Micron tiết lộ rằng quá trình sản xuất HBM phải hy sinh 300 bit DRAM để tạo ra mỗi 100 bit thành phẩm.
Các nhà sản xuất chip nhớ đang phải đối mặt với sự đánh đổi về công suất sản xuất: cứ sản xuất 100 bit bộ nhớ hiệu năng cao HBM3E thì phải hy sinh 300 bit DRAM thông thường, theo dữ liệu ngành được công bố tại diễn đàn KeyBanc ngày 10 tháng 8. Micron Technology cho biết tại diễn đàn rằng nguồn cung DRAM đã trở thành nút thắt lớn nhất đối với các khách hàng trung tâm dữ liệu, vượt qua những hạn chế về điện năng hoặc không gian. Tình trạng thiếu hụt này bắt nguồn từ việc các dây chuyền sản xuất đư
GateMacroTradfiHub·08-11 11:50
