SK hynix、龍仁「Y1」工場の建設を加速、設備の発注を開始

SK hynixは、龍仁にある新しいメモリ生産拠点の建設に向けて本格的な準備を始めた。業界では、同社が最近、高度なDRAM製造装置に関して主要サプライヤーへの発注を開始したとみられている。協議中の初期投資は、月あたり約20,000枚のウエハー生産能力を見込む規模だという。
7月14日の半導体・設備業界筋によると、SK hynixは現在、龍仁のY1工場向けに設備の発注を行っている。

設備サプライヤーが準備を強化する中、来年2月にパイロット生産ラインを設置へ
Y1は、SK hynixが京畿道龍仁市清?面、?一（ウォンサム＝ミョン、チョイン＝グ）で開発している大規模半導体クラスターにおける最初の工場である。
最初の工場は、2つの構造建屋と6つのクリーンルームで構成される。現在、最初のクリーンルーム、つまり第1フェーズの建設が進行中だ。SK hynixは当初、来年5月にY1第1フェーズの稼働開始を計画していたが、スケジュールをわずかに前倒しして来年2月にすることを決めた。
改訂された日程に沿って、SK hynixはY1第1フェーズに設置する設備について、複数の主要サプライヤーへの発注を始めたとみられている。同社は、来年2月にパイロット生産、いわゆる「ワンパス」ラインの立ち上げを開始する計画だ。生産能力を月あたり約20,000枚に拡大することを狙った大規模な設備据え付けは、3月または4月にすぐに続く見通しという。

対象製品は第6世代の10ナノメートル級、いわゆる1c DRAM。1c DRAMは、現在商用生産されているDRAMとして最も先進の世代で、AI用途向けの高付加価値DDRおよびLPDDR製品に用いられる。
SK hynixはさらに、第7世代の高帯域メモリHBM4Eにも1c DRAMを使う計画で、早ければ来年から本格的な商用化に入る可能性がある。

まだ設備発注を受けていない企業も、準備を前倒しで加速している。SK hynixが、設置に先立って設備の販売価格交渉を進める日程を前倒ししているためだ。
「SK hynixは通常、年末にかけて販売価格の交渉を行っているが、第3四半期の開始からそのプロセスを始めることにした」と、半導体装置業界の関係者は述べた。「これは、Y1第1フェーズにできるだけ早く装置を投入するための事前準備だ」。

一方で、SK hynixは現在の半導体需給状況に対応して、大規模な龍仁半導体クラスターの開発を加速するための戦略を策定していると報じられている。
総投資額が600兆ウォンに及ぶ龍仁半導体クラスターは、4つの工場で構成される。第4工場の完成は当初2045年とされていたが、同社はスケジュールを12年前倒しして2033年にした。
別の設備業界関係者は、「SK hynixは今年後半に、Y1の第2フェーズおよび第3フェーズのクリーンルームの建設を開始する見込みだ。工場建設の全体スケジュールは非常にタイトだ」と述べた。