🚨韓国メディアは、中国のCXMTが現在、合肥でボンデッドDRAMのパイロット生産ラインをテストしており、EUVリソグラフィを使用せずに高性能DRAMを実現することを目指していると報じている。

ボンデッドDRAMは、メモリセルアレイと周辺回路を別々のウェーハ上に作製し、その後貼り合わせる技術である。このアプローチにより、マルチパターニングを用いた深紫外線(DUV)リソグラフィのみを使用して超高密度DRAMを製造することが可能となり、EUVツールの必要性を排除する。
サムスン電子は「B1b」プロジェクトのもとで独自のボンデッドDRAMを開発しており、SKハイニックスも同様の技術を追求している。
しかし、韓国メディアは、CXMTが技術自体と開発スピードの両方で韓国のライバルに対して優位に立っている可能性があるという評価があると警告している。