#闪迪重挫6%存储股收跌 У короткостроковій перспективі в сегменті пам’яті все ще зберігається тиск, пов’язаний із вивільненням негативних настроїв, однак фундаментальна підтримка, яку забезпечує жорсткий баланс попиту та пропозиції в середньостроковій перспективі, ще не була повністю зруйнована

一、Ключові фактори, що спричинили цю хвилю безперервної корекції
1. Концентрований вплив кількох короткострокових негативних факторів
Акції таких лідерів, як SanDisk і Micron, падали 6 із 7 останніх торгових днів поспіль; тригером стали корекційне падіння на корейському ринку після свят, дострокове припинення програми викупу акцій гігантом вартістю 400 мільярдів доларів, а також довгострокові побоювання щодо пропозиції, викликані технологічним проривом ChangXin у архітектурі 4F².
2. Масова фіксація прибутку коштами, залученими на попередніх максимумах
Сегмент раніше зростав надто сильно: SanDisk безперервно знижувався з 52-тижневого максимуму в 2354 долари, а на тлі тимчасового охолодження очікувань щодо попиту на пам’ять для AI кошти масово продавали активи на високих рівнях, фіксуючи прибуток.
3. Ринок заздалегідь закладає в ціни майбутній розворот попиту та пропозиції
Інвестори вже переключили увагу на 2027-2028 роки, побоюючись, що до того часу розширення виробничих потужностей Китаю у сфері пам’яті та одночасний запуск нових заводів із виробництва пластин у Південній Кореї зруйнують нинішню ситуацію дефіциту пропозиції.

二、Поетапна оцінка подальшої динаміки
1. Короткострокова перспектива 1-2 тижні: інерція вивільнення негативних настроїв зберігається
Індекс KOSPI вже впритул наблизився до підтримки на рівні 200-денної ковзної середньої, а іноземні інвестори протягом 5 днів поспіль здійснювали чисті продажі; у короткостроковій перспективі сегмент, імовірно, продовжить коливальний пошук дна, не виключена можливість подальшого зниження.
2. Середньострокова перспектива 3-6 місяців: фундаментальні фактори все ще підтримують ринок
За прогнозом TrendForce, ситуація дефіциту пропозиції DRAM триватиме щонайменше до 2027 року, а через сильний попит з боку AI-серверів пропозиція HBM і надалі залишатиметься обмеженою; стійкість зростання цін на пам’ять вища, ніж у традиційному циклі.
3. Довгострокова перспектива 1-2 роки: диференціація ринку посилюватиметься
Виробники, які мають можливості самостійної розробки ключових мікросхем пам’яті та виходять у високорентабельні сегменти AI, зможуть продемонструвати незалежну динаміку під час переформатування галузі, тоді як прибуткова еластичність компаній, що займаються виключно модулями, звужуватиметься разом із циклічними коливаннями.

三、Ключові показники для подальшого спостереження
1. Динаміка спотових цін
Основну увагу слід приділяти щомісячним змінам спотових котирувань DRAM і NAND; якщо тенденція до зростання цін збережеться, нинішні песимістичні настрої щодо оцінок швидко відновляться.
2. Плани капітальних витрат великих виробників
Слідкуйте за подальшими темпами розширення виробництва Samsung і SK hynix; якщо виробники оригінальної продукції добровільно скоротять виробництво, це відтермінує момент розвороту попиту та пропозиції в довгостроковій перспективі.
3. Прогрес у реалізації імпортозаміщення
Фактичні поставки продукції DDR5 на базі архітектури 4F² компанії ChangXin наприкінці року безпосередньо визначать напрям перегляду ринкових очікувань щодо структури пропозиції.$SNDK