中金:核心第三代化合物半導體器件有望持續受益於數據中心電力相關系統升級

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火星財經消息,中金指出,在AI算力走向高密度、連續滿載、強瞬態衝擊之後,高壓架構是資料中心供電系統發展的確定方向。在硬體技術進步推動下,2026年資料中心高壓架構迎來落地元年。中金認為,SiC/GaN等核心第三代化合物半導體器件有望持續受益於資料中心電力相關系統升級,SiC有望統領機房側(灰區)應用,而GaN有望在機櫃內(白區)大規模滲透,從灰、白區分界線形成「SiC左,GaN向右」的市場格局,共同受益於資料中心電源方案迭代。(財聯社)
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