頸。專利顯示,XBM採用後端電晶體(BEOL)DRAM堆疊設計,可在保持與HBM4相近封裝尺寸的同時提升可擴展性,並支持缺陷修復以提高良率。(廣角觀察)
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