閃迪專利曝光3D存算架構:HBM與NAND分層協同

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火星財經消息 6月22日訊息,閃迪近日披露一項專利顯示,公司提出基於CBA存儲晶粒的3D堆疊架構:將GPU或AI加速器等計算晶片直接集成在NAND/CMOS邏輯存儲單元之上,並置於中介層,周圍堆疊HBM晶片。其中HBM負責高帶寬低延遲訪問,NAND層承擔大容量讀寫與存儲任務。 該設計旨在緩解HBM容量受限問題(單堆約32–64GB)。此前閃迪提出HBF架構,通過TSV垂直堆疊NAND,容量可達4TB,較HBM提升8–16倍,但仍面臨延遲與系統整合複雜度挑戰。相較DRAM,NAND具備更高容量與更低成本,但訪問速度更慢。新架構通過3D分層,實現了兩者的完美互補。(鈦度車庫)
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