廣場
最新
熱門
新聞
我的主頁
發布
中金:核心第三代化合物半導體器件有望持續受益於數據中心電力相關系統升級
MarsBit News
2026-06-30 00:19:58
關注
摘要生成中
火星財經消息,中金指出,在AI算力走向高密度、連續滿載、強瞬態衝擊之後,高壓架構是資料中心供電系統發展的確定方向。在硬體技術進步推動下,2026年資料中心高壓架構迎來落地元年。中金認為,SiC/GaN等核心第三代化合物半導體器件有望持續受益於資料中心電力相關系統升級,SiC有望統領機房側(灰區)應用,而GaN有望在機櫃內(白區)大規模滲透,從灰、白區分界線形成「SiC左,GaN向右」的市場格局,共同受益於資料中心電源方案迭代。(財聯社)
查看原文
此頁面可能包含第三方內容,僅供參考(非陳述或保證),不應被視為 Gate 認可其觀點表述,也不得被視為財務或專業建議。詳見
聲明
。
打賞
按讚
回覆
轉發
分享
回覆
請輸入回覆內容
請輸入回覆內容
回覆
暫無回覆
熱門話題
查看更多
#
TradFiCFD黃金大師賽
221.95萬 熱度
#
Strategy擬回購股票漲超12%
871.94萬 熱度
#
預測世界盃法國VS瑞典
56.25萬 熱度
#
Solana生態ANSEM暴漲
2202.14萬 熱度
#
USD1鏈上質押享年化7.66%
101.5萬 熱度
已置頂
網站地圖
中金:核心第三代化合物半導體器件有望持續受益於數據中心電力相關系統升級