🚨 Citrini Research 最新報告：Flash 替代 DRAM 的 AI 內存革命

AMD 收購 MEXT 優化閃存性能接近 DRAM，蘋果推進「LLM in a Flash」端側方案——兩大巨頭同時落子，這不是巧合，是 AI 內存架構正在發生結構性遷移的信號。
核心數據只需一個：閃存成本僅為 DRAM 的 1/55。*HBM 已佔 DRAM 產能 25%，"內存稅" 壓力到了臨界點。通過控制器優化、NAND 堆疊和單元模式調整，Flash 正在成為邊緣 AI 容量與帶寬的真實替代方案。這也是近期以閃迪（ $SNDK ）為代表的存儲股持續大漲的理論底座。
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這條邏輯的本質，不是"閃存替代 DRAM"，而是 AI 推理的內存層級正在重構。
推理階段的低頻 KV cache、模型權重、端側數據，可以從昂貴的 HBM/DRAM 下沉到 NAND Flash/SSD 層。Flash 不是取代 HBM，而是在容量維度承接溢出需求——AI 存儲需求大到需要多層架構共同扛。
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利好傳導四層：
① NAND 原廠（最直接）
高容量 NAND、企業級 SSD、QLC NAND 是最純方向。
美股：SNDK、WDC、MU、Kioxia
邏輯純度：SNDK / WDC / Kioxia > MU
② SSD 控制器（最持久）
讓 Flash 真正接近內存體驗的是控制器、固件、NVMe 架構優化——不只是顆粒漲價。
美股：SIMO、MRVL
台股：群聯 Phison
③ CXL / PCIe 高速互聯
數據從 Flash 搬到計算單元，通路本身就是價值。
美股：ALAB、RMBS、CRDO
④ 端側 AI 存儲升級
蘋果 LLM in a Flash：模型權重駐留 iPhone/Mac 閃存，推動終端存儲從 256GB 向 1TB 遷移，抬升 NAND 需求中樞。
受益：MU、Samsung、Kioxia、群聯
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A 股映射：
最直接 → 江波龍、佰維存儲、德明利
架構升級核心 → 澜起科技（CXL + 內存接口）
國產平台映射 → 兆易創新、北京君正
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兩檔結論：
短期彈性：SNDK、WDC、SIMO、群聯、江波龍、佰維存儲
中長期確定性：MU、MRVL、ALAB、澜起科技