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中金：コアとなる第3世代化合物半導体デバイスは、データセンターの電力関連システムのアップグレードから持続的に恩恵を受ける見込みがある。
K-LinePoet
2026-07-03 23:41:25
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中金は、AIの演算能力が高密度化、連続フル稼働、強い過渡的衝撃へと向かう中で、高圧アーキテクチャはデータセンターの電源システム開発における確実な方向性であると指摘している。ハードウェア技術の進歩に後押しされ、2026年にはデータセンター向け高圧アーキテクチャが本格導入の初年度を迎える。中金は、SiC/GaNなどの第3世代化合物半導体デバイスがデータセンターの電力関連システムのアップグレードから持続的に恩恵を受けるとみており、SiCはサーバールーム側（グレーゾーン）のアプリケーションを統括し、GaNはラック内（ホワイトゾーン）で大規模に普及し、グレーゾーンとホワイトゾーンの境界線を「SiCは左、GaNは右」という市場構造で分け合い、データセンターの電源ソリューションの進化からともに恩恵を受ける可能性があるとしている。
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