7 月首個交易日，加密市場延續弱勢整理格局。據 Gate 行情數據，比特幣跌破 60,000 美元心理關卡，報 58,554.7 美元；以太坊同步失守 1,600 美元關口，報 1,574.07 美元。加密總市值維持在約 2 兆美元，比特幣市場主導率超過 57%。過去 24 小時全市場爆倉約 2.49 億美元，多頭遭遇明顯壓力。恐懼與貪婪指數跌至 11-16 區間，連續處於極度恐懼狀態。
與加密市場的寒意形成對比，半導體存儲市場正在經歷一輪密集的預期上調。高盛在 6 月 30 日發布的 DRAM 情緒指標中，將三星電子 2027 年 HBM 價格增速預期從此前的 14% 大幅上調至 44%。這一調整幅度不可謂不大——從 14% 到 44%，整整高出 30 個百分點。更值得注意的是，高盛同時指出，這一上修後的預測「可能仍未充分反映上行風險」，意味著 44% 的漲幅預估「可能還不是終點」。
44% 從何而來？高盛為什麼在這個時間節點做出如此大幅度的上修？回答這個問題，需要拆解高盛報告中的三個核心邏輯鏈條。
高盛此次上調預期最直接的觸發因素，來自傳統 DRAM 現貨價格的強勁表現。
按高盛跟踪口徑，截至 6 月 26 日，DDR5 現貨價格自 5 月 1 日以來已上漲 20%，較 5 月合約價溢價 25%；DDR4 現貨價格同期上漲 11%，較 5 月合約價溢價高達 45%。7 月 1 日的最新報價顯示，DDR5 16Gb 均價持穩於 46.833 美元，此前一個交易日上漲 0.21%，現貨價格仍在高位運行。
現貨價格大幅領先合約價格，在存儲行業通常被視為後續合約價格跟漲的領先信號。高盛在報告中明確指出：「當前傳統 DRAM 現貨價格的強勁表現，勢必會在探討明年 HBM 定價時被納入重要參考。」
這個邏輯鏈條並不複雜。HBM 的合約談判並非孤立發生——存儲廠商與雲廠商、AI 晶片公司討論下一年 HBM 供應合約時，傳統 DRAM 的市場價格構成了一個重要的參照系。當 DDR5 和 DDR4 等普通記憶體的價格持續走強，存儲廠商的議價基礎就更扎實。HBM 作為更高端、更緊缺的產品，其定價相對於普通 DRAM 的溢價空間反而可能擴大，而非縮小。
高盛在模型中進一步推演：如果 HBM 供需繼續偏緊、傳統 DRAM 與 HBM 價格差距繼續擴大，44% 的預測還存在進一步上調的可能。這是一個自我強化的邏輯——傳統 DRAM 漲得越多，HBM 漲價的空間就越大。
價格預期上調如果只有理論推演，說服力會大打折扣。高盛報告的另一層支撐，來自 5 月出口和收入數據的全面走強。
韓國官方數據顯示，2026 年 5 月韓國出口總額 878 億美元，同比增長 53.2%，改寫單月歷史新高。其中 DRAM 出口 186 億美元，同比增長 369.8%，環比增長 21%，同樣創下歷史新高。NAND 出口同比增長 206.8%。高盛指出，這一成績背後是記憶體價格上漲疊加美國、中國大型科技公司的強勁需求共同驅動。
台灣供應鏈的數據更為直觀。南亞科 2026 年 5 月合併營收 276.7 億新台幣，環比增長 8.55%，同比增長 730.14%，已連續 10 個月維持三位數年增率。高盛跟踪的分銷商至上電子 5 月收入同比增長 253%、環比增長 54%。
伺服器供應鏈同樣景氣。台灣伺服器 ODM 廠商（英業達、廣達、緯穎、緯創）5 月合計營收同比增長 53%，背後是機架級 AI 伺服器及 ASIC AI 伺服器出貨量的快速攀升。全球伺服器 BMC 主要供應商信驊 5 月收入同比增長 69%——值得注意的是，這是在去年同期已有 75% 高基數的情況下實現的。
這組數據共同指向一個結論：AI 伺服器和傳統伺服器需求仍在消化更高記憶體價格。漲價已經不只是報價螢幕上的數字變化，而是實實在在地反映到了廠商的收入端和出口數據中。只要下游願意接受漲價，存儲廠商對 2027 年 HBM 合約的談判底氣就不會太弱。
HBM 漲價預期的第三個支撐，來自供給側的結構性約束。
目前全球 DRAM 市場超過 95% 的產能掌握在三星、SK 海力士及美光手中。由於 HBM 毛利率超過 70%，明顯高於傳統 DRAM 約 40%，三大廠商持續將有限的 12 吋晶圓產能優先投入 HBM 生產，這反過來又導致 DDR4、DDR5 等通用型記憶體供應持續緊縮。
HBM 的供給彈性遠低於普通 DRAM。產能轉換難度更高，客戶認證週期更長，建置額外生產產能需要投入龐大資金且往往耗時數年。這意味著即使價格信號明確，供給端的響應速度也天然受限。
需求端同樣沒有減弱跡象。美光 2026 年全年的 HBM 供應已在固定價格合約下售罄。集邦科技預計，SK 海力士 2026 年全年 HBM 市占率可維持約 50%，三星約 28%，美光約 22%。三大巨頭的產能擴張計劃雖然激進——三星計劃 2026 年將 HBM 產能提升 50%，目標達到每月 25 萬片晶圓——但面對 AI 伺服器需求的持續擴張，供給缺口在 2027 年之前恐怕難以完全彌合。
高盛對三星 2026 年第二季度 DRAM 平均售價的估計是環比上漲約 46%，隨後第三季度、第四季度分別放緩至 15% 和 7%。價格仍可能繼續上漲，但漲幅最快的階段可能出現在第二季度。高盛維持三星電子「買入」評級，普通股 12 個月目標價為 480,000 韓元，優先股目標價為 360,000 韓元。
任何分析都不能只講利好的一面。高盛的報告同樣包含清晰的風險提示。
首先需要明確的是，44% 是高盛對三星 2027 年 HBM 價格增長的預測，不是已經落地的報價，也不是三星給出的公司指引。它建立在 HBM 供需繼續緊張、傳統 DRAM 價格繼續強勢的假設之上。如果這些假設發生變化，預測本身也會被修正。
高盛交易員山浦一平在另一份報告中提醒，近期科技股重挫反映的並非短期修正，而是 AI 基礎建設與記憶體供應鏈開始面臨結構性挑戰。報告指出了三大風險：
第一，HBM 供需可能在 2027 至 2028 年出現轉折。隨著三星、美光及 SK 海力士持續大幅擴產，HBM 產能將快速增加，市場普遍預期供不應求的溢價可能於該時期見頂。
第二，中國記憶體勢力正在快速崛起。根據《金融時報》報道，蘋果正積極遊說美國政府希望批准向中國長鑫存儲採購記憶體。若未來政策放行，可能直接衝擊既有 DRAM 供應商的市場地位。
第三，AI 投資熱潮開始出現降溫跡象。高通正研究降低對 HBM 依賴，輝達也持續優化記憶體使用效率。OpenAI 近期調降服務價格，使市場再次質疑 AI 巨額投資何時才能轉化為實際獲利。
此外，智慧型手機需求仍是拖累項。雖然中國智慧型手機 5 月出貨同比增長 19%，但 2026 年至今累計出貨量基本與 2025 年持平，第二季度出貨仍被預計同比下滑 14%。漲價本身會反過來壓制部分消費電子需求——AI 伺服器和雲廠商對高價記憶體的承受能力更強，但手機、PC 等終端如果無法順利轉嫁成本，可能減少採購或推遲補庫存。
把視線拉回加密市場。比特幣在 7 月 1 日跌破 60,000 美元，第二季度累計跌幅接近 20%。6 月美國比特幣現貨 ETF 單月淨流出約 40.6 億美元，創產品推出以來最大單月贖回規模。
存儲晶片漲價與加密資產下跌，看似分屬兩個世界，實則在回答同一個問題：在流動性環境和終端需求的雙重約束下，資產價格如何被重新定價？AI 算力需求支撐了 HBM 和 DRAM 的漲價邏輯，但消費電子的疲軟又為這一邏輯劃出了邊界。加密市場同樣面臨類似的張力——機構資金在 ETF 層面持續流出，鏈上數據顯示部分長期持有者正在「投降式拋售」。
兩個市場的投資者都在等待同一個答案：終端需求能否承接住當前的估值。
高盛將三星 2027 年 HBM 價格增速預期從 14% 上調至 44%，背後有三個層層遞進的邏輯：傳統 DRAM 現貨漲價正在改寫 HBM 的定價參照；韓國出口和台灣廠商收入數據交叉驗證了景氣度；供給剛性疊加需求韌性，供需缺口短期難以彌合。高盛同時明確指出，44% 的預測「可能還不是終點」。
但 44% 仍是一個預測，而非已經發生的價格。這份預測的兌現，最終取決於 AI 伺服器需求的持續性、HBM 供給釋放的速度、以及消費電子能否承受更貴的記憶體。高盛自己也指出了 HBM 供需轉折、中國廠商崛起和 AI 投資降溫三大結構性風險。
對於加密市場投資者而言，存儲晶片的定價邏輯提供了一個觀察 AI 產業鏈景氣度的窗口。在加密資產本身處於弱勢整理的當下，理解算力基礎設施的成本結構和定價博弈，或許比單純盯著 K 線更有價值。漲價的邏輯鏈條清晰，但最終能否兌現，市場會給出一份自己的答案。
Q1：高盛為什麼將三星 HBM 價格預期從 14% 大幅上調至 44%？
核心原因是傳統 DRAM 現貨價格持續走強。DDR5 現貨價自 5 月以來上漲 20%，較合約價溢價 25%；DDR4 上漲 11%，溢價高達 45%。現貨價格通常領先合約市場，當前傳統 DRAM 的強勁表現會被納入明年 HBM 定價談判的參考依據。
Q2：44% 的漲幅預測是已經發生的漲價嗎？
不是。44% 是高盛對三星 2027 年 HBM 價格增速的預測，並非已經落地的報價，也不是三星給出的公司指引。高盛同時認為，如果 HBM 供需繼續偏緊、傳統 DRAM 與 HBM 價差繼續擴大，這一預測仍有進一步上調的可能。
Q3：除了傳統 DRAM 漲價，還有哪些數據支撐這一預測？
韓國 5 月 DRAM 出口同比增長 369.8%、環比增長 21%，再創歷史新高。南亞科 5 月營收同比增長 730%，連續 10 個月三位數增長。台灣伺服器 ODM 廠商合計營收同比增長 53%，伺服器 BMC 供應商信驊營收同比增長 69%。產業鏈數據正在交叉驗證漲價邏輯。
Q4：高盛是否提示了任何風險？
高盛交易員在另一份報告中指出了三大結構性風險：HBM 供需可能在 2027-2028 年出現轉折；中國記憶體廠商（如長鑫存儲）正在崛起；AI 投資熱潮開始出現降溫跡象。此外，智慧型手機需求偏弱，漲價本身可能壓制消費電子終端需求。
Q5：HBM 漲價對加密市場有什麼參考意義？
HBM 是 AI 伺服器中與 GPU 配套的核心記憶體，其價格走勢反映 AI 算力基礎設施的成本變化。加密市場中的 AI 相關項目、礦機硬體成本都與晶片價格間接相關。此外，存儲晶片景氣度與全球風險資產定價之間存在流動性層面的聯動，可作為觀察科技產業鏈情緒的參考指標。
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高盛為何押注 HBM 明年再漲 44%？傳統 DRAM 漲價正在改寫定價邏輯
7 月首個交易日，加密市場延續弱勢整理格局。據 Gate 行情數據，比特幣跌破 60,000 美元心理關卡，報 58,554.7 美元；以太坊同步失守 1,600 美元關口，報 1,574.07 美元。加密總市值維持在約 2 兆美元，比特幣市場主導率超過 57%。過去 24 小時全市場爆倉約 2.49 億美元，多頭遭遇明顯壓力。恐懼與貪婪指數跌至 11-16 區間，連續處於極度恐懼狀態。
與加密市場的寒意形成對比，半導體存儲市場正在經歷一輪密集的預期上調。高盛在 6 月 30 日發布的 DRAM 情緒指標中，將三星電子 2027 年 HBM 價格增速預期從此前的 14% 大幅上調至 44%。這一調整幅度不可謂不大——從 14% 到 44%，整整高出 30 個百分點。更值得注意的是，高盛同時指出，這一上修後的預測「可能仍未充分反映上行風險」，意味著 44% 的漲幅預估「可能還不是終點」。
44% 從何而來？高盛為什麼在這個時間節點做出如此大幅度的上修？回答這個問題，需要拆解高盛報告中的三個核心邏輯鏈條。
邏輯一：傳統 DRAM 現貨漲價，正在改寫 HBM 的定價錨
高盛此次上調預期最直接的觸發因素，來自傳統 DRAM 現貨價格的強勁表現。
按高盛跟踪口徑，截至 6 月 26 日，DDR5 現貨價格自 5 月 1 日以來已上漲 20%，較 5 月合約價溢價 25%；DDR4 現貨價格同期上漲 11%，較 5 月合約價溢價高達 45%。7 月 1 日的最新報價顯示，DDR5 16Gb 均價持穩於 46.833 美元，此前一個交易日上漲 0.21%，現貨價格仍在高位運行。
現貨價格大幅領先合約價格，在存儲行業通常被視為後續合約價格跟漲的領先信號。高盛在報告中明確指出：「當前傳統 DRAM 現貨價格的強勁表現，勢必會在探討明年 HBM 定價時被納入重要參考。」
這個邏輯鏈條並不複雜。HBM 的合約談判並非孤立發生——存儲廠商與雲廠商、AI 晶片公司討論下一年 HBM 供應合約時，傳統 DRAM 的市場價格構成了一個重要的參照系。當 DDR5 和 DDR4 等普通記憶體的價格持續走強，存儲廠商的議價基礎就更扎實。HBM 作為更高端、更緊缺的產品，其定價相對於普通 DRAM 的溢價空間反而可能擴大，而非縮小。
高盛在模型中進一步推演：如果 HBM 供需繼續偏緊、傳統 DRAM 與 HBM 價格差距繼續擴大，44% 的預測還存在進一步上調的可能。這是一個自我強化的邏輯——傳統 DRAM 漲得越多，HBM 漲價的空間就越大。
邏輯二：產業鏈數據交叉驗證，漲價不是孤立現象
價格預期上調如果只有理論推演，說服力會大打折扣。高盛報告的另一層支撐，來自 5 月出口和收入數據的全面走強。
韓國官方數據顯示，2026 年 5 月韓國出口總額 878 億美元，同比增長 53.2%，改寫單月歷史新高。其中 DRAM 出口 186 億美元，同比增長 369.8%，環比增長 21%，同樣創下歷史新高。NAND 出口同比增長 206.8%。高盛指出，這一成績背後是記憶體價格上漲疊加美國、中國大型科技公司的強勁需求共同驅動。
台灣供應鏈的數據更為直觀。南亞科 2026 年 5 月合併營收 276.7 億新台幣，環比增長 8.55%，同比增長 730.14%，已連續 10 個月維持三位數年增率。高盛跟踪的分銷商至上電子 5 月收入同比增長 253%、環比增長 54%。
伺服器供應鏈同樣景氣。台灣伺服器 ODM 廠商（英業達、廣達、緯穎、緯創）5 月合計營收同比增長 53%，背後是機架級 AI 伺服器及 ASIC AI 伺服器出貨量的快速攀升。全球伺服器 BMC 主要供應商信驊 5 月收入同比增長 69%——值得注意的是，這是在去年同期已有 75% 高基數的情況下實現的。
這組數據共同指向一個結論：AI 伺服器和傳統伺服器需求仍在消化更高記憶體價格。漲價已經不只是報價螢幕上的數字變化，而是實實在在地反映到了廠商的收入端和出口數據中。只要下游願意接受漲價，存儲廠商對 2027 年 HBM 合約的談判底氣就不會太弱。
邏輯三：供給剛性 + 需求韌性，供需缺口短期難以彌合
HBM 漲價預期的第三個支撐，來自供給側的結構性約束。
目前全球 DRAM 市場超過 95% 的產能掌握在三星、SK 海力士及美光手中。由於 HBM 毛利率超過 70%，明顯高於傳統 DRAM 約 40%，三大廠商持續將有限的 12 吋晶圓產能優先投入 HBM 生產，這反過來又導致 DDR4、DDR5 等通用型記憶體供應持續緊縮。
HBM 的供給彈性遠低於普通 DRAM。產能轉換難度更高，客戶認證週期更長，建置額外生產產能需要投入龐大資金且往往耗時數年。這意味著即使價格信號明確，供給端的響應速度也天然受限。
需求端同樣沒有減弱跡象。美光 2026 年全年的 HBM 供應已在固定價格合約下售罄。集邦科技預計，SK 海力士 2026 年全年 HBM 市占率可維持約 50%，三星約 28%，美光約 22%。三大巨頭的產能擴張計劃雖然激進——三星計劃 2026 年將 HBM 產能提升 50%，目標達到每月 25 萬片晶圓——但面對 AI 伺服器需求的持續擴張，供給缺口在 2027 年之前恐怕難以完全彌合。
高盛對三星 2026 年第二季度 DRAM 平均售價的估計是環比上漲約 46%，隨後第三季度、第四季度分別放緩至 15% 和 7%。價格仍可能繼續上漲，但漲幅最快的階段可能出現在第二季度。高盛維持三星電子「買入」評級，普通股 12 個月目標價為 480,000 韓元，優先股目標價為 360,000 韓元。
風險邊界：44% 是預測，不是承諾
任何分析都不能只講利好的一面。高盛的報告同樣包含清晰的風險提示。
首先需要明確的是，44% 是高盛對三星 2027 年 HBM 價格增長的預測，不是已經落地的報價，也不是三星給出的公司指引。它建立在 HBM 供需繼續緊張、傳統 DRAM 價格繼續強勢的假設之上。如果這些假設發生變化，預測本身也會被修正。
高盛交易員山浦一平在另一份報告中提醒，近期科技股重挫反映的並非短期修正，而是 AI 基礎建設與記憶體供應鏈開始面臨結構性挑戰。報告指出了三大風險：
第一，HBM 供需可能在 2027 至 2028 年出現轉折。隨著三星、美光及 SK 海力士持續大幅擴產，HBM 產能將快速增加，市場普遍預期供不應求的溢價可能於該時期見頂。
第二，中國記憶體勢力正在快速崛起。根據《金融時報》報道，蘋果正積極遊說美國政府希望批准向中國長鑫存儲採購記憶體。若未來政策放行，可能直接衝擊既有 DRAM 供應商的市場地位。
第三，AI 投資熱潮開始出現降溫跡象。高通正研究降低對 HBM 依賴，輝達也持續優化記憶體使用效率。OpenAI 近期調降服務價格，使市場再次質疑 AI 巨額投資何時才能轉化為實際獲利。
此外，智慧型手機需求仍是拖累項。雖然中國智慧型手機 5 月出貨同比增長 19%，但 2026 年至今累計出貨量基本與 2025 年持平，第二季度出貨仍被預計同比下滑 14%。漲價本身會反過來壓制部分消費電子需求——AI 伺服器和雲廠商對高價記憶體的承受能力更強，但手機、PC 等終端如果無法順利轉嫁成本，可能減少採購或推遲補庫存。
兩個市場，同一個問題
把視線拉回加密市場。比特幣在 7 月 1 日跌破 60,000 美元，第二季度累計跌幅接近 20%。6 月美國比特幣現貨 ETF 單月淨流出約 40.6 億美元，創產品推出以來最大單月贖回規模。
存儲晶片漲價與加密資產下跌，看似分屬兩個世界，實則在回答同一個問題：在流動性環境和終端需求的雙重約束下，資產價格如何被重新定價？AI 算力需求支撐了 HBM 和 DRAM 的漲價邏輯，但消費電子的疲軟又為這一邏輯劃出了邊界。加密市場同樣面臨類似的張力——機構資金在 ETF 層面持續流出，鏈上數據顯示部分長期持有者正在「投降式拋售」。
兩個市場的投資者都在等待同一個答案：終端需求能否承接住當前的估值。
結語
高盛將三星 2027 年 HBM 價格增速預期從 14% 上調至 44%，背後有三個層層遞進的邏輯：傳統 DRAM 現貨漲價正在改寫 HBM 的定價參照；韓國出口和台灣廠商收入數據交叉驗證了景氣度；供給剛性疊加需求韌性，供需缺口短期難以彌合。高盛同時明確指出，44% 的預測「可能還不是終點」。
但 44% 仍是一個預測，而非已經發生的價格。這份預測的兌現，最終取決於 AI 伺服器需求的持續性、HBM 供給釋放的速度、以及消費電子能否承受更貴的記憶體。高盛自己也指出了 HBM 供需轉折、中國廠商崛起和 AI 投資降溫三大結構性風險。
對於加密市場投資者而言，存儲晶片的定價邏輯提供了一個觀察 AI 產業鏈景氣度的窗口。在加密資產本身處於弱勢整理的當下，理解算力基礎設施的成本結構和定價博弈，或許比單純盯著 K 線更有價值。漲價的邏輯鏈條清晰，但最終能否兌現，市場會給出一份自己的答案。
FAQ
Q1：高盛為什麼將三星 HBM 價格預期從 14% 大幅上調至 44%？
核心原因是傳統 DRAM 現貨價格持續走強。DDR5 現貨價自 5 月以來上漲 20%，較合約價溢價 25%；DDR4 上漲 11%，溢價高達 45%。現貨價格通常領先合約市場，當前傳統 DRAM 的強勁表現會被納入明年 HBM 定價談判的參考依據。
Q2：44% 的漲幅預測是已經發生的漲價嗎？
不是。44% 是高盛對三星 2027 年 HBM 價格增速的預測，並非已經落地的報價，也不是三星給出的公司指引。高盛同時認為，如果 HBM 供需繼續偏緊、傳統 DRAM 與 HBM 價差繼續擴大，這一預測仍有進一步上調的可能。
Q3：除了傳統 DRAM 漲價，還有哪些數據支撐這一預測？
韓國 5 月 DRAM 出口同比增長 369.8%、環比增長 21%，再創歷史新高。南亞科 5 月營收同比增長 730%，連續 10 個月三位數增長。台灣伺服器 ODM 廠商合計營收同比增長 53%，伺服器 BMC 供應商信驊營收同比增長 69%。產業鏈數據正在交叉驗證漲價邏輯。
Q4：高盛是否提示了任何風險？
高盛交易員在另一份報告中指出了三大結構性風險：HBM 供需可能在 2027-2028 年出現轉折；中國記憶體廠商（如長鑫存儲）正在崛起；AI 投資熱潮開始出現降溫跡象。此外，智慧型手機需求偏弱，漲價本身可能壓制消費電子終端需求。
Q5：HBM 漲價對加密市場有什麼參考意義？
HBM 是 AI 伺服器中與 GPU 配套的核心記憶體，其價格走勢反映 AI 算力基礎設施的成本變化。加密市場中的 AI 相關項目、礦機硬體成本都與晶片價格間接相關。此外，存儲晶片景氣度與全球風險資產定價之間存在流動性層面的聯動，可作為觀察科技產業鏈情緒的參考指標。