2026年6月22日，韓國資本市場迎來歷史性一刻——SK海力士（000660.KS）盤中股價漲至295萬韓元，市值觸及208.1兆韓元，首次超越三星電子（005930.KS）的207.3兆韓元，打破了三星連續26年穩坐韓國市值頭把交椅的紀錄。這一里程碑的背後，是一場由生成式AI驅動的存儲晶片產業權力重構。而這場重構的核心主角，正是HBM（High Bandwidth Memory，高頻寬記憶體）。
過去兩年間，幾乎所有關於AI算力的討論都圍繞著GPU展開。輝達的晶片供不應求、台積電的先進製程產能滿載，這些故事已被反覆講述。但在GPU的光環之下，一個更為隱蔽、也更為關鍵的瓶頸正在悄然收緊——HBM。沒有足夠的高頻寬記憶體，再強大的算力晶片也只能空轉。
2026年，HBM正從半導體產業的一個細分品類，躍升為決定AI基礎設施擴張速度的戰略性稀缺資源。本文將從技術原理、市場邏輯、競爭格局與投資標的四個維度，系統拆解HBM為何成為AI時代的「黃金記憶體」。
要理解HBM為何如此重要，首先需要回到一個基礎問題：現代計算架構中，處理器與存儲器之間的速度差距正在不斷拉大。CPU或GPU的計算速度每18至24個月翻一番，但記憶體的頻寬提升速度卻遠遠跟不上。這一矛盾被稱為「記憶體牆」（Memory Wall）——算力再強，如果數據無法及時送達，晶片只能空轉等待。
HBM正是為解決這一瓶頸而生。它是一種高效能記憶體架構，通過垂直堆疊多個DRAM晶片，並使用穿透矽通孔（TSV）技術實現晶片之間的高速互聯。簡單來說，傳統記憶體是將DRAM晶片平鋪在電路板上，數據通過有限的引腳傳輸；而HBM將DRAM晶片像「疊羅漢」一樣垂直封裝，再通過數千條微細通道同時傳輸數據，頻寬遠超傳統DDR記憶體。
HBM的獨特設計使其擁有前所未有的頻寬密度。以最新的HBM4為例，JEDEC於2025年4月發佈的官方規範顯示，HBM4的接口寬度翻倍至2,048位，單堆棧頻寬可達每秒2 TB。三星量產的HBM4採用12層堆疊方案，單顆堆棧基礎容量36 GB，引腳傳輸速率13 Gbps，單堆棧總頻寬可達3.3 TB/s。
正是這種「高頻寬+低功耗」的特性，使HBM成為AI訓練與推理場景中不可替代的核心組件。大語言模型動輒數千億參數，每一次前向與反向傳播都需要在處理器與記憶體之間交換海量數據——只有HBM能夠提供足夠的頻寬來支撐這一過程。
HBM市場的擴張速度，正在重新定義整個存儲晶片行業的增長曲線。
根據Stratistics MRC的數據，2026年全球HBM市場規模預計將達到134億美元，並在預測期內以34.1%的複合年增長率成長，到2034年有望達到1,410億美元。而另一組來自SEMI的數據更為激進——SEMI中國總裁馮莉在SEMICON China 2026上指出，2026年HBM市場規模將增長58%至546億美元，佔DRAM市場近四成份額。
兩組數據口徑不同，但指向同一個結論：HBM正以遠超傳統半導體品類的速度擴張。世界半導體貿易統計組織（WSTS）預測，2026年全球半導體市場總規模將達到9,750億美元。而存儲器2026年同比增長約250%，市場規模突破8,000億美元。HBM正是存儲器板塊中增長最快、利潤率最高的細分賽道。
這一增長的核心驅動力來自AI基礎設施的持續擴張。2026年全球AI基礎設施支出將達到4,500億美元，其中推理算力佔比首次超過70%。AI模型正從訓練階段向推理和代理式AI演進，這意味著對高效能存儲的需求不僅沒有放緩，反而在持續擴大。
與市場規模同步攀升的，是日益嚴峻的供需失衡。
儘管三星、SK海力士、美光三大原廠已將70%的新增或可調配產能傾斜至HBM，但HBM產能缺口仍高達50%至60%。2025年HBM缺口率達45%，2026年依舊維持43.5%的高位。機構測算顯示，2026年全球DRAM供需缺口約7%、HBM缺口約6%，且緊缺態勢持續加劇，2027年DRAM與HBM缺口將擴大至9%。
更值得關注的是，三大原廠2026年的全部HBM產能早已經被下游客戶全年鎖定，不少核心客戶甚至已將產能鎖定至2028年。美光管理層在2026財年第三季度財報中公開確認，公司僅能滿足客戶實際需求的約50%至66%。高盛預計，存儲市場供應短缺情況將持續至2028年。
這種供需失衡並非短期脈衝，而是由多重結構性力量共同驅動的結果。需求端，AI模型的參數規模持續膨脹、推理需求的崛起構成了剛性支撐；供給端，TSV工藝的複雜性、先進封裝的良率爬坡、以及設備交付週期等物理約束，使得新增產能釋放最快也要到2028至2029年。國際投行普遍認為，HBM供不應求是至少三年級別的產業趨勢。
HBM市場的競爭格局，正形成以SK海力士、三星電子與美光科技為核心的寡頭結構。
SK海力士是目前HBM市場的絕對領先者。TrendForce數據顯示，在2026年全球HBM生產位元佔比中，SK海力士約佔50%，三星約佔28%，美光約佔22%。Counterpoint Research的預測則更為細化，預計SK海力士2026年在HBM4市場的佔有率約為54%，三星為28%，美光約為18%。這一領先地位直接反映在資本市場——SK海力士2026年第一季度營收達52.58兆韓元，同比增長198%、環比增長60%，單季營收首次突破50兆韓元。瑞銀預測SK海力士2026年總營收為355.1兆韓元，經營利潤達286兆韓元。
三星則在經歷HBM3E認證和供貨節奏的波折後，正借助HBM4實現強勢反攻。2026年2月12日，三星在韓國忠南天安園區完成HBM4的全球首發並啟動大規模量產出貨，僅約四個月後累計銷售額便突破10億美元，成為全球存儲行業內首家達成這一里程碑的廠商。若以6月底為統計節點，HBM4累計銷售額預計將超過12億美元。三星計劃在2026年底前將1c DRAM工藝節點月產能提升至約15萬片，用於HBM4的量產。
美光雖然份額相對較小，但增速驚人。2026財年第三季度（截至5月31日），美光營收達414.6億美元，同比增長346%，毛利率84.9%，調整後每股收益25.11美元，同比增長1,215%。美光HBM4 12層產品量產爬坡速度達到HBM3E 12層版本的兩倍，公司已累計交付超過10億美元的HBM4收入。美光管理層判斷，HBM供需緊張將持續至2027年以後。
整體DRAM市場方面，三星仍保持著綜合優勢。2026年第一季度，三星DRAM營收達373.2億美元，環比增長93.4%，市佔率38.5%排名第一；SK海力士營收279.8億美元，環比增長62.5%，市佔率28.8%。這一對比清晰地表明：SK海力士的市值超越並非建立在整體DRAM市場的全面壓倒之上，而是源於HBM這一高利潤細分市場的絕對統治力所帶來的估值溢價。
HBM的超級週期正在沿產業鏈自上而下傳導，為不同環節的投資標的創造了差異化機會。
第一梯隊：三大存儲原廠。 SK海力士、三星電子與美光科技憑藉技術壟斷和產能稀缺，賺取了產業鏈中的絕大部分超額利潤，毛利率突破70%甚至80%。這三家公司是HBM行情最直接、最核心的受益者。
第二梯隊：先進封裝與封測。 HBM產能擴張直接拉動了先進封裝需求。A股市場中，長電科技、通富微電、華天科技等封測龍頭被市場資金聚焦。此外，半導體設備企業如北方華創、中微公司也受益於全球存儲擴產帶來的資本開支上行。
第三梯隊：國內存儲晶片與材料企業。 在全球DRAM與NAND供應持續緊張的背景下，國內存儲晶片廠商迎來了國產替代的窗口期，兆易創新、北京君正、東芯股份、普冉股份等受到市場關注。6月以來，A股算力硬體概念股平均上漲19.05%。
第四梯隊：HBM設備與材料。 包括HBM設備（萬潤、弘塑）、封測（力成、京元電）以及AI伺服器（廣達、緯創、緯穎）等細分環節。
對於加密行業從業者與投資者而言，HBM的景氣週期同樣值得關注——雖然HBM與加密資產分屬不同賽道，但兩者之間存在清晰的邏輯傳導鏈條。
首先，AI算力基礎設施的擴張直接推動了對GPU的需求，而GPU正是HBM的最大採購方。輝達作為全球最大的HBM採購方，其晶片的產能與出貨節奏直接影響著HBM的供需平衡。加密挖礦行業作為GPU的重要下游市場之一，同樣受到這一供應鏈動態的間接影響——當AI算力需求擠佔GPU產能時，加密挖礦硬體的獲取成本與難度隨之上升。
其次，HBM三巨頭的股價表現已成為衡量AI基礎設施投資熱度的風向標。2026年6月，Gate正式上線真實股票交易功能，用戶可直接使用USDT在平台內交易美光、三星電子、SK海力士等主流證券市場的股票與ETF資產。這意味著加密投資者可以通過這一通道，直接參與HBM超級週期的投資機會。
截至2026年6月26日，比特幣報價約59,592美元，較2025年10月的歷史高點126,223美元已下跌超過52%。以太坊同步走弱至1,510美元附近。在加密市場整體承壓的背景下，HBM產業鏈的獨立景氣週期為投資者提供了跨資產類別的配置視角——傳統半導體硬體的結構性短缺與超額利潤，與加密資產的週期波動形成了某種程度的對沖關係。
HBM的火熱並非資本市場憑空製造的題材。它的底層邏輯建立在三個不可迴避的物理與產業現實之上：AI模型參數量的指數級增長對記憶體頻寬提出了剛性需求；TSV 3D堆疊工藝的複雜性使得產能釋放天然緩慢；而全球具備HBM量產能力的企業僅有SK海力士、三星與美光三家。
這不是一個可以無限複製的故事。生產HBM所需晶圓產能約為傳統DRAM的3至4倍。一座2nm晶圓廠的建設成本已超250億美元。這些數字背後是實實在在的物理約束與資本門檻——它們構成了HBM供給端最堅固的護城河，也決定了這一輪「記憶體黃金時代」的持續時間不會短暫。
高盛等多家投行給出的結論高度一致：這場「記憶體荒」絕非短期脈衝，HBM供不應求的結構性短缺至少將持續到2028年。對於投資者而言，理解HBM不僅是為了把握一個投資賽道，更是為了理解AI時代底層基礎設施的運行邏輯——在算力的金字塔尖，最稀缺的往往不是算力本身，而是餵飽算力的那條「數據管道」。
1. HBM和傳統記憶體有什麼區別？
HBM通過TSV矽通孔技術將多個DRAM晶片垂直堆疊，實現遠超傳統DDR記憶體的頻寬密度。傳統記憶體為平面佈局，數據傳輸通道有限；HBM的接口寬度可達2,048位，單堆棧頻寬突破2 TB/s。HBM主要面向AI訓練、高效能計算等頻寬密集型場景，而傳統記憶體更適用於通用計算與消費電子。
2. 為什麼HBM產能這麼緊張？
三大原因：第一，生產HBM所需晶圓產能約為傳統DRAM的3至4倍；第二，TSV工藝與先進封裝的良率爬坡緩慢，設備交付週期長；第三，全球僅三家廠商具備量產能力，2026年產能已全部售罄。三重約束疊加，使得新增產能釋放最快也要到2028至2029年。
3. HBM相關股票有哪些？
三大存儲原廠：SK海力士（000660.KS）、三星電子（005930.KS）、美光科技（MU.O）。A股HBM概念涵蓋先進封裝（長電科技、通富微電、華天科技）、半導體設備（北方華創、中微公司）、存儲晶片（兆易創新、北京君正）等環節。
4. HBM的高毛利能持續多久？
三大原廠毛利率已突破70%甚至80%。美光管理層判斷HBM供需緊張將持續至2027年以後。高盛預計供應短缺將持續至2028年。只要AI基礎設施資本開支不減速，HBM的高毛利週期就有望延續。
5. 加密投資者如何參與HBM行情？
Gate已上線真實股票交易功能，用戶可直接使用USDT交易美光、三星電子、SK海力士等股票與ETF資產。此外，HBM的供需變化將沿GPU產業鏈傳導至加密資產挖礦設備領域，為跨資產配置提供間接的參考信號。
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HBM：AI 算力瓶頸下的「黃金記憶體」，市場規模暴增 58% 與 2026 年投資邏輯
2026年6月22日，韓國資本市場迎來歷史性一刻——SK海力士（000660.KS）盤中股價漲至295萬韓元，市值觸及208.1兆韓元，首次超越三星電子（005930.KS）的207.3兆韓元，打破了三星連續26年穩坐韓國市值頭把交椅的紀錄。這一里程碑的背後，是一場由生成式AI驅動的存儲晶片產業權力重構。而這場重構的核心主角，正是HBM（High Bandwidth Memory，高頻寬記憶體）。
過去兩年間，幾乎所有關於AI算力的討論都圍繞著GPU展開。輝達的晶片供不應求、台積電的先進製程產能滿載，這些故事已被反覆講述。但在GPU的光環之下，一個更為隱蔽、也更為關鍵的瓶頸正在悄然收緊——HBM。沒有足夠的高頻寬記憶體，再強大的算力晶片也只能空轉。
2026年，HBM正從半導體產業的一個細分品類，躍升為決定AI基礎設施擴張速度的戰略性稀缺資源。本文將從技術原理、市場邏輯、競爭格局與投資標的四個維度，系統拆解HBM為何成為AI時代的「黃金記憶體」。
HBM技術原理：破解「記憶體牆」的3D堆疊革命
要理解HBM為何如此重要，首先需要回到一個基礎問題：現代計算架構中，處理器與存儲器之間的速度差距正在不斷拉大。CPU或GPU的計算速度每18至24個月翻一番，但記憶體的頻寬提升速度卻遠遠跟不上。這一矛盾被稱為「記憶體牆」（Memory Wall）——算力再強，如果數據無法及時送達，晶片只能空轉等待。
HBM正是為解決這一瓶頸而生。它是一種高效能記憶體架構，通過垂直堆疊多個DRAM晶片，並使用穿透矽通孔（TSV）技術實現晶片之間的高速互聯。簡單來說，傳統記憶體是將DRAM晶片平鋪在電路板上，數據通過有限的引腳傳輸；而HBM將DRAM晶片像「疊羅漢」一樣垂直封裝，再通過數千條微細通道同時傳輸數據，頻寬遠超傳統DDR記憶體。
HBM的獨特設計使其擁有前所未有的頻寬密度。以最新的HBM4為例，JEDEC於2025年4月發佈的官方規範顯示，HBM4的接口寬度翻倍至2,048位，單堆棧頻寬可達每秒2 TB。三星量產的HBM4採用12層堆疊方案，單顆堆棧基礎容量36 GB，引腳傳輸速率13 Gbps，單堆棧總頻寬可達3.3 TB/s。
正是這種「高頻寬+低功耗」的特性，使HBM成為AI訓練與推理場景中不可替代的核心組件。大語言模型動輒數千億參數，每一次前向與反向傳播都需要在處理器與記憶體之間交換海量數據——只有HBM能夠提供足夠的頻寬來支撐這一過程。
市場爆發：從134億到546億美元的跳躍
HBM市場的擴張速度，正在重新定義整個存儲晶片行業的增長曲線。
根據Stratistics MRC的數據，2026年全球HBM市場規模預計將達到134億美元，並在預測期內以34.1%的複合年增長率成長，到2034年有望達到1,410億美元。而另一組來自SEMI的數據更為激進——SEMI中國總裁馮莉在SEMICON China 2026上指出，2026年HBM市場規模將增長58%至546億美元，佔DRAM市場近四成份額。
兩組數據口徑不同，但指向同一個結論：HBM正以遠超傳統半導體品類的速度擴張。世界半導體貿易統計組織（WSTS）預測，2026年全球半導體市場總規模將達到9,750億美元。而存儲器2026年同比增長約250%，市場規模突破8,000億美元。HBM正是存儲器板塊中增長最快、利潤率最高的細分賽道。
這一增長的核心驅動力來自AI基礎設施的持續擴張。2026年全球AI基礎設施支出將達到4,500億美元，其中推理算力佔比首次超過70%。AI模型正從訓練階段向推理和代理式AI演進，這意味著對高效能存儲的需求不僅沒有放緩，反而在持續擴大。
供需失衡：產能售罄與結構性缺口
與市場規模同步攀升的，是日益嚴峻的供需失衡。
儘管三星、SK海力士、美光三大原廠已將70%的新增或可調配產能傾斜至HBM，但HBM產能缺口仍高達50%至60%。2025年HBM缺口率達45%，2026年依舊維持43.5%的高位。機構測算顯示，2026年全球DRAM供需缺口約7%、HBM缺口約6%，且緊缺態勢持續加劇，2027年DRAM與HBM缺口將擴大至9%。
更值得關注的是，三大原廠2026年的全部HBM產能早已經被下游客戶全年鎖定，不少核心客戶甚至已將產能鎖定至2028年。美光管理層在2026財年第三季度財報中公開確認，公司僅能滿足客戶實際需求的約50%至66%。高盛預計，存儲市場供應短缺情況將持續至2028年。
這種供需失衡並非短期脈衝，而是由多重結構性力量共同驅動的結果。需求端，AI模型的參數規模持續膨脹、推理需求的崛起構成了剛性支撐；供給端，TSV工藝的複雜性、先進封裝的良率爬坡、以及設備交付週期等物理約束，使得新增產能釋放最快也要到2028至2029年。國際投行普遍認為，HBM供不應求是至少三年級別的產業趨勢。
三巨頭爭霸：SK海力士、三星與美光的權力遊戲
HBM市場的競爭格局，正形成以SK海力士、三星電子與美光科技為核心的寡頭結構。
SK海力士是目前HBM市場的絕對領先者。TrendForce數據顯示，在2026年全球HBM生產位元佔比中，SK海力士約佔50%，三星約佔28%，美光約佔22%。Counterpoint Research的預測則更為細化，預計SK海力士2026年在HBM4市場的佔有率約為54%，三星為28%，美光約為18%。這一領先地位直接反映在資本市場——SK海力士2026年第一季度營收達52.58兆韓元，同比增長198%、環比增長60%，單季營收首次突破50兆韓元。瑞銀預測SK海力士2026年總營收為355.1兆韓元，經營利潤達286兆韓元。
三星則在經歷HBM3E認證和供貨節奏的波折後，正借助HBM4實現強勢反攻。2026年2月12日，三星在韓國忠南天安園區完成HBM4的全球首發並啟動大規模量產出貨，僅約四個月後累計銷售額便突破10億美元，成為全球存儲行業內首家達成這一里程碑的廠商。若以6月底為統計節點，HBM4累計銷售額預計將超過12億美元。三星計劃在2026年底前將1c DRAM工藝節點月產能提升至約15萬片，用於HBM4的量產。
美光雖然份額相對較小，但增速驚人。2026財年第三季度（截至5月31日），美光營收達414.6億美元，同比增長346%，毛利率84.9%，調整後每股收益25.11美元，同比增長1,215%。美光HBM4 12層產品量產爬坡速度達到HBM3E 12層版本的兩倍，公司已累計交付超過10億美元的HBM4收入。美光管理層判斷，HBM供需緊張將持續至2027年以後。
整體DRAM市場方面，三星仍保持著綜合優勢。2026年第一季度，三星DRAM營收達373.2億美元，環比增長93.4%，市佔率38.5%排名第一；SK海力士營收279.8億美元，環比增長62.5%，市佔率28.8%。這一對比清晰地表明：SK海力士的市值超越並非建立在整體DRAM市場的全面壓倒之上，而是源於HBM這一高利潤細分市場的絕對統治力所帶來的估值溢價。
HBM產業鏈上的投資機會
HBM的超級週期正在沿產業鏈自上而下傳導，為不同環節的投資標的創造了差異化機會。
第一梯隊：三大存儲原廠。 SK海力士、三星電子與美光科技憑藉技術壟斷和產能稀缺，賺取了產業鏈中的絕大部分超額利潤，毛利率突破70%甚至80%。這三家公司是HBM行情最直接、最核心的受益者。
第二梯隊：先進封裝與封測。 HBM產能擴張直接拉動了先進封裝需求。A股市場中，長電科技、通富微電、華天科技等封測龍頭被市場資金聚焦。此外，半導體設備企業如北方華創、中微公司也受益於全球存儲擴產帶來的資本開支上行。
第三梯隊：國內存儲晶片與材料企業。 在全球DRAM與NAND供應持續緊張的背景下，國內存儲晶片廠商迎來了國產替代的窗口期，兆易創新、北京君正、東芯股份、普冉股份等受到市場關注。6月以來，A股算力硬體概念股平均上漲19.05%。
第四梯隊：HBM設備與材料。 包括HBM設備（萬潤、弘塑）、封測（力成、京元電）以及AI伺服器（廣達、緯創、緯穎）等細分環節。
加密行業的映射：HBM與數字資產的間接關聯
對於加密行業從業者與投資者而言，HBM的景氣週期同樣值得關注——雖然HBM與加密資產分屬不同賽道，但兩者之間存在清晰的邏輯傳導鏈條。
首先，AI算力基礎設施的擴張直接推動了對GPU的需求，而GPU正是HBM的最大採購方。輝達作為全球最大的HBM採購方，其晶片的產能與出貨節奏直接影響著HBM的供需平衡。加密挖礦行業作為GPU的重要下游市場之一，同樣受到這一供應鏈動態的間接影響——當AI算力需求擠佔GPU產能時，加密挖礦硬體的獲取成本與難度隨之上升。
其次，HBM三巨頭的股價表現已成為衡量AI基礎設施投資熱度的風向標。2026年6月，Gate正式上線真實股票交易功能，用戶可直接使用USDT在平台內交易美光、三星電子、SK海力士等主流證券市場的股票與ETF資產。這意味著加密投資者可以通過這一通道，直接參與HBM超級週期的投資機會。
截至2026年6月26日，比特幣報價約59,592美元，較2025年10月的歷史高點126,223美元已下跌超過52%。以太坊同步走弱至1,510美元附近。在加密市場整體承壓的背景下，HBM產業鏈的獨立景氣週期為投資者提供了跨資產類別的配置視角——傳統半導體硬體的結構性短缺與超額利潤，與加密資產的週期波動形成了某種程度的對沖關係。
結語：HBM不是泡沫，是物理定律
HBM的火熱並非資本市場憑空製造的題材。它的底層邏輯建立在三個不可迴避的物理與產業現實之上：AI模型參數量的指數級增長對記憶體頻寬提出了剛性需求；TSV 3D堆疊工藝的複雜性使得產能釋放天然緩慢；而全球具備HBM量產能力的企業僅有SK海力士、三星與美光三家。
這不是一個可以無限複製的故事。生產HBM所需晶圓產能約為傳統DRAM的3至4倍。一座2nm晶圓廠的建設成本已超250億美元。這些數字背後是實實在在的物理約束與資本門檻——它們構成了HBM供給端最堅固的護城河，也決定了這一輪「記憶體黃金時代」的持續時間不會短暫。
高盛等多家投行給出的結論高度一致：這場「記憶體荒」絕非短期脈衝，HBM供不應求的結構性短缺至少將持續到2028年。對於投資者而言，理解HBM不僅是為了把握一個投資賽道，更是為了理解AI時代底層基礎設施的運行邏輯——在算力的金字塔尖，最稀缺的往往不是算力本身，而是餵飽算力的那條「數據管道」。
FAQ
1. HBM和傳統記憶體有什麼區別？
HBM通過TSV矽通孔技術將多個DRAM晶片垂直堆疊，實現遠超傳統DDR記憶體的頻寬密度。傳統記憶體為平面佈局，數據傳輸通道有限；HBM的接口寬度可達2,048位，單堆棧頻寬突破2 TB/s。HBM主要面向AI訓練、高效能計算等頻寬密集型場景，而傳統記憶體更適用於通用計算與消費電子。
2. 為什麼HBM產能這麼緊張？
三大原因：第一，生產HBM所需晶圓產能約為傳統DRAM的3至4倍；第二，TSV工藝與先進封裝的良率爬坡緩慢，設備交付週期長；第三，全球僅三家廠商具備量產能力，2026年產能已全部售罄。三重約束疊加，使得新增產能釋放最快也要到2028至2029年。
3. HBM相關股票有哪些？
三大存儲原廠：SK海力士（000660.KS）、三星電子（005930.KS）、美光科技（MU.O）。A股HBM概念涵蓋先進封裝（長電科技、通富微電、華天科技）、半導體設備（北方華創、中微公司）、存儲晶片（兆易創新、北京君正）等環節。
4. HBM的高毛利能持續多久？
三大原廠毛利率已突破70%甚至80%。美光管理層判斷HBM供需緊張將持續至2027年以後。高盛預計供應短缺將持續至2028年。只要AI基礎設施資本開支不減速，HBM的高毛利週期就有望延續。
5. 加密投資者如何參與HBM行情？
Gate已上線真實股票交易功能，用戶可直接使用USDT交易美光、三星電子、SK海力士等股票與ETF資產。此外，HBM的供需變化將沿GPU產業鏈傳導至加密資產挖礦設備領域，為跨資產配置提供間接的參考信號。