TrendForceの報道によると、SKハイニックスは2026年下期に、これまで中断していた大連工場の第2期拡張プロジェクトを再開し、V8(238層)NANDの生産ラインを追加する計画です。このプロジェクトは、NAND市場の低迷と米国の輸出規制により中断されていましたが、再開は同社がNAND価格の歴史的な回復を実際の生産能力計画に転換したことを示しています。
News Tomatoの報道によると、SKハイニックスは今年下期から大連第2期工場への生産設備の設置を開始し、段階的に2027年上期までに施設の建設を完了する予定です。 国内のパートナーはすでに遊休NAND設備を大連に移転し始めており、海外サプライヤーは設備納入のための初期購入注文を受け取ったとされています。
Sisa Journalはさらに詳細な生産能力の情報を明らかにしました。大連第2期には新たにV8生産ライン(238層)が追加され、月間生産能力は3万~5万ウェーハを目標としています。大連第1期工場では、生産ラインを192層NANDに深く転換し、老朽化した設備を交換しています。
大連第2期拡張はこれまで、2つの直接的な理由により停滞していました。1つは、米国の中国向け半導体設備輸出規制の不確実性であり、もう1つはNAND市場の継続的な低迷です。
規制面では、重要な変数がすでに変化しています。News Tomatoの報道によると、米国は従来の「認定最終需要家」(VEU)制度を、設備輸送に関する年間承認プロセスに変更しました。これにより、設備供給の不確実性は緩和され、SKハイニックスに大連拡張を再開するための運用余地が提供されました。
この制度変更のタイミングは注目に値します。このような背景のもと、市場はSKハイニックスがDRAMとHBMの好況を活用し、大連拡張を通じてインテルのNAND事業買収(11兆ウォン、約80億ドル)の価値をさらに引き出せるかどうかを注視しています。報道によれば、大連第2期はSKハイニックスのNAND生産拠点の中で最も拡張速度が速い場所と見られています。
拡張再開のタイミングは偶然ではありません。2026年第1四半期、SKハイニックスのNAND平均販売価格は前期比70%以上上昇し、四半期ベースで過去最高を記録しました。同社の第2四半期ガイダンスはさらに、NAND出荷量が「減少から増加に転じ」、前期比で回復することを明確にしています。価格と出荷量の両面での改善が、これまで中断されていた設備投資計画の再開の決定基盤を提供しました。
韓国タイムズのデータによると、SKハイニックスの2025年の大連NAND製造子会社への投資は4406億ウォンに増加し、前年比52%増となりました。第2期拡張が正式に再開される前でさえ、同社のNAND分野への投資は加速し始めていました。
技術面では、SKハイニックスはすでに375層3D NANDフラッシュメモリの生産検証を完了しており、年内に韓国清州のM15工場で量産を開始する計画です。大連のV8(238層)生産ラインはこれと技術的な段差を形成し、それぞれ異なる市場ポジショニングにサービスを提供します。
SKハイニックスだけが中国でNAND生産能力を拡大しているストレージ大手ではありません。Sisa Journalの報道によると、サムスン電子も西安工場でのNANDアップグレードを加速しています。 サムスンは3月30日に128層V6から236層V8への生産ライン転換を完了し、現在量産段階に入っています。
投資データはこの傾向を裏付けています。Sisa Journalの試算によると、サムスンの2025年の西安NAND工場への投資は約3億400万ドルで、前年比約67.5%増となります。韓国の2大ストレージ大手による中国でのNAND生産能力の同時拡大は、世界のNAND供給側が縮小サイクルから拡大軌道に移行していることを意味します。
タイミングを見ると、サムスン西安のV8量産はすでに開始されていますが、SKハイニックス大連第2期のV8設備設置は今年下期から開始される見込みであり、両者の実際の生産能力放出のリズムには数四半期のタイムラグが存在します。
リスク注意事項及び免責条項
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NAND単一四半期70%上昇後、SKハイニックスが大連第二期を再開、三星西安との競争が加速
TrendForceの報道によると、SKハイニックスは2026年下期に、これまで中断していた大連工場の第2期拡張プロジェクトを再開し、V8(238層)NANDの生産ラインを追加する計画です。このプロジェクトは、NAND市場の低迷と米国の輸出規制により中断されていましたが、再開は同社がNAND価格の歴史的な回復を実際の生産能力計画に転換したことを示しています。
News Tomatoの報道によると、SKハイニックスは今年下期から大連第2期工場への生産設備の設置を開始し、段階的に2027年上期までに施設の建設を完了する予定です。 国内のパートナーはすでに遊休NAND設備を大連に移転し始めており、海外サプライヤーは設備納入のための初期購入注文を受け取ったとされています。
Sisa Journalはさらに詳細な生産能力の情報を明らかにしました。大連第2期には新たにV8生産ライン(238層)が追加され、月間生産能力は3万~5万ウェーハを目標としています。大連第1期工場では、生産ラインを192層NANDに深く転換し、老朽化した設備を交換しています。
中断の背景にある転換点:輸出規制から年間承認へ
大連第2期拡張はこれまで、2つの直接的な理由により停滞していました。1つは、米国の中国向け半導体設備輸出規制の不確実性であり、もう1つはNAND市場の継続的な低迷です。
規制面では、重要な変数がすでに変化しています。News Tomatoの報道によると、米国は従来の「認定最終需要家」(VEU)制度を、設備輸送に関する年間承認プロセスに変更しました。これにより、設備供給の不確実性は緩和され、SKハイニックスに大連拡張を再開するための運用余地が提供されました。
この制度変更のタイミングは注目に値します。このような背景のもと、市場はSKハイニックスがDRAMとHBMの好況を活用し、大連拡張を通じてインテルのNAND事業買収(11兆ウォン、約80億ドル)の価値をさらに引き出せるかどうかを注視しています。報道によれば、大連第2期はSKハイニックスのNAND生産拠点の中で最も拡張速度が速い場所と見られています。
V8生産ライン導入の産業背景:NAND価格が過去最高値を記録
拡張再開のタイミングは偶然ではありません。2026年第1四半期、SKハイニックスのNAND平均販売価格は前期比70%以上上昇し、四半期ベースで過去最高を記録しました。同社の第2四半期ガイダンスはさらに、NAND出荷量が「減少から増加に転じ」、前期比で回復することを明確にしています。価格と出荷量の両面での改善が、これまで中断されていた設備投資計画の再開の決定基盤を提供しました。
韓国タイムズのデータによると、SKハイニックスの2025年の大連NAND製造子会社への投資は4406億ウォンに増加し、前年比52%増となりました。第2期拡張が正式に再開される前でさえ、同社のNAND分野への投資は加速し始めていました。
技術面では、SKハイニックスはすでに375層3D NANDフラッシュメモリの生産検証を完了しており、年内に韓国清州のM15工場で量産を開始する計画です。大連のV8(238層)生産ラインはこれと技術的な段差を形成し、それぞれ異なる市場ポジショニングにサービスを提供します。
競争の激化:サムスン西安工場も同時に加速
SKハイニックスだけが中国でNAND生産能力を拡大しているストレージ大手ではありません。Sisa Journalの報道によると、サムスン電子も西安工場でのNANDアップグレードを加速しています。 サムスンは3月30日に128層V6から236層V8への生産ライン転換を完了し、現在量産段階に入っています。
投資データはこの傾向を裏付けています。Sisa Journalの試算によると、サムスンの2025年の西安NAND工場への投資は約3億400万ドルで、前年比約67.5%増となります。韓国の2大ストレージ大手による中国でのNAND生産能力の同時拡大は、世界のNAND供給側が縮小サイクルから拡大軌道に移行していることを意味します。
タイミングを見ると、サムスン西安のV8量産はすでに開始されていますが、SKハイニックス大連第2期のV8設備設置は今年下期から開始される見込みであり、両者の実際の生産能力放出のリズムには数四半期のタイムラグが存在します。
リスク注意事項及び免責条項