#BernsteinSaysMemoryBullMarketToLastUntil2027

我々は、供給不足後のパニックにより引き起こされる混乱した突然の価格スパイクから距離を置き、2027年まで続くと見込まれる、構造的に堅実なAI主導の拡大の時期に入っています。
このサイクルを動かしている力学が、市場が消費者需要の鈍化にもかかわらずレジリエンスを保っている理由を説明します。
2026年Q2の価格上昇と2026年Q3の減速：2026年の第2四半期はメモリメーカーにとって非常に大きな成果でした。しかし、第3四半期の減速は、消費者が購買力の限界に到達しつつあることを示しています。
従来型DRAM：平均+74%；成長は13%–18%の範囲に落ち着く見通しです。
サーバーDRAM：+60%〜+67%；高性能DDR5モジュールに支えられており、スポット価格は契約価格に比べて大幅な上乗せで取引されています。
モバイルDRAM：約80%；鋭いピークを経験しましたが、スマートフォンメーカー（OEM）はコストのために調達スケジュールを調整し、構成を縮小しています。
NANDフラッシュ：約60%（全体の契約ベース）；明確な大きな乖離が見られます。6月にはウェハーのスポット価格が3%–4%下落した一方で、エンタープライズSSDおよびモバイルストレージのセグメント（+70%〜+80%）が市場を下支えしました。
AI主導の構造的転換：なぜ今回が違うのか？従来、メモリのサイクルは「ブームとバスト」のようなパターンで特徴づけられてきました。すなわち、供給者が過剰な生産能力を積み増し、PCやスマートフォン向けの消費需要が落ち込み、価格が底値まで下落するという流れです。
このサイクルは、2つの主要な力によって根本的に作り変えられています。
長期契約（LTA）：ハイパースケールのデータセンター運営者やティア1の米国クラウドサービスプロバイダー（CSP）は、もはやオープンスポット市場での購入だけに依存していません。下り局面での備えとして厳格な価格フロアを含む、3〜5年契約を結んでいます。例えば、SK HynixやMicronのようなサプライヤーが年初に大規模なLTAを締結して製品配分を確保する一方で、Samsungはより高い価格上限の達成を狙った強気の姿勢を取りました。
キャパシティのシフト（カニバリゼーション）：高帯域メモリ（HBM）および先進的なサーバーDDR5に対する底なしの需要により、メーカーは物理的なウェハー能力を従来のPCおよびモバイルDRAMの生産から、これらの分野へ振り向けています。消費者向けエレクトロニクスの需要が弱まっても、製造施設（ファブ）が高付加価値のAIチップの製造に注力しているため、全体として供給制約が残ります。
サプライヤーの見通し
Bernsteinの見解は、この高度に多様化されたAI中心の生産戦略における勝ち組を示しています。
Samsung、SK Hynix、Micron（アウトパフォーム）：この3社はHBMおよびDDR5のブームの主な受益者です。2027年まで続く売上の軌道をならしていく、長期契約（LTA）注文の大きく確保されたバックログを保有しています。
SanDisk（アウトパフォーム）：エンタープライズSSDの契約における構造的な優位性が非常に強いためです。高い価格フロア（約$0.29/GB）を提供し、NANDウェハー価格の些細な変動から保護します。
Kioxia（慎重/アンダーパフォーム）：より不安定な、LTAではないコモディティのフラッシュ市場にさらされており、消費者向けウェハー分野の軟化からの防御もより弱いです。
月次の価格急騰（「ロケット船」）局面は終わりつつありますが、だからといって強気相場の終わりだと誤解しないでください。メモリ価格の構造的な基準線は依然として高い水準にあります。正常化が完全に定着するのは、遅くとも2027年後半か2028年まで見込まれません。というのも、新たに建設された生産能力がようやく稼働を開始するからです。