$DRAM は引き続き市場から強い関心を集めており、取引活動の活発化はメモリーセクター全体で注目が高まっていることを示しています。

次の大きな値動きの兆候を見極めるため、出来高、値動き、モメンタムを注意深く見ていきます。

モルガン・スタンレー：中国のDRAM・NAND生産能力は2028年までに50M枚へ拡大し、世界の供給構造を再構築

モルガン・スタンレーによると、中国のメモリーメーカー、具体的には長鑫（Changxin）と長江存儲（Yangtze Memory）は、2028年までに世界の半導体供給構造を根本的に変える見通しです。同レポートでは、長鑫のDRAM月間ウェハー生産能力が、2025年の18 million unitsから2028年には50 millionへ拡大し、世界のDRAMビット出荷量の15%を占め、Micronを抜いて世界第3位のDRAMサプライヤーになる可能性があると予測しています。

2026年から2027年にかけてのAI需要とHBMの生産制約が中国の新たな生産能力を吸収する可能性がある一方、2028年は重要な転換点となります。長鑫が生産規模を拡大し、長江存儲の新工場が稼働を拡大するほか、既存の世界的サプライヤーも生産能力を増強することで、メモリー業界は需給面で大きな圧力に直面する可能性があります。モルガン・スタンレーは、市場が2027年の15-17%の供給不足から、需要の伸びが鈍化した場合には供給過剰へ転じる可能性があり、業界の収益構造と価格規律が根本的に再構築されると予測しています。